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तापमान वृद्धि ऊष्मा चालन दर

✖द्वितीयक कतरनी क्षेत्र में ऊष्मा उत्पादन की दर चिप उपकरण संपर्क क्षेत्र के आसपास के क्षेत्र में ऊष्मा उत्पादन की दर है।ⓘ द्वितीयक कतरनी क्षेत्र में ऊष्मा उत्पादन की दर [P_f]			+10% -10%
✖कार्यवस्तु की विशिष्ट ऊष्मा धारिता प्रति इकाई द्रव्यमान में तापमान को एक डिग्री सेल्सियस बढ़ाने के लिए आवश्यक ऊष्मा की मात्रा है।ⓘ कार्यवस्तु की विशिष्ट ऊष्मा धारिता [C]			+10% -10%
✖कार्यवस्तु का घनत्व कार्यवस्तु की सामग्री के द्रव्यमान प्रति इकाई आयतन अनुपात है।ⓘ कार्य वस्तु का घनत्व [ρ_wp]			+10% -10%
✖काटने की गति को उस गति के रूप में परिभाषित किया जाता है जिस पर उपकरण के संबंध में कार्य चलता है (आमतौर पर प्रति मिनट फीट में मापा जाता है)।ⓘ काटने की गति [V_cut]			+10% -10%
✖मिलिंग में अविकृत चिप मोटाई को दो क्रमागत कट सतहों के बीच की दूरी के रूप में परिभाषित किया जाता है।ⓘ अपरिवर्तित चिप मोटाई [a_c]			+10% -10%
✖कट की गहराई तृतीयक कटिंग गति है जो मशीनिंग द्वारा हटाने के लिए आवश्यक सामग्री की आवश्यक गहराई प्रदान करती है। यह आमतौर पर तीसरी लंबवत दिशा में दी जाती है।ⓘ कटौती की गहराई [d_cut]			+10% -10%

✖द्वितीयक कतरनी क्षेत्र में चिप के औसत तापमान वृद्धि को द्वितीयक कतरनी क्षेत्र में तापमान वृद्धि की मात्रा के रूप में परिभाषित किया गया है।ⓘ माध्यमिक विरूपण से चिप का औसत तापमान वृद्धि [θ_f]

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माध्यमिक विरूपण से चिप का औसत तापमान वृद्धि उपाय

चरण 0: पूर्व-गणना सारांश

प्रयुक्त सूत्र

द्वितीयक शियर ज़ोन में चिप का औसत तापमान वृद्धि = द्वितीयक कतरनी क्षेत्र में ऊष्मा उत्पादन की दर/(कार्यवस्तु की विशिष्ट ऊष्मा धारिता*कार्य वस्तु का घनत्व*काटने की गति*अपरिवर्तित चिप मोटाई*कटौती की गहराई)
θ_f = P_f/(C*ρ_wp*V_cut*a_c*d_cut)
यह सूत्र 7 वेरिएबल का उपयोग करता है

चर

द्वितीयक शियर ज़ोन में चिप का औसत तापमान वृद्धि - (में मापा गया केल्विन) - द्वितीयक कतरनी क्षेत्र में चिप के औसत तापमान वृद्धि को द्वितीयक कतरनी क्षेत्र में तापमान वृद्धि की मात्रा के रूप में परिभाषित किया गया है।
द्वितीयक कतरनी क्षेत्र में ऊष्मा उत्पादन की दर - (में मापा गया वाट) - द्वितीयक कतरनी क्षेत्र में ऊष्मा उत्पादन की दर चिप उपकरण संपर्क क्षेत्र के आसपास के क्षेत्र में ऊष्मा उत्पादन की दर है।
कार्यवस्तु की विशिष्ट ऊष्मा धारिता - (में मापा गया जूल प्रति किलोग्राम प्रति किलो) - कार्यवस्तु की विशिष्ट ऊष्मा धारिता प्रति इकाई द्रव्यमान में तापमान को एक डिग्री सेल्सियस बढ़ाने के लिए आवश्यक ऊष्मा की मात्रा है।
कार्य वस्तु का घनत्व - (में मापा गया किलोग्राम प्रति घन मीटर) - कार्यवस्तु का घनत्व कार्यवस्तु की सामग्री के द्रव्यमान प्रति इकाई आयतन अनुपात है।
काटने की गति - (में मापा गया मीटर प्रति सेकंड) - काटने की गति को उस गति के रूप में परिभाषित किया जाता है जिस पर उपकरण के संबंध में कार्य चलता है (आमतौर पर प्रति मिनट फीट में मापा जाता है)।
अपरिवर्तित चिप मोटाई - (में मापा गया मीटर) - मिलिंग में अविकृत चिप मोटाई को दो क्रमागत कट सतहों के बीच की दूरी के रूप में परिभाषित किया जाता है।
कटौती की गहराई - (में मापा गया मीटर) - कट की गहराई तृतीयक कटिंग गति है जो मशीनिंग द्वारा हटाने के लिए आवश्यक सामग्री की आवश्यक गहराई प्रदान करती है। यह आमतौर पर तीसरी लंबवत दिशा में दी जाती है।

चरण 1: इनपुट को आधार इकाई में बदलें

द्वितीयक कतरनी क्षेत्र में ऊष्मा उत्पादन की दर: 400 वाट --> 400 वाट कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
कार्यवस्तु की विशिष्ट ऊष्मा धारिता: 502 जूल प्रति किलोग्राम प्रति किलो --> 502 जूल प्रति किलोग्राम प्रति किलो कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
कार्य वस्तु का घनत्व: 7200 किलोग्राम प्रति घन मीटर --> 7200 किलोग्राम प्रति घन मीटर कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
काटने की गति: 2 मीटर प्रति सेकंड --> 2 मीटर प्रति सेकंड कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
अपरिवर्तित चिप मोटाई: 0.25 मिलीमीटर --> 0.00025 मीटर (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)
कटौती की गहराई: 2.5 मिलीमीटर --> 0.0025 मीटर (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)

चरण 2: फॉर्मूला का मूल्यांकन करें

फॉर्मूला में इनपुट वैल्यू को तैयार करना

θ_f = P_f/(C*ρ_wp*V_cut*a_c*d_cut) --> 400/(502*7200*2*0.00025*0.0025)

मूल्यांकन हो रहा है ... ...

θ_f = 88.5347498893316

चरण 3: परिणाम को आउटपुट की इकाई में बदलें

88.5347498893316 केल्विन -->88.5347498893316 डिग्री सेल्सियस (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)

आख़री जवाब

88.5347498893316 ≈ 88.53475 डिग्री सेल्सियस <-- द्वितीयक शियर ज़ोन में चिप का औसत तापमान वृद्धि

(गणना 00.020 सेकंड में पूरी हुई)

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क्रेडिट

के द्वारा बनाई गई पारुल केशव

राष्ट्रीय प्रौद्योगिकी संस्थान (एन.आई.टी.), श्रीनगर

पारुल केशव ने इस कैलकुलेटर और 300+ अधिक कैलकुलेटर को बनाए है!

के द्वारा सत्यापित कुमार सिद्धांत

भारतीय सूचना प्रौद्योगिकी संस्थान, डिजाइन और विनिर्माण (IIITDM), जबलपुर

कुमार सिद्धांत ने इस कैलकुलेटर और 100+ को अधिक कैलