MOSFETs के चैनल का संचालन कैलकुलेटर

MOSFETs के चैनल का संचालन को MOSFETs के चैनल का चालन, लागू वोल्टेज के माध्यम से चैनल के माध्यम से आयनिक धारा के अनुपात के रूप में परिभाषित किया जाता है, वर्तमान में एक बार गणना की जा सकती है, बाहरी बिजली के क्षेत्र में सिस्टम पर लागू होने पर प्रति यूनिट समय चैनल को पार करने वाले आयनों की संख्या। । Conductance of Channel = चैनल की सतह पर इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता*ऑक्साइड धारिता*(चैनल की चौड़ाई/चैनल की लंबाई)*ऑक्साइड भर में वोल्टेज G = μ_s*C_ox*(W_c/L)*V_ox के रूप में परिभाषित किया गया है। MOSFETs के चैनल का संचालन की गणना करने के लिए, आपको चैनल की सतह पर इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता (μ_s), ऑक्साइड धारिता (C_ox), चैनल की चौड़ाई (W_c), चैनल की लंबाई (L) & ऑक्साइड भर में वोल्टेज (V_ox) की आवश्यकता है। हमारे टूल के द्वारा, आपको चैनल की सतह पर इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता अर्धचालक सामग्री की सतह के माध्यम से स्थानांतरित होने या यात्रा करने की इलेक्ट्रॉनों की क्षमता को संदर्भित करती है, जैसे ट्रांजिस्टर में सिलिकॉन चैनल।, ऑक्साइड कैपेसिटेंस एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है जो एमओएस उपकरणों के प्रदर्शन को प्रभावित करता है, जैसे एकीकृत सर्किट की गति और बिजली की खपत।, चैनल की चौड़ाई वायरलेस संचार चैनल पर डेटा संचारित करने के लिए उपयोग की जाने वाली आवृत्तियों की सीमा को संदर्भित करती है। इसे बैंडविड्थ के रूप में भी जाना जाता है और इसे हर्ट्ज़ (हर्ट्ज) में मापा जाता है।, चैनल की लंबाई फ़ील्ड-इफ़ेक्ट ट्रांजिस्टर (FET) में स्रोत और ड्रेन टर्मिनलों के बीच की दूरी को संदर्भित करती है। & ऑक्साइड-सेमीकंडक्टर इंटरफ़ेस पर चार्ज के कारण ऑक्साइड में वोल्टेज और तीसरा शब्द ऑक्साइड में चार्ज घनत्व के कारण है। के लिए संबंधित मान दर्ज करने और कैलकुलेट बटन को क्लिक करने की आवश्यकता है।