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चैनल प्रतिरोध कैलकुलेटर

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✖ट्रांजिस्टर की लंबाई MOSFET में चैनल क्षेत्र की लंबाई को संदर्भित करती है। यह आयाम ट्रांजिस्टर की विद्युत विशेषताओं और प्रदर्शन को निर्धारित करने में महत्वपूर्ण भूमिका निभाता है।ⓘ ट्रांजिस्टर की लंबाई [L_t]			+10% -10%
✖ट्रांजिस्टर की चौड़ाई MOSFET में चैनल क्षेत्र की चौड़ाई को संदर्भित करती है। यह आयाम ट्रांजिस्टर की विद्युत विशेषताओं और प्रदर्शन को निर्धारित करने में महत्वपूर्ण भूमिका निभाता है।ⓘ ट्रांजिस्टर की चौड़ाई [W_t]			+10% -10%
✖इलेक्ट्रॉन गतिशीलता बताती है कि विद्युत क्षेत्र की प्रतिक्रिया में इलेक्ट्रॉन कितनी तेजी से सामग्री के माध्यम से आगे बढ़ सकते हैं।ⓘ इलेक्ट्रॉन गतिशीलता [μ_n]			+10% -10%
✖वाहक घनत्व अर्धचालक चैनल में मौजूद आवेश वाहकों (इलेक्ट्रॉनों या छिद्रों) की संख्या को संदर्भित करता है।ⓘ वाहक घनत्व [Q_on]			+10% -10%

✖चैनल प्रतिरोध चैनल में अर्धचालक सामग्री द्वारा प्रस्तुत प्रतिरोध को संदर्भित करता है जिसके माध्यम से स्रोत और नाली टर्मिनलों के बीच धारा प्रवाहित होती है।ⓘ चैनल प्रतिरोध [R_ch]

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सूत्र

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चैनल प्रतिरोध

सूत्र

R ch = \frac{L t}{W t} \cdot \frac{1}{μ n \cdot Q on}

उदाहरण

3.463203 Ω = \frac{3.2 μm}{5.5 μm} \cdot \frac{1}{30 m²/V*s \cdot 0.0056 electrons/m³}

कैलकुलेटर

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रीसेट

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चैनल प्रतिरोध उपाय

चरण 0: पूर्व-गणना सारांश

प्रयुक्त सूत्र

चैनल प्रतिरोध = ट्रांजिस्टर की लंबाई/ट्रांजिस्टर की चौड़ाई*1/(इलेक्ट्रॉन गतिशीलता*वाहक घनत्व)
R_ch = L_t/W_t*1/(μ_n*Q_on)
यह सूत्र 5 वेरिएबल का उपयोग करता है

चर

चैनल प्रतिरोध - (में मापा गया ओम) - चैनल प्रतिरोध चैनल में अर्धचालक सामग्री द्वारा प्रस्तुत प्रतिरोध को संदर्भित करता है जिसके माध्यम से स्रोत और नाली टर्मिनलों के बीच धारा प्रवाहित होती है।
ट्रांजिस्टर की लंबाई - (में मापा गया मीटर) - ट्रांजिस्टर की लंबाई MOSFET में चैनल क्षेत्र की लंबाई को संदर्भित करती है। यह आयाम ट्रांजिस्टर की विद्युत विशेषताओं और प्रदर्शन को निर्धारित करने में महत्वपूर्ण भूमिका निभाता है।
ट्रांजिस्टर की चौड़ाई - (में मापा गया मीटर) - ट्रांजिस्टर की चौड़ाई MOSFET में चैनल क्षेत्र की चौड़ाई को संदर्भित करती है। यह आयाम ट्रांजिस्टर की विद्युत विशेषताओं और प्रदर्शन को निर्धारित करने में महत्वपूर्ण भूमिका निभाता है।
इलेक्ट्रॉन गतिशीलता - (में मापा गया वर्ग मीटर प्रति वोल्ट प्रति सेकंड) - इलेक्ट्रॉन गतिशीलता बताती है कि विद्युत क्षेत्र की प्रतिक्रिया में इलेक्ट्रॉन कितनी तेजी से सामग्री के माध्यम से आगे बढ़ सकते हैं।
वाहक घनत्व - (में मापा गया प्रति घन मीटर इलेक्ट्रॉन) - वाहक घनत्व अर्धचालक चैनल में मौजूद आवेश वाहकों (इलेक्ट्रॉनों या छिद्रों) की संख्या को संदर्भित करता है।

