कलेक्टर-बेस जंक्शन कैपेसिटेंस कैलकुलेटर

कलेक्टर-बेस जंक्शन कैपेसिटेंस को कलेक्टर-बेस जंक्शन कैपेसिटेंस फॉर्मूला को इसके प्रत्येक टर्मिनल (यानी, बेस, एमिटर, कलेक्टर) के बीच समाई के रूप में परिभाषित किया गया है। ये धारिता अंततः एम्पलीफायर बैंडविड्थ को सीमित करती है। यदि सिग्नल की आवृत्ति काफी अधिक हो जाती है, तो ये कैपेसिटेंस एम्पलीफायर प्रदर्शन को प्रभावित कर सकते हैं। Collector-Base Junction Capacitance = कलेक्टर-बेस जंक्शन कैपेसिटेंस 0 वोल्टेज पर/(1+(रिवर्स-बायस वोल्टेज/बिल्ट-इन वोल्टेज))^ग्रेडिंग गुणांक C_cb = C_cb0/(1+(V_DB/V_binc))^m के रूप में परिभाषित किया गया है। कलेक्टर-बेस जंक्शन कैपेसिटेंस की गणना करने के लिए, आपको कलेक्टर-बेस जंक्शन कैपेसिटेंस 0 वोल्टेज पर (C_cb0), रिवर्स-बायस वोल्टेज (V_DB), बिल्ट-इन वोल्टेज (V_binc) & ग्रेडिंग गुणांक (m) की आवश्यकता है। हमारे टूल के द्वारा, आपको 0 वोल्टेज पर कलेक्टर-बेस जंक्शन कैपेसिटेंस शून्य वोल्टेज पर कलेक्टर-बेस के जंक्शन पर कैपेसिटेंस है।, रिवर्स-बायस वोल्टेज का अर्थ है डायोड में वोल्टेज को विपरीत दिशा में लगाना।, अंतर्निर्मित वोल्टेज पी- और एन-टाइप सेमीकंडक्टर्स में शामिल होने से पहले फर्मी स्तरों का अंतर है। & ग्रेडिंग गुणांक छलनी विश्लेषण के माध्यम से ग्रेडेशन वक्र का उपयोग करके अनुमानित पैरामीटर है। के लिए संबंधित मान दर्ज करने और कैलकुलेट बटन को क्लिक करने की आवश्यकता है।