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गेट टू सोर्स वोल्टेज का उपयोग करके MOSFET के चैनल का संचालन कैलकुलेटर

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✖चैनल की सतह पर इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता अर्धचालक सामग्री की सतह के माध्यम से स्थानांतरित होने या यात्रा करने की इलेक्ट्रॉनों की क्षमता को संदर्भित करती है, जैसे ट्रांजिस्टर में सिलिकॉन चैनल।ⓘ चैनल की सतह पर इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता [μ_s]			+10% -10%
✖ऑक्साइड कैपेसिटेंस एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है जो एमओएस उपकरणों के प्रदर्शन को प्रभावित करता है, जैसे एकीकृत सर्किट की गति और बिजली की खपत।ⓘ ऑक्साइड धारिता [C_ox]			+10% -10%
✖चैनल की चौड़ाई वायरलेस संचार चैनल पर डेटा संचारित करने के लिए उपयोग की जाने वाली आवृत्तियों की सीमा को संदर्भित करती है। इसे बैंडविड्थ के रूप में भी जाना जाता है और इसे हर्ट्ज़ (हर्ट्ज) में मापा जाता है।ⓘ चैनल की चौड़ाई [W_c]			+10% -10%
✖चैनल की लंबाई फ़ील्ड-इफ़ेक्ट ट्रांजिस्टर (FET) में स्रोत और ड्रेन टर्मिनलों के बीच की दूरी को संदर्भित करती है।ⓘ चैनल की लंबाई [L]			+10% -10%
✖गेट-सोर्स वोल्टेज एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है जो FET के संचालन को प्रभावित करता है, और इसका उपयोग अक्सर डिवाइस के व्यवहार को नियंत्रित करने के लिए किया जाता है।ⓘ गेट-स्रोत वोल्टेज [V_gs]			+10% -10%
✖थ्रेशोल्ड वोल्टेज, जिसे गेट थ्रेशोल्ड वोल्टेज या केवल Vth के रूप में भी जाना जाता है, फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर के संचालन में एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है, जो आधुनिक इलेक्ट्रॉनिक्स में मूलभूत घटक हैं।ⓘ सीमा वोल्टेज [V_th]			+10% -10%

✖चैनल के प्रवाहकत्त्व को आम तौर पर चैनल के माध्यम से गुजरने वाले मौजूदा वोल्टेज के अनुपात के रूप में परिभाषित किया जाता है।ⓘ गेट टू सोर्स वोल्टेज का उपयोग करके MOSFET के चैनल का संचालन [G]

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गेट टू सोर्स वोल्टेज का उपयोग करके MOSFET के चैनल का संचालन उपाय

चरण 0: पूर्व-गणना सारांश

प्रयुक्त सूत्र

चैनल का संचालन = चैनल की सतह पर इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता*ऑक्साइड धारिता*चैनल की चौड़ाई/चैनल की लंबाई*(गेट-स्रोत वोल्टेज-सीमा वोल्टेज)
G = μ_s*C_ox*W_c/L*(V_gs-V_th)
यह सूत्र 7 वेरिएबल का उपयोग करता है