चरण 1: इनपुट को आधार इकाई में बदलें

ट्रांजिस्टर की लंबाई: 3.2 माइक्रोमीटर --> 3.2E-06 मीटर (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)
ट्रांजिस्टर की चौड़ाई: 5.5 माइक्रोमीटर --> 5.5E-06 मीटर (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)
इलेक्ट्रॉन गतिशीलता: 30 वर्ग मीटर प्रति वोल्ट प्रति सेकंड --> 30 वर्ग मीटर प्रति वोल्ट प्रति सेकंड कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
वाहक घनत्व: 0.0056 प्रति घन मीटर इलेक्ट्रॉन --> 0.0056 प्रति घन मीटर इलेक्ट्रॉन कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है

चरण 2: फॉर्मूला का मूल्यांकन करें

फॉर्मूला में इनपुट वैल्यू को तैयार करना

R_ch = L_t/W_t*1/(μ_n*Q_on) --> 3.2E-06/5.5E-06*1/(30*0.0056)

मूल्यांकन हो रहा है ... ...

R_ch = 3.46320346320346

चरण 3: परिणाम को आउटपुट की इकाई में बदलें

3.46320346320346 ओम --> कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है

आख़री जवाब

3.46320346320346 ≈ 3.463203 ओम <-- चैनल प्रतिरोध

(गणना 00.004 सेकंड में पूरी हुई)

आप यहाँ हैं -

होम » अभियांत्रिकी » इलेक्ट्रानिक्स » इंटीग्रेटेड सर्किट (आईसी) » एमओएस आईसी निर्माण » चैनल प्रतिरोध

क्रेडिट

के द्वारा बनाई गई भानुप्रकाश

दयानंद सागर कॉलेज ऑफ इंजीनियरिंग (डीएससीई), बैंगलोर

भानुप्रकाश ने इस कैलकुलेटर और 50+ अधिक कैलकुलेटर को बनाए है!

के द्वारा सत्यापित संतोष यादव

दयानंद सागर कॉलेज ऑफ इंजीनियरिंग (डीएससीई), बंगलोर

संतोष यादव ने इस कैलकुलेटर और 50+ को अधिक कैलकुलेटर से सत्यापित किया है!

< एमओएस आईसी निर्माण कैलक्युलेटर्स

MOSFET में शारीरिक प्रभाव

जाओ सब्सट्रेट के साथ थ्रेसहोल्ड वोल्टेज = शून्य बॉडी बायस के साथ थ्रेसहोल्ड वोल्टेज+शारीरिक प्रभाव पैरामीटर*(sqrt(2*थोक फर्मी क्षमता+शरीर पर लागू वोल्टेज)-sqrt(2*थोक फर्मी क्षमता))

संतृप्ति क्षेत्र में MOSFET का ड्रेन करंट

जाओ नाली का करंट = ट्रांसकंडक्टेंस पैरामीटर/2*(गेट स्रोत वोल्टेज-शून्य बॉडी बायस के साथ थ्रेसहोल्ड वोल्टेज)^2*(1+चैनल लंबाई मॉड्यूलेशन फैक्टर*नाली स्रोत वोल्टेज)

चैनल प्रतिरोध

जाओ चैनल प्रतिरोध = ट्रांजिस्टर की लंबाई/ट्रांजिस्टर की चौड़ाई*1/(इलेक्ट्रॉन गतिशीलता*वाहक घनत्व)

MOSFET एकता-लाभ आवृत्ति

जाओ MOSFET में यूनिटी गेन आवृत्ति = MOSFET में ट्रांसकंडक्टन्स/(गेट स्रोत धारिता+गेट ड्रेन कैपेसिटेंस)

और देखें >>

चैनल प्रतिरोध सूत्र

चैनल प्रतिरोध = ट्रांजिस्टर की लंबाई/ट्रांजिस्टर की चौड़ाई*1/(इलेक्ट्रॉन गतिशीलता*वाहक घनत्व)
R_ch = L_t/W_t*1/(μ_n*Q_on)

चैनल प्रतिरोध की गणना कैसे करें?

चैनल प्रतिरोध के लिए ऑनलाइन कैलकुलेटर पर, कृपया ट्रांजिस्टर की लंबाई (L_t), ट्रांजिस्टर की लंबाई MOSFET में चैनल क्षेत्र की लंबाई को संदर्भित करती है। यह आयाम ट्रांजिस्टर की विद्युत विशेषताओं और प्रदर्शन को निर्धारित करने में महत्वपूर्ण भूमिका निभाता है। के रूप में, ट्रांजिस्टर की चौड़ाई (W_t), ट्रांजिस्टर की चौड़ाई MOSFET में चैनल क्षेत्र की चौड़ाई को संदर्भित करती है। यह आयाम ट्रांजिस्टर की विद्युत विशेषताओं और प्रदर्शन को निर्धारित करने में महत्वपूर्ण भूमिका निभाता है। के रूप में, इलेक्ट्रॉन गतिशीलता (μ_n), इलेक्ट्रॉन गतिशीलता बताती है कि विद्युत क्षेत्र की प्रतिक्रिया में इलेक्ट्रॉन कितनी तेजी से सामग्री के माध्यम से आगे बढ़ सकते हैं। के रूप में & वाहक घनत्व (Q_on), वाहक घनत्व अर्धचालक चैनल में मौजूद आवेश वाहकों (इलेक्ट्रॉनों या छिद्रों) की संख्या को संदर्भित करता है। के रूप में डालें। कृपया चैनल प्रतिरोध गणना को पूर्ण करने के लिए कैलकुलेट बटन का उपयोग करें।

चैनल प्रतिरोध गणना

चैनल प्रतिरोध कैलकुलेटर, चैनल प्रतिरोध की गणना करने के लिए Channel Resistance = ट्रांजिस्टर की लंबाई/ट्रांजिस्टर की चौड़ाई*1/(इलेक्ट्रॉन गतिशीलता*वाहक घनत्व) का उपयोग करता है। चैनल प्रतिरोध R_ch को चैनल प्रतिरोध सूत्र को चैनल में अर्धचालक सामग्री के प्रतिरोध के रूप में परिभाषित किया गया है जिसके माध्यम से स्रोत और नाली टर्मिनलों के बीच धारा प्रवाहित होती है। के रूप में परिभाषित किया गया है। यहाँ चैनल प्रतिरोध गणना को संख्या में समझा जा सकता है - 3.463203 = 3.2E-06/5.5E-06*1/(30*0.0056). आप और अधिक चैनल प्रतिरोध उदाहरण यहाँ देख सकते हैं -

FAQ

चैनल प्रतिरोध क्या है?

चैनल प्रतिरोध चैनल प्रतिरोध सूत्र को चैनल में अर्धचालक सामग्री के प्रतिरोध के रूप में परिभाषित किया गया है जिसके माध्यम से स्रोत और नाली टर्मिनलों के बीच धारा प्रवाहित होती है। है और इसे R_ch = L_t/W_t*1/(μ_n*Q_on) या Channel Resistance = ट्रांजिस्टर की लंबाई/ट्रांजिस्टर की चौड़ाई*1/(इलेक्ट्रॉन गतिशीलता*वाहक घनत्व) के रूप में दर्शाया जाता है।

चैनल प्रतिरोध की गणना कैसे करें?

चैनल प्रतिरोध को चैनल प्रतिरोध सूत्र को चैनल में अर्धचालक सामग्री के प्रतिरोध के रूप में परिभाषित किया गया है जिसके माध्यम से स्रोत और नाली टर्मिनलों के बीच धारा प्रवाहित होती है। Channel Resistance = ट्रांजिस्टर की लंबाई/ट्रांजिस्टर की चौड़ाई*1/(इलेक्ट्रॉन गतिशीलता*वाहक घनत्व) R_ch = L_t/W_t*1/(μ_n*Q_on) के रूप में परिभाषित किया गया है। चैनल प्रतिरोध की गणना करने के लिए, आपको ट्रांजिस्टर की लंबाई (L_t), ट्रांजिस्टर की चौड़ाई (W_t), इलेक्ट्रॉन गतिशीलता (μ_n) & वाहक घनत्व (Q_on) की आवश्यकता है। हमारे टूल के द्वारा, आपको ट्रांजिस्टर की लंबाई MOSFET में चैनल क्षेत्र की लंबाई को संदर्भित करती है। यह आयाम ट्रांजिस्टर की विद्युत विशेषताओं और प्रदर्शन को निर्धारित करने में महत्वपूर्ण भूमिका निभाता है।, ट्रांजिस्टर की चौड़ाई MOSFET में चैनल क्षेत्र की चौड़ाई को संदर्भित करती है। यह आयाम ट्रांजिस्टर की विद्युत विशेषताओं और प्रदर्शन को निर्धारित करने में महत्वपूर्ण भूमिका निभाता है।, इलेक्ट्रॉन गतिशीलता बताती है कि विद्युत क्षेत्र की प्रतिक्रिया में इलेक्ट्रॉन कितनी तेजी से सामग्री के माध्यम से आगे बढ़ सकते हैं। & वाहक घनत्व अर्धचालक चैनल में मौजूद आवेश वाहकों (इलेक्ट्रॉनों या छिद्रों) की संख्या को संदर्भित करता है। के लिए संबंधित मान दर्ज करने और कैलकुलेट बटन को क्लिक करने की आवश्यकता है।

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