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✖प्रभावी धारिता, शेरिंग ब्रिज की तीसरी भुजा के बीच परिणामी धारिता तथा नमूने और परावैद्युत के बीच स्थान के कारण धारिता है।ⓘ प्रभावी धारिता [C]			+10% -10%
✖नमूना धारिता को दिए गए नमूने या दिए गए इलेक्ट्रॉनिक घटक की धारिता के रूप में परिभाषित किया जाता है।ⓘ नमूना धारिता [C_s]			+10% -10%

✖नमूने और परावैद्युत के बीच धारिता, नमूने और परावैद्युत पदार्थ के बीच स्थान के कारण धारिता है।ⓘ नमूना और डाइलेक्ट्रिक के बीच अंतरिक्ष के कारण समाई [C_o]

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सूत्र

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नमूना और डाइलेक्ट्रिक के बीच अंतरिक्ष के कारण समाई उपाय

चरण 0: पूर्व-गणना सारांश

प्रयुक्त सूत्र

नमूना और परावैद्युत के बीच धारिता = (प्रभावी धारिता*नमूना धारिता)/(नमूना धारिता-प्रभावी धारिता)
C_o = (C*C_s)/(C_s-C)
यह सूत्र 3 वेरिएबल का उपयोग करता है

चर

नमूना और परावैद्युत के बीच धारिता - (में मापा गया फैरड) - नमूने और परावैद्युत के बीच धारिता, नमूने और परावैद्युत पदार्थ के बीच स्थान के कारण धारिता है।
प्रभावी धारिता - (में मापा गया फैरड) - प्रभावी धारिता, शेरिंग ब्रिज की तीसरी भुजा के बीच परिणामी धारिता तथा नमूने और परावैद्युत के बीच स्थान के कारण धारिता है।
नमूना धारिता - (में मापा गया फैरड) - नमूना धारिता को दिए गए नमूने या दिए गए इलेक्ट्रॉनिक घटक की धारिता के रूप में परिभाषित किया जाता है।

चरण 1: इनपुट को आधार इकाई में बदलें

प्रभावी धारिता: 2.71 माइक्रोफ़ारड --> 2.71E-06 फैरड (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)
नमूना धारिता: 6.4 माइक्रोफ़ारड --> 6.4E-06 फैरड (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)

चरण 2: फॉर्मूला का मूल्यांकन करें

फॉर्मूला में इनपुट वैल्यू को तैयार करना

C_o = (C*C_s)/(C_s-C) --> (2.71E-06*6.4E-06)/(6.4E-06-2.71E-06)

मूल्यांकन हो रहा है ... ...

C_o = 4.70027100271003E-06

चरण 3: परिणाम को आउटपुट की इकाई में बदलें

4.70027100271003E-06 फैरड -->4.70027100271003 माइक्रोफ़ारड (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)

आख़री जवाब

4.70027100271003 ≈ 4.700271 माइक्रोफ़ारड <-- नमूना और परावैद्युत के बीच धारिता

(गणना 00.020 सेकंड में पूरी हुई)

आप यहाँ हैं -

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क्रेडिट

के द्वारा बनाई गई शोभित डिमरी

बिपिन त्रिपाठी कुमाऊँ प्रौद्योगिकी संस्थान (BTKIT), द्वाराहाट

शोभित डिमरी ने इस कैलकुलेटर और 900+ अधिक कैलकुलेटर को बनाए है!

के द्वारा सत्यापित उर्वी राठौड़

विश्वकर्मा गवर्नमेंट इंजीनियरिंग कॉलेज (वीजीईसी), अहमदाबाद

उर्वी राठौड़ ने इस कैलकुलेटर और 1900+ को अधिक कैलकुलेटर से सत्यापित किया है!

< शेरिंग ब्रिज कैलक्युलेटर्स

शेरिंग ब्रिज में इलेक्ट्रोड का प्रभावी क्षेत्र

LaTeX जाओ इलेक्ट्रोड प्रभावी क्षेत्र = (नमूना धारिता*इलेक्ट्रोडों के बीच की दूरी)/(सापेक्ष पारगम्यता*[Permitivity-vacuum])

शेरिंग ब्रिज में अज्ञात प्रतिरोध

LaTeX जाओ शेरिंग ब्रिज में श्रृंखला प्रतिरोध 1 = (शेरिंग ब्रिज में ज्ञात धारिता 4/शेरिंग ब्रिज में ज्ञात धारिता 2)*शेरिंग ब्रिज में ज्ञात प्रतिरोध 3

शेरिंग ब्रिज में अज्ञात धारिता

LaTeX जाओ शेरिंग ब्रिज में अज्ञात धारिता = (शेरिंग ब्रिज में ज्ञात प्रतिरोध 4/शेरिंग ब्रिज में ज्ञात प्रतिरोध 3)*शेरिंग ब्रिज में ज्ञात धारिता 2

शेरिंग ब्रिज में अपव्यय कारक

LaTeX जाओ शेरिंग ब्रिज में अपव्यय कारक = कोणीय आवृत्ति*शेरिंग ब्रिज में ज्ञात धारिता 4*शेरिंग ब्रिज में ज्ञात प्रतिरोध 4

और देखें >>

नमूना और डाइलेक्ट्रिक के बीच अंतरिक्ष के कारण समाई सूत्र

LaTeX जाओ

नमूना और परावैद्युत के बीच धारिता = (प्रभावी धारिता*नमूना धारिता)/(नमूना धारिता-प्रभावी धारिता)
C_o = (C*C_s)/(C_s-C)

शेरिंग ब्रिज क्या है?

