एलसीएम कैलकुलेटर

सेल कैपेसिटेंस कैलकुलेटर

अभियांत्रिकी खेल का मैदान गणित भौतिक विज्ञान अधिक >>

↳

इलेक्ट्रानिक्स इलेक्ट्रॉनिक्स और इंस्ट्रूमेंटेशन नागरिक निर्माण इंजीनियरिंग अधिक >>

⤿

सीएमओएस डिज़ाइन और अनुप्रयोग अंकीय संचार अंतःस्थापित प्रणाली आरएफ माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक्स अधिक >>

⤿

ऐरे डेटापथ सबसिस्टम सीएमओएस इनवर्टर सीएमओएस डिज़ाइन विशेषताएँ सीएमओएस पावर मेट्रिक्स अधिक >>

✖बिट कैपेसिटेंस cmos vlsi में एक बिट की कैपेसिटेंस है।ⓘ बिट कैपेसिटेंस [C_bit]			+10% -10%
✖बिटलाइन पर वोल्टेज स्विंग को पूर्ण-स्विंग स्थानीय बिटलाइन एसआरएएम आर्किटेक्चर के रूप में परिभाषित किया गया है, जो कम-वोल्टेज ऑपरेशन के लिए 22-एनएम फिनफेट तकनीक पर आधारित है।ⓘ बिटलाइन पर वोल्टेज स्विंग [ΔV]			+10% -10%
✖सकारात्मक वोल्टेज को उस वोल्टेज के रूप में परिभाषित किया जाता है जिसकी गणना तब की जाती है जब सर्किट बिजली आपूर्ति से जुड़ा होता है। इसे आमतौर पर सर्किट की वीडीडी या बिजली आपूर्ति कहा जाता है।ⓘ सकारात्मक वोल्टेज [V_dd]			+10% -10%

✖सेल कैपेसिटेंस व्यक्तिगत सेल की कैपेसिटेंस है।ⓘ सेल कैपेसिटेंस [C_cell]

⎘ कॉपी

👎

सूत्र

✖

सेल कैपेसिटेंस

सूत्र

C cell = \frac{C bit \cdot 2 \cdot ΔV}{V dd - (ΔV \cdot 2)}

उदाहरण

5.976552 pF = \frac{12.38 pF \cdot 2 \cdot 0.42 V}{2.58 V - (0.42 V \cdot 2)}

कैलकुलेटर

LaTeX

रीसेट

👍

डाउनलोड करना ऐरे डेटापथ सबसिस्टम सूत्र पीडीएफ PDF Image

सेल कैपेसिटेंस उपाय

चरण 0: पूर्व-गणना सारांश

प्रयुक्त सूत्र

सेल कैपेसिटेंस = (बिट कैपेसिटेंस*2*बिटलाइन पर वोल्टेज स्विंग)/(सकारात्मक वोल्टेज-(बिटलाइन पर वोल्टेज स्विंग*2))
C_cell = (C_bit*2*ΔV)/(V_dd-(ΔV*2))
यह सूत्र 4 वेरिएबल का उपयोग करता है

चर

सेल कैपेसिटेंस - (में मापा गया फैरड) - सेल कैपेसिटेंस व्यक्तिगत सेल की कैपेसिटेंस है।
बिट कैपेसिटेंस - (में मापा गया फैरड) - बिट कैपेसिटेंस cmos vlsi में एक बिट की कैपेसिटेंस है।
बिटलाइन पर वोल्टेज स्विंग - (में मापा गया वोल्ट) - बिटलाइन पर वोल्टेज स्विंग को पूर्ण-स्विंग स्थानीय बिटलाइन एसआरएएम आर्किटेक्चर के रूप में परिभाषित किया गया है, जो कम-वोल्टेज ऑपरेशन के लिए 22-एनएम फिनफेट तकनीक पर आधारित है।
सकारात्मक वोल्टेज - (में मापा गया वोल्ट) - सकारात्मक वोल्टेज को उस वोल्टेज के रूप में परिभाषित किया जाता है जिसकी गणना तब की जाती है जब सर्किट बिजली आपूर्ति से जुड़ा होता है। इसे आमतौर पर सर्किट की वीडीडी या बिजली आपूर्ति कहा जाता है।

चरण 1: इनपुट को आधार इकाई में बदलें

बिट कैपेसिटेंस: 12.38 पीकोफैरड --> 1.238E-11 फैरड (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)
बिटलाइन पर वोल्टेज स्विंग: 0.42 वोल्ट --> 0.42 वोल्ट कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
सकारात्मक वोल्टेज: 2.58 वोल्ट --> 2.58 वोल्ट कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है

चरण 2: फॉर्मूला का मूल्यांकन करें

फॉर्मूला में इनपुट वैल्यू को तैयार करना

C_cell = (C_bit*2*ΔV)/(V_dd-(ΔV*2)) --> (1.238E-11*2*0.42)/(2.58-(0.42*2))

मूल्यांकन हो रहा है ... ...