चर

चैनल का संचालन - (में मापा गया सीमेंस) - चैनल के प्रवाहकत्त्व को आम तौर पर चैनल के माध्यम से गुजरने वाले मौजूदा वोल्टेज के अनुपात के रूप में परिभाषित किया जाता है।
चैनल की सतह पर इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता - (में मापा गया वर्ग मीटर प्रति वोल्ट प्रति सेकंड) - चैनल की सतह पर इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता अर्धचालक सामग्री की सतह के माध्यम से स्थानांतरित होने या यात्रा करने की इलेक्ट्रॉनों की क्षमता को संदर्भित करती है, जैसे ट्रांजिस्टर में सिलिकॉन चैनल।
ऑक्साइड धारिता - (में मापा गया फैरड) - ऑक्साइड कैपेसिटेंस एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है जो एमओएस उपकरणों के प्रदर्शन को प्रभावित करता है, जैसे एकीकृत सर्किट की गति और बिजली की खपत।
चैनल की चौड़ाई - (में मापा गया मीटर) - चैनल की चौड़ाई वायरलेस संचार चैनल पर डेटा संचारित करने के लिए उपयोग की जाने वाली आवृत्तियों की सीमा को संदर्भित करती है। इसे बैंडविड्थ के रूप में भी जाना जाता है और इसे हर्ट्ज़ (हर्ट्ज) में मापा जाता है।
चैनल की लंबाई - (में मापा गया मीटर) - चैनल की लंबाई फ़ील्ड-इफ़ेक्ट ट्रांजिस्टर (FET) में स्रोत और ड्रेन टर्मिनलों के बीच की दूरी को संदर्भित करती है।
गेट-स्रोत वोल्टेज - (में मापा गया वोल्ट) - गेट-सोर्स वोल्टेज एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है जो FET के संचालन को प्रभावित करता है, और इसका उपयोग अक्सर डिवाइस के व्यवहार को नियंत्रित करने के लिए किया जाता है।
सीमा वोल्टेज - (में मापा गया वोल्ट) - थ्रेशोल्ड वोल्टेज, जिसे गेट थ्रेशोल्ड वोल्टेज या केवल Vth के रूप में भी जाना जाता है, फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर के संचालन में एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है, जो आधुनिक इलेक्ट्रॉनिक्स में मूलभूत घटक हैं।

चरण 1: इनपुट को आधार इकाई में बदलें

चैनल की सतह पर इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता: 38 वर्ग मीटर प्रति वोल्ट प्रति सेकंड --> 38 वर्ग मीटर प्रति वोल्ट प्रति सेकंड कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
ऑक्साइड धारिता: 940 माइक्रोफ़ारड --> 0.00094 फैरड (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)
चैनल की चौड़ाई: 10 माइक्रोमीटर --> 1E-05 मीटर (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)
चैनल की लंबाई: 100 माइक्रोमीटर --> 0.0001 मीटर (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)
गेट-स्रोत वोल्टेज: 4 वोल्ट --> 4 वोल्ट कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
सीमा वोल्टेज: 2.3 वोल्ट --> 2.3 वोल्ट कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है

चरण 2: फॉर्मूला का मूल्यांकन करें

फॉर्मूला में इनपुट वैल्यू को तैयार करना

G = μ_s*C_ox*W_c/L*(V_gs-V_th) --> 38*0.00094*1E-05/0.0001*(4-2.3)

मूल्यांकन हो रहा है ... ...

G = 0.0060724

चरण 3: परिणाम को आउटपुट की इकाई में बदलें

0.0060724 सीमेंस -->6.0724 मिलिसिएमेंस (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)

आख़री जवाब

6.0724 मिलिसिएमेंस <-- चैनल का संचालन

(गणना 00.020 सेकंड में पूरी हुई)

आप यहाँ हैं -

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क्रेडिट

के द्वारा बनाई गई पायल प्रिया

बिरसा प्रौद्योगिकी संस्थान (बीआईटी), सिंदरी

पायल प्रिया ने इस कैलकुलेटर और 600+ अधिक कैलकुलेटर को बनाए है!

के द्वारा सत्यापित उर्वी राठौड़

विश्वकर्मा गवर्नमेंट इंजीनियरिंग कॉलेज (वीजीईसी), अहमदाबाद

उर्वी राठौड़ ने इस कैलकुलेटर और 1900+ को अधिक कैलकुलेटर से सत्यापित किया है!

< वोल्टेज कैलक्युलेटर्स

MOSFET के ड्रेन Q1 पर आउटपुट वोल्टेज को कॉमन-मोड सिग्नल दिया गया

LaTeX जाओ नाली वोल्टेज Q1 = -आउटपुट प्रतिरोध*(transconductance*सामान्य मोड इनपुट सिग्नल)/(1+(2*transconductance*आउटपुट प्रतिरोध))

MOSFET के ड्रेन Q2 पर आउटपुट वोल्टेज को कॉमन-मोड सिग्नल दिया गया

LaTeX जाओ नाली वोल्टेज Q2 = -(आउटपुट प्रतिरोध/((1/transconductance)+2*आउटपुट प्रतिरोध))*सामान्य मोड इनपुट सिग्नल

MOSFET के ड्रेन Q1 पर आउटपुट वोल्टेज

LaTeX जाओ नाली वोल्टेज Q1 = -(आउटपुट प्रतिरोध*कुल वर्तमान)

MOSFET के ड्रेन Q2 पर आउटपुट वोल्टेज

LaTeX जाओ नाली वोल्टेज Q2 = -(आउटपुट प्रतिरोध*कुल वर्तमान)

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< MOSFET विशेषताएँ कैलक्युलेटर्स

वोल्टेज लाभ MOSFET का भार प्रतिरोध दिया गया

LaTeX जाओ वोल्टेज बढ़ना = transconductance*(1/(1/भार प्रतिरोध+1/आउटपुट प्रतिरोध))/(1+transconductance*स्रोत प्रतिरोध)

बायस प्वाइंट पर अधिकतम वोल्टेज लाभ

LaTeX जाओ अधिकतम वोल्टेज लाभ = 2*(वोल्टेज आपूर्ति-प्रभावी वोल्टेज)/(प्रभावी वोल्टेज)

वोल्टेज गेन ने ड्रेन वोल्टेज दिया

LaTeX जाओ वोल्टेज बढ़ना = (जल निकासी धारा*भार प्रतिरोध*2)/प्रभावी वोल्टेज

सभी वोल्टेज को देखते हुए अधिकतम वोल्टेज लाभ

LaTeX जाओ अधिकतम वोल्टेज लाभ = (वोल्टेज आपूर्ति-0.3)/थर्मल वोल्टेज

और देखें >>

गेट टू सोर्स वोल्टेज का उपयोग करके MOSFET के चैनल का संचालन सूत्र

LaTeX जाओ

चैनल का संचालन = चैनल की सतह पर इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता*ऑक्साइड धारिता*चैनल की चौड़ाई/चैनल की लंबाई*(गेट-स्रोत वोल्टेज-सीमा वोल्टेज)
G = μ_s*C_ox*W_c/L*(V_gs-V_th)

MOSFET में आचरण के अनुप्रयोग क्या हैं?

MOSFETs में संचालन के अनुप्रयोग विशाल और विविध हैं। इनमें उच्च-आवृत्ति एम्पलीफायर, स्विच, वोल्टेज नियामक, ऑसिलेटर और डिजिटल लॉजिक सर्किट शामिल हैं। प्रवाह प्रवाह को नियंत्रित करने और सिग्नल ध्रुवता में हेरफेर करने की MOSFETs की क्षमता में चालन भी महत्वपूर्ण भूमिका निभाता है, जिससे वे आधुनिक इलेक्ट्रॉनिक प्रणालियों में एक आवश्यक घटक बन जाते हैं।

गेट टू सोर्स वोल्टेज का उपयोग करके MOSFET के चैनल का संचालन की गणना कैसे करें?

