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✖सकारात्मक वोल्टेज को उस वोल्टेज के रूप में परिभाषित किया जाता है जिसकी गणना तब की जाती है जब सर्किट बिजली आपूर्ति से जुड़ा होता है। इसे आमतौर पर सर्किट की वीडीडी या बिजली आपूर्ति कहा जाता है।ⓘ सकारात्मक वोल्टेज [V_dd]			+10% -10%
✖सेल कैपेसिटेंस व्यक्तिगत सेल की कैपेसिटेंस है।ⓘ सेल कैपेसिटेंस [C_cell]			+10% -10%
✖बिटलाइन पर वोल्टेज स्विंग को पूर्ण-स्विंग स्थानीय बिटलाइन एसआरएएम आर्किटेक्चर के रूप में परिभाषित किया गया है, जो कम-वोल्टेज ऑपरेशन के लिए 22-एनएम फिनफेट तकनीक पर आधारित है।ⓘ बिटलाइन पर वोल्टेज स्विंग [ΔV]			+10% -10%

✖बिट कैपेसिटेंस cmos vlsi में एक बिट की कैपेसिटेंस है।ⓘ बिट कैपेसिटेंस [C_bit]

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बिट कैपेसिटेंस उपाय

चरण 0: पूर्व-गणना सारांश

प्रयुक्त सूत्र

बिट कैपेसिटेंस = ((सकारात्मक वोल्टेज*सेल कैपेसिटेंस)/(2*बिटलाइन पर वोल्टेज स्विंग))-सेल कैपेसिटेंस
C_bit = ((V_dd*C_cell)/(2*ΔV))-C_cell
यह सूत्र 4 वेरिएबल का उपयोग करता है

चर

बिट कैपेसिटेंस - (में मापा गया फैरड) - बिट कैपेसिटेंस cmos vlsi में एक बिट की कैपेसिटेंस है।
सकारात्मक वोल्टेज - (में मापा गया वोल्ट) - सकारात्मक वोल्टेज को उस वोल्टेज के रूप में परिभाषित किया जाता है जिसकी गणना तब की जाती है जब सर्किट बिजली आपूर्ति से जुड़ा होता है। इसे आमतौर पर सर्किट की वीडीडी या बिजली आपूर्ति कहा जाता है।
सेल कैपेसिटेंस - (में मापा गया फैरड) - सेल कैपेसिटेंस व्यक्तिगत सेल की कैपेसिटेंस है।
बिटलाइन पर वोल्टेज स्विंग - (में मापा गया वोल्ट) - बिटलाइन पर वोल्टेज स्विंग को पूर्ण-स्विंग स्थानीय बिटलाइन एसआरएएम आर्किटेक्चर के रूप में परिभाषित किया गया है, जो कम-वोल्टेज ऑपरेशन के लिए 22-एनएम फिनफेट तकनीक पर आधारित है।

चरण 1: इनपुट को आधार इकाई में बदलें

सकारात्मक वोल्टेज: 2.58 वोल्ट --> 2.58 वोल्ट कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
सेल कैपेसिटेंस: 5.98 पीकोफैरड --> 5.98E-12 फैरड (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)
बिटलाइन पर वोल्टेज स्विंग: 0.42 वोल्ट --> 0.42 वोल्ट कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है

चरण 2: फॉर्मूला का मूल्यांकन करें

फॉर्मूला में इनपुट वैल्यू को तैयार करना

C_bit = ((V_dd*C_cell)/(2*ΔV))-C_cell --> ((2.58*5.98E-12)/(2*0.42))-5.98E-12

मूल्यांकन हो रहा है ... ...

C_bit = 1.23871428571429E-11

चरण 3: परिणाम को आउटपुट की इकाई में बदलें

1.23871428571429E-11 फैरड -->12.3871428571429 पीकोफैरड (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)

आख़री जवाब

12.3871428571429 ≈ 12.38714 पीकोफैरड <-- बिट कैपेसिटेंस

(गणना 00.020 सेकंड में पूरी हुई)

आप यहाँ हैं -

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क्रेडिट

के द्वारा बनाई गई शोभित डिमरी

बिपिन त्रिपाठी कुमाऊँ प्रौद्योगिकी संस्थान (BTKIT), द्वाराहाट

शोभित डिमरी ने इस कैलकुलेटर और 900+ अधिक कैलकुलेटर को बनाए है!

के द्वारा सत्यापित उर्वी राठौड़

विश्वकर्मा गवर्नमेंट इंजीनियरिंग कॉलेज (वीजीईसी), अहमदाबाद

उर्वी राठौड़ ने इस कैलकुलेटर और 1900+ को अधिक कैलकुलेटर से सत्यापित किया है!

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ग्राउंड कैपेसिटेंस

LaTeX जाओ ग्राउंड कैपेसिटेंस = ((आक्रामक वोल्टेज*आसन्न धारिता)/पीड़ित वोल्टेज)-आसन्न धारिता

'XOR' विलंब

LaTeX जाओ एक्सओआर विलंब = तरंग समय-(प्रचार देरी+(क्रिटिकल पाथ पर गेट्स-1)*और-या गेट विलंब)

कैरी-रिपल एडर क्रिटिकल पाथ डिले

LaTeX जाओ तरंग समय = प्रचार देरी+(क्रिटिकल पाथ पर गेट्स-1)*और-या गेट विलंब+एक्सओआर विलंब

एन-बिट कैरी-स्किप एडर

LaTeX जाओ एन-बिट कैरी स्किप एडर = एन-इनपुट और गेट*के-इनपुट और गेट

और देखें >>

बिट कैपेसिटेंस सूत्र

LaTeX जाओ

बिट कैपेसिटेंस = ((सकारात्मक वोल्टेज*सेल कैपेसिटेंस)/(2*बिटलाइन पर वोल्टेज स्विंग))-सेल कैपेसिटेंस
C_bit = ((V_dd*C_cell)/(2*ΔV))-C_cell

डायनेमिक रैम या डीआरएएम में विभिन्न कैपेसिटेंस कैसे भिन्न होते हैं?

अच्छा घनत्व प्राप्त करने के लिए DRAM कैपेसिटर सेल यथासंभव भौतिक रूप से छोटा होना चाहिए। हालाँकि, बिट लाइन कई DRAM कोशिकाओं से संपर्क करती है और इसमें अपेक्षाकृत बड़ी कैपेसिटेंस C बिट होती है। इसलिए, सेल कैपेसिटेंस आमतौर पर बिट लाइन कैपेसिटेंस से बहुत छोटा होता है। उचित वोल्टेज स्विंग प्रदान करने के लिए एक बड़ी सेल कैपेसिटेंस महत्वपूर्ण है। सेल की सामग्री को स्वीकार्य रूप से लंबे समय तक बनाए रखना और सॉफ्ट त्रुटियों को कम करना भी आवश्यक है।

बिट कैपेसिटेंस की गणना कैसे करें?

बिट कैपेसिटेंस के लिए ऑनलाइन कैलकुलेटर पर, कृपया सकारात्मक वोल्टेज (V_dd), सकारात्मक वोल्टेज को उस वोल्टेज के रूप में परिभाषित किया जाता है जिसकी गणना तब की जाती है जब सर्किट बिजली आपूर्ति से जुड़ा होता है। इसे आमतौर पर सर्किट की वीडीडी या बिजली आपूर्ति कहा जाता है। के रूप में, सेल कैपेसिटेंस (C_cell), सेल कैपेसिटेंस व्यक्तिगत सेल की कैपेसिटेंस है। के रूप में & बिटलाइन पर वोल्टेज स्विंग (ΔV), बिटलाइन पर वोल्टेज स्विंग को पूर्ण-स्विंग स्थानीय बिटलाइन एसआरएएम आर्किटेक्चर के रूप में परिभाषित किया गया है, जो कम-वोल्टेज ऑपरेशन के लिए 22-एनएम फिनफेट तकनीक पर आधारित है। के रूप में डालें। कृपया बिट कैपेसिटेंस गणना को पूर्ण करने के लिए कैलकुलेट बटन का उपयोग करें।

बिट कैपेसिटेंस गणना

बिट कैपेसिटेंस कैलकुलेटर, बिट कैपेसिटेंस की गणना करने के लिए Bit Capacitance = ((सकारात्मक वोल्टेज*सेल कैपेसिटेंस)/(2*बिटलाइन पर वोल्टेज स्विंग))-सेल कैपेसिटेंस का उपयोग करता है। बिट कैपेसिटेंस C_bit को बिट कैपेसिटेंस फॉर्मूला को सीबी के रूप में दर्शाया गया है। इसकी गणना प्रति इकाई लंबाई बिट लाइन की धारिता के रूप में की जाती है। मेमोरी सेल को सिलिकॉन वेफर पर कॉलम (बिट लाइन) और पंक्तियों (वर्ड लाइन) की एक श्रृंखला में उकेरा जाता है। के रूप में परिभाषित किया गया है। यहाँ बिट कैपेसिटेंस गणना को संख्या में समझा जा सकता है - 1.2E+13 = ((2.58*5.98E-12)/(2*0.42))-5.98E-12. आप और अधिक बिट कैपेसिटेंस उदाहरण यहाँ देख सकते हैं -

FAQ

बिट कैपेसिटेंस क्या है?

बिट कैपेसिटेंस बिट कैपेसिटेंस फॉर्मूला को सीबी के रूप में दर्शाया गया है। इसकी गणना प्रति इकाई लंबाई बिट लाइन की धारिता के रूप में की जाती है। मेमोरी सेल को सिलिकॉन वेफर पर कॉलम (बिट लाइन) और पंक्तियों (वर्ड लाइन) की एक श्रृंखला में उकेरा जाता है। है और इसे C_bit = ((V_dd*C_cell)/(2*ΔV))-C_cell या Bit Capacitance = ((सकारात्मक वोल्टेज*सेल कैपेसिटेंस)/(2*बिटलाइन पर वोल्टेज स्विंग))-सेल कैपेसिटेंस के रूप में दर्शाया जाता है।

बिट कैपेसिटेंस की गणना कैसे करें?

बिट कैपेसिटेंस को बिट कैपेसिटेंस फॉर्मूला को सीबी के रूप में दर्शाया गया है। इसकी गणना प्रति इकाई लंबाई बिट लाइन की धारिता के रूप में की जाती है। मेमोरी सेल को सिलिकॉन वेफर पर कॉलम (बिट लाइन) और पंक्तियों (वर्ड लाइन) की एक श्रृंखला में उकेरा जाता है। Bit Capacitance = ((सकारात्मक वोल्टेज*सेल कैपेसिटेंस)/(2*बिटलाइन पर वोल्टेज स्विंग))-सेल कैपेसिटेंस C_bit = ((V_dd*C_cell)/(2*ΔV))-C_cell के रूप में परिभाषित किया गया है। बिट कैपेसिटेंस की गणना करने के लिए, आपको सकारात्मक वोल्टेज (V_dd), सेल कैपेसिटेंस (C_cell) & बिटलाइन पर वोल्टेज स्विंग (ΔV) की आवश्यकता है। हमारे टूल के द्वारा, आपको सकारात्मक वोल्टेज को उस वोल्टेज के रूप में परिभाषित किया जाता है जिसकी गणना तब की जाती है जब सर्किट बिजली आपूर्ति से जुड़ा होता है। इसे आमतौर पर सर्किट की वीडीडी या बिजली आपूर्ति कहा जाता है।, सेल कैपेसिटेंस व्यक्तिगत सेल की कैपेसिटेंस है। & बिटलाइन पर वोल्टेज स्विंग को पूर्ण-स्विंग स्थानीय बिटलाइन एसआरएएम आर्किटेक्चर के रूप में परिभाषित किया गया है, जो कम-वोल्टेज ऑपरेशन के लिए 22-एनएम फिनफेट तकनीक पर आधारित है। के लिए संबंधित मान दर्ज करने और कैलकुलेट बटन को क्लिक करने की आवश्यकता है।

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