C_cell = 5.97655172413793E-12

चरण 3: परिणाम को आउटपुट की इकाई में बदलें

5.97655172413793E-12 फैरड -->5.97655172413793 पीकोफैरड (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)

आख़री जवाब

5.97655172413793 ≈ 5.976552 पीकोफैरड <-- सेल कैपेसिटेंस

(गणना 00.020 सेकंड में पूरी हुई)

आप यहाँ हैं -

होम » अभियांत्रिकी » इलेक्ट्रानिक्स » सीएमओएस डिज़ाइन और अनुप्रयोग » ऐरे डेटापथ सबसिस्टम » सेल कैपेसिटेंस

क्रेडिट

के द्वारा बनाई गई शोभित डिमरी

बिपिन त्रिपाठी कुमाऊँ प्रौद्योगिकी संस्थान (BTKIT), द्वाराहाट

शोभित डिमरी ने इस कैलकुलेटर और 900+ अधिक कैलकुलेटर को बनाए है!

के द्वारा सत्यापित उर्वी राठौड़

विश्वकर्मा गवर्नमेंट इंजीनियरिंग कॉलेज (वीजीईसी), अहमदाबाद

उर्वी राठौड़ ने इस कैलकुलेटर और 1900+ को अधिक कैलकुलेटर से सत्यापित किया है!

< ऐरे डेटापथ सबसिस्टम कैलक्युलेटर्स

ग्राउंड कैपेसिटेंस

जाओ ग्राउंड कैपेसिटेंस = ((आक्रामक वोल्टेज*आसन्न धारिता)/पीड़ित वोल्टेज)-आसन्न धारिता

'XOR' विलंब

जाओ एक्सओआर विलंब = तरंग समय-(प्रचार देरी+(क्रिटिकल पाथ पर गेट्स-1)*और-या गेट विलंब)

कैरी-रिपल एडर क्रिटिकल पाथ डिले

जाओ तरंग समय = प्रचार देरी+(क्रिटिकल पाथ पर गेट्स-1)*और-या गेट विलंब+एक्सओआर विलंब

एन-बिट कैरी-स्किप एडर

जाओ एन-बिट कैरी स्किप एडर = एन-इनपुट और गेट*के-इनपुट और गेट

और देखें >>

सेल कैपेसिटेंस सूत्र

सेल कैपेसिटेंस = (बिट कैपेसिटेंस*2*बिटलाइन पर वोल्टेज स्विंग)/(सकारात्मक वोल्टेज-(बिटलाइन पर वोल्टेज स्विंग*2))
C_cell = (C_bit*2*ΔV)/(V_dd-(ΔV*2))

डायनेमिक रैम या डीआरएएम में विभिन्न कैपेसिटेंस कैसे भिन्न होते हैं?

अच्छा घनत्व प्राप्त करने के लिए DRAM कैपेसिटर Ccell शारीरिक रूप से जितना संभव हो उतना छोटा होना चाहिए। हालाँकि, बिटलाइन का कई DRAM कोशिकाओं से संपर्क होता है और इसमें अपेक्षाकृत बड़ी धारिता Cbit होती है। इसलिए, सेल कैपेसिटेंस आमतौर पर बिटलाइन कैपेसिटेंस से बहुत छोटा होता है। एक उचित वोल्टेज स्विंग प्रदान करने के लिए एक बड़ी सेल कैपेसिटेंस महत्वपूर्ण है। सेल की सामग्री को स्वीकार्य रूप से लंबे समय तक बनाए रखना और सॉफ्ट त्रुटियों को कम करना भी आवश्यक है।

सेल कैपेसिटेंस की गणना कैसे करें?

सेल कैपेसिटेंस के लिए ऑनलाइन कैलकुलेटर पर, कृपया बिट कैपेसिटेंस (C_bit), बिट कैपेसिटेंस cmos vlsi में एक बिट की कैपेसिटेंस है। के रूप में, बिटलाइन पर वोल्टेज स्विंग (ΔV), बिटलाइन पर वोल्टेज स्विंग को पूर्ण-स्विंग स्थानीय बिटलाइन एसआरएएम आर्किटेक्चर के रूप में परिभाषित किया गया है, जो कम-वोल्टेज ऑपरेशन के लिए 22-एनएम फिनफेट तकनीक पर आधारित है। के रूप में & सकारात्मक वोल्टेज (V_dd), सकारात्मक वोल्टेज को उस वोल्टेज के रूप में परिभाषित किया जाता है जिसकी गणना तब की जाती है जब सर्किट बिजली आपूर्ति से जुड़ा होता है। इसे आमतौर पर सर्किट की वीडीडी या बिजली आपूर्ति कहा जाता है। के रूप में डालें। कृपया सेल कैपेसिटेंस गणना को पूर्ण करने के लिए कैलकुलेट बटन का उपयोग करें।

सेल कैपेसिटेंस गणना

सेल कैपेसिटेंस कैलकुलेटर, सेल कैपेसिटेंस की गणना करने के लिए Cell Capacitance = (बिट कैपेसिटेंस*2*बिटलाइन पर वोल्टेज स्विंग)/(सकारात्मक वोल्टेज-(बिटलाइन पर वोल्टेज स्विंग*2)) का उपयोग करता है। सेल कैपेसिटेंस C_cell को सेल कैपेसिटेंस फॉर्मूला को परिभाषित किया जाता है कि झिल्ली क्षमता कितनी जल्दी वर्तमान में बदलाव का जवाब दे सकती है। एक संधारित्र एक सेल के मामले में एक इन्सुलेटर द्वारा अलग किए गए दो संचालन सामग्री से बना होता है, बाह्य और इंट्रासेल्युलर तरल पदार्थ कंडक्टर होते हैं, और लिपिड झिल्ली इन्सुलेटर होता है। के रूप में परिभाषित किया गया है। यहाँ सेल कैपेसिटेंस गणना को संख्या में समझा जा सकता है - 6E+12 = (1.238E-11*2*0.42)/(2.58-(0.42*2)). आप और अधिक सेल कैपेसिटेंस उदाहरण यहाँ देख सकते हैं -

FAQ

सेल कैपेसिटेंस क्या है?

सेल कैपेसिटेंस सेल कैपेसिटेंस फॉर्मूला को परिभाषित किया जाता है कि झिल्ली क्षमता कितनी जल्दी वर्तमान में बदलाव का जवाब दे सकती है। एक संधारित्र एक सेल के मामले में एक इन्सुलेटर द्वारा अलग किए गए दो संचालन सामग्री से बना होता है, बाह्य और इंट्रासेल्युलर तरल पदार्थ कंडक्टर होते हैं, और लिपिड झिल्ली इन्सुलेटर होता है। है और इसे C_cell = (C_bit*2*ΔV)/(V_dd-(ΔV*2)) या Cell Capacitance = (बिट कैपेसिटेंस*2*बिटलाइन पर वोल्टेज स्विंग)/(सकारात्मक वोल्टेज-(बिटलाइन पर वोल्टेज स्विंग*2)) के रूप में दर्शाया जाता है।

सेल कैपेसिटेंस की गणना कैसे करें?

सेल कैपेसिटेंस को सेल कैपेसिटेंस फॉर्मूला को परिभाषित किया जाता है कि झिल्ली क्षमता कितनी जल्दी वर्तमान में बदलाव का जवाब दे सकती है। एक संधारित्र एक सेल के मामले में एक इन्सुलेटर द्वारा अलग किए गए दो संचालन सामग्री से बना होता है, बाह्य और इंट्रासेल्युलर तरल पदार्थ कंडक्टर होते हैं, और लिपिड झिल्ली इन्सुलेटर होता है। Cell Capacitance = (बिट कैपेसिटेंस*2*बिटलाइन पर वोल्टेज स्विंग)/(सकारात्मक वोल्टेज-(बिटलाइन पर वोल्टेज स्विंग*2)) C_cell = (C_bit*2*ΔV)/(V_dd-(ΔV*2)) के रूप में परिभाषित किया गया है। सेल कैपेसिटेंस की गणना करने के लिए, आपको बिट कैपेसिटेंस (C_bit), बिटलाइन पर वोल्टेज स्विंग (ΔV) & सकारात्मक वोल्टेज (V_dd) की आवश्यकता है। हमारे टूल के द्वारा, आपको बिट कैपेसिटेंस cmos vlsi में एक बिट की कैपेसिटेंस है।, बिटलाइन पर वोल्टेज स्विंग को पूर्ण-स्विंग स्थानीय बिटलाइन एसआरएएम आर्किटेक्चर के रूप में परिभाषित किया गया है, जो कम-वोल्टेज ऑपरेशन के लिए 22-एनएम फिनफेट तकनीक पर आधारित है। & सकारात्मक वोल्टेज को उस वोल्टेज के रूप में परिभाषित किया जाता है जिसकी गणना तब की जाती है जब सर्किट बिजली आपूर्ति से जुड़ा होता है। इसे आमतौर पर सर्किट की वीडीडी या बिजली आपूर्ति कहा जाता है। के लिए संबंधित मान दर्ज करने और कैलकुलेट बटन को क्लिक करने की आवश्यकता है।

होम

मुक्त पीडीएफ़

🔍 खोज

श्रेणियाँ

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!