क्लिस्ट्रॉन का बंचिंग पैरामीटर कैलकुलेटर

क्लिस्ट्रॉन का बंचिंग पैरामीटर को Klystron सूत्र के बंचिंग पैरामीटर को RF सिग्नल की अवधि के लिए इलेक्ट्रॉन बंच की लंबाई के अनुपात के रूप में परिभाषित किया गया है। यह a एक आयामहीन मात्रा है जो एक क्लाइस्ट्रॉन के इनपुट कैविटी में इलेक्ट्रॉन बंचिंग की डिग्री का वर्णन करता है। Bunching Parameter = (बीम युग्मन गुणांक*इनपुट सिग्नल आयाम*कोणीय भिन्नता)/(2*कैथोड बंचर वोल्टेज) X = (β_i*V_in*θ_o)/(2*V_o) के रूप में परिभाषित किया गया है। क्लिस्ट्रॉन का बंचिंग पैरामीटर की गणना करने के लिए, आपको बीम युग्मन गुणांक (β_i), इनपुट सिग्नल आयाम (V_in), कोणीय भिन्नता (θ_o) & कैथोड बंचर वोल्टेज (V_o) की आवश्यकता है। हमारे टूल के द्वारा, आपको बीम युग्मन गुणांक एक गुंजयमान गुहा में एक इलेक्ट्रॉन किरण और एक विद्युत चुम्बकीय तरंग के बीच बातचीत का एक माप है।, इनपुट सिग्नल आयाम इनपुट सिग्नल का अधिकतम आयाम या शिखर मूल्य है, जो आमतौर पर एक साइनसॉइडल सिग्नल होता है, और संदर्भ स्तर के सापेक्ष वोल्ट या डेसीबल की इकाइयों में मापा जाता है।, कोणीय भिन्नता किसी प्रणाली की कुछ भौतिक संपत्ति में परिवर्तन को संदर्भित करती है क्योंकि अवलोकन या माप का कोण बदल जाता है। & कैथोड बंचर वोल्टेज एक क्लिस्ट्रॉन ट्यूब के कैथोड पर एक गुच्छित इलेक्ट्रॉन किरण उत्पन्न करने के लिए लगाया जाने वाला वोल्टेज है जो माइक्रोवेव पावर का उत्पादन करने के लिए क्लिस्ट्रॉन की गुंजयमान गुहा के साथ संपर्क करता है। के लिए संबंधित मान दर्ज करने और कैलकुलेट बटन को क्लिक करने की आवश्यकता है।