गेट टू सोर्स वोल्टेज का उपयोग करके MOSFET के चैनल का संचालन के लिए ऑनलाइन कैलकुलेटर पर, कृपया चैनल की सतह पर इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता (μ_s), चैनल की सतह पर इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता अर्धचालक सामग्री की सतह के माध्यम से स्थानांतरित होने या यात्रा करने की इलेक्ट्रॉनों की क्षमता को संदर्भित करती है, जैसे ट्रांजिस्टर में सिलिकॉन चैनल। के रूप में, ऑक्साइड धारिता (C_ox), ऑक्साइड कैपेसिटेंस एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है जो एमओएस उपकरणों के प्रदर्शन को प्रभावित करता है, जैसे एकीकृत सर्किट की गति और बिजली की खपत। के रूप में, चैनल की चौड़ाई (W_c), चैनल की चौड़ाई वायरलेस संचार चैनल पर डेटा संचारित करने के लिए उपयोग की जाने वाली आवृत्तियों की सीमा को संदर्भित करती है। इसे बैंडविड्थ के रूप में भी जाना जाता है और इसे हर्ट्ज़ (हर्ट्ज) में मापा जाता है। के रूप में, चैनल की लंबाई (L), चैनल की लंबाई फ़ील्ड-इफ़ेक्ट ट्रांजिस्टर (FET) में स्रोत और ड्रेन टर्मिनलों के बीच की दूरी को संदर्भित करती है। के रूप में, गेट-स्रोत वोल्टेज (V_gs), गेट-सोर्स वोल्टेज एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है जो FET के संचालन को प्रभावित करता है, और इसका उपयोग अक्सर डिवाइस के व्यवहार को नियंत्रित करने के लिए किया जाता है। के रूप में & सीमा वोल्टेज (V_th), थ्रेशोल्ड वोल्टेज, जिसे गेट थ्रेशोल्ड वोल्टेज या केवल Vth के रूप में भी जाना जाता है, फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर के संचालन में एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है, जो आधुनिक इलेक्ट्रॉनिक्स में मूलभूत घटक हैं। के रूप में डालें। कृपया गेट टू सोर्स वोल्टेज का उपयोग करके MOSFET के चैनल का संचालन गणना को पूर्ण करने के लिए कैलकुलेट बटन का उपयोग करें।

गेट टू सोर्स वोल्टेज का उपयोग करके MOSFET के चैनल का संचालन गणना

गेट टू सोर्स वोल्टेज का उपयोग करके MOSFET के चैनल का संचालन कैलकुलेटर, चैनल का संचालन की गणना करने के लिए Conductance of Channel = चैनल की सतह पर इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता*ऑक्साइड धारिता*चैनल की चौड़ाई/चैनल की लंबाई*(गेट-स्रोत वोल्टेज-सीमा वोल्टेज) का उपयोग करता है। गेट टू सोर्स वोल्टेज का उपयोग करके MOSFET के चैनल का संचालन G को गेट टू सोर्स वोल्टेज का उपयोग करके MOSFET के चैनल के संचालन को चैनल के माध्यम से लागू वोल्टेज के लिए आयनिक धारा के अनुपात के रूप में परिभाषित किया गया है, एक बार धारा की गणना की जा सकती है, आयनों की संख्या जो बाहरी विद्युत क्षेत्र होने पर प्रति यूनिट समय चैनल को पार करती है सिस्टम पर लागू किया जाता है के रूप में परिभाषित किया गया है। यहाँ गेट टू सोर्स वोल्टेज का उपयोग करके MOSFET के चैनल का संचालन गणना को संख्या में समझा जा सकता है - 6072.4 = 38*0.00094*1E-05/0.0001*(4-2.3). आप और अधिक गेट टू सोर्स वोल्टेज का उपयोग करके MOSFET के चैनल का संचालन उदाहरण यहाँ देख सकते हैं -

FAQ

गेट टू सोर्स वोल्टेज का उपयोग करके MOSFET के चैनल का संचालन क्या है?

गेट टू सोर्स वोल्टेज का उपयोग करके MOSFET के चैनल का संचालन गेट टू सोर्स वोल्टेज का उपयोग करके MOSFET के चैनल के संचालन को चैनल के माध्यम से लागू वोल्टेज के लिए आयनिक धारा के अनुपात के रूप में परिभाषित किया गया है, एक बार धारा की गणना की जा सकती है, आयनों की संख्या जो बाहरी विद्युत क्षेत्र होने पर प्रति यूनिट समय चैनल को पार करती है सिस्टम पर लागू किया जाता है है और इसे G = μ_s*C_ox*W_c/L*(V_gs-V_th) या Conductance of Channel = चैनल की सतह पर इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता*ऑक्साइड धारिता*चैनल की चौड़ाई/चैनल की लंबाई*(गेट-स्रोत वोल्टेज-सीमा वोल्टेज) के रूप में दर्शाया जाता है।

गेट टू सोर्स वोल्टेज का उपयोग करके MOSFET के चैनल का संचालन की गणना कैसे करें?

गेट टू सोर्स वोल्टेज का उपयोग करके MOSFET के चैनल का संचालन को गेट टू सोर्स वोल्टेज का उपयोग करके MOSFET के चैनल के संचालन को चैनल के माध्यम से लागू वोल्टेज के लिए आयनिक धारा के अनुपात के रूप में परिभाषित किया गया है, एक बार धारा की गणना की जा सकती है, आयनों की संख्या जो बाहरी विद्युत क्षेत्र होने पर प्रति यूनिट समय चैनल को पार करती है सिस्टम पर लागू किया जाता है Conductance of Channel = चैनल की सतह पर इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता*ऑक्साइड धारिता*चैनल की चौड़ाई/चैनल की लंबाई*(गेट-स्रोत वोल्टेज-सीमा वोल्टेज) G = μ_s*C_ox*W_c/L*(V_gs-V_th) के रूप में परिभाषित किया गया है। गेट टू सोर्स वोल्टेज का उपयोग करके MOSFET के चैनल का संचालन की गणना करने के लिए, आपको चैनल की सतह पर इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता (μ_s), ऑक्साइड धारिता (C_ox), चैनल की चौड़ाई (W_c), चैनल की लंबाई (L), गेट-स्रोत वोल्टेज (V_gs) & सीमा वोल्टेज (V_th) की आवश्यकता है। हमारे टूल के द्वारा, आपको चैनल की सतह पर इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता अर्धचालक सामग्री की सतह के माध्यम से स्थानांतरित होने या यात्रा करने की इलेक्ट्रॉनों की क्षमता को संदर्भित करती है, जैसे ट्रांजिस्टर में सिलिकॉन चैनल।, ऑक्साइड कैपेसिटेंस एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है जो एमओएस उपकरणों के प्रदर्शन को प्रभावित करता है, जैसे एकीकृत सर्किट की गति और बिजली की खपत।, चैनल की चौड़ाई वायरलेस संचार चैनल पर डेटा संचारित करने के लिए उपयोग की जाने वाली आवृत्तियों की सीमा को संदर्भित करती है। इसे बैंडविड्थ के रूप में भी जाना जाता है और इसे हर्ट्ज़ (हर्ट्ज) में मापा जाता है।, चैनल की लंबाई फ़ील्ड-इफ़ेक्ट ट्रांजिस्टर (FET) में स्रोत और ड्रेन टर्मिनलों के बीच की दूरी को संदर्भित करती है।, गेट-सोर्स वोल्टेज एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है जो FET के संचालन को प्रभावित करता है, और इसका उपयोग अक्सर डिवाइस के व्यवहार को नियंत्रित करने के लिए किया जाता है। & थ्रेशोल्ड वोल्टेज, जिसे गेट थ्रेशोल्ड वोल्टेज या केवल Vth के रूप में भी जाना जाता है, फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर के संचालन में एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है, जो आधुनिक इलेक्ट्रॉनिक्स में मूलभूत घटक हैं। के लिए संबंधित मान दर्ज करने और कैलकुलेट बटन को क्लिक करने की आवश्यकता है।

चैनल का संचालन की गणना करने के कितने तरीके हैं?

चैनल का संचालन चैनल की सतह पर इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता (μ_s), ऑक्साइड धारिता (C_ox), चैनल की चौड़ाई (W_c), चैनल की लंबाई (L), गेट-स्रोत वोल्टेज (V_gs) & सीमा वोल्टेज (V_th) का उपयोग करता है। हम गणना करने के 1 अन्य तरीकों का उपयोग कर सकते हैं, जो इस प्रकार हैं -

चैनल का संचालन = 1/रैखिक प्रतिरोध

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