शेरिंग ब्रिज एक एसी (अल्टरनेटिंग करंट) ब्रिज सर्किट है जिसका उपयोग कैपेसिटर की कैपेसिटेंस और डिसिपेशन फैक्टर (डाइइलेक्ट्रिक लॉस) को मापने के लिए किया जाता है। यह विशेष रूप से उच्च-वोल्टेज कैपेसिटर और इन्सुलेटिंग सामग्रियों की गुणवत्ता के परीक्षण के लिए उपयोगी है।

नमूना और डाइलेक्ट्रिक के बीच अंतरिक्ष के कारण समाई की गणना कैसे करें?

नमूना और डाइलेक्ट्रिक के बीच अंतरिक्ष के कारण समाई के लिए ऑनलाइन कैलकुलेटर पर, कृपया प्रभावी धारिता (C), प्रभावी धारिता, शेरिंग ब्रिज की तीसरी भुजा के बीच परिणामी धारिता तथा नमूने और परावैद्युत के बीच स्थान के कारण धारिता है। के रूप में & नमूना धारिता (C_s), नमूना धारिता को दिए गए नमूने या दिए गए इलेक्ट्रॉनिक घटक की धारिता के रूप में परिभाषित किया जाता है। के रूप में डालें। कृपया नमूना और डाइलेक्ट्रिक के बीच अंतरिक्ष के कारण समाई गणना को पूर्ण करने के लिए कैलकुलेट बटन का उपयोग करें।

नमूना और डाइलेक्ट्रिक के बीच अंतरिक्ष के कारण समाई गणना

नमूना और डाइलेक्ट्रिक के बीच अंतरिक्ष के कारण समाई कैलकुलेटर, नमूना और परावैद्युत के बीच धारिता की गणना करने के लिए Capacitance between Specimen and Dielectric = (प्रभावी धारिता*नमूना धारिता)/(नमूना धारिता-प्रभावी धारिता) का उपयोग करता है। नमूना और डाइलेक्ट्रिक के बीच अंतरिक्ष के कारण समाई C_o को नमूने और परावैद्युत के बीच स्थान के कारण धारिता सूत्र को समानांतर प्लेट संधारित्र और परावैद्युत पदार्थ के प्लेट एक के बीच मौजूद स्थान के बीच धारिता के रूप में परिभाषित किया गया है। के रूप में परिभाषित किया गया है। यहाँ नमूना और डाइलेक्ट्रिक के बीच अंतरिक्ष के कारण समाई गणना को संख्या में समझा जा सकता है - -50939.849624 = (2.71E-06*6.4E-06)/(6.4E-06-2.71E-06). आप और अधिक नमूना और डाइलेक्ट्रिक के बीच अंतरिक्ष के कारण समाई उदाहरण यहाँ देख सकते हैं -

FAQ

नमूना और डाइलेक्ट्रिक के बीच अंतरिक्ष के कारण समाई क्या है?

नमूना और डाइलेक्ट्रिक के बीच अंतरिक्ष के कारण समाई नमूने और परावैद्युत के बीच स्थान के कारण धारिता सूत्र को समानांतर प्लेट संधारित्र और परावैद्युत पदार्थ के प्लेट एक के बीच मौजूद स्थान के बीच धारिता के रूप में परिभाषित किया गया है। है और इसे C_o = (C*C_s)/(C_s-C) या Capacitance between Specimen and Dielectric = (प्रभावी धारिता*नमूना धारिता)/(नमूना धारिता-प्रभावी धारिता) के रूप में दर्शाया जाता है।

नमूना और डाइलेक्ट्रिक के बीच अंतरिक्ष के कारण समाई की गणना कैसे करें?

नमूना और डाइलेक्ट्रिक के बीच अंतरिक्ष के कारण समाई को नमूने और परावैद्युत के बीच स्थान के कारण धारिता सूत्र को समानांतर प्लेट संधारित्र और परावैद्युत पदार्थ के प्लेट एक के बीच मौजूद स्थान के बीच धारिता के रूप में परिभाषित किया गया है। Capacitance between Specimen and Dielectric = (प्रभावी धारिता*नमूना धारिता)/(नमूना धारिता-प्रभावी धारिता) C_o = (C*C_s)/(C_s-C) के रूप में परिभाषित किया गया है। नमूना और डाइलेक्ट्रिक के बीच अंतरिक्ष के कारण समाई की गणना करने के लिए, आपको प्रभावी धारिता (C) & नमूना धारिता (C_s) की आवश्यकता है। हमारे टूल के द्वारा, आपको प्रभावी धारिता, शेरिंग ब्रिज की तीसरी भुजा के बीच परिणामी धारिता तथा नमूने और परावैद्युत के बीच स्थान के कारण धारिता है। & नमूना धारिता को दिए गए नमूने या दिए गए इलेक्ट्रॉनिक घटक की धारिता के रूप में परिभाषित किया जाता है। के लिए संबंधित मान दर्ज करने और कैलकुलेट बटन को क्लिक करने की आवश्यकता है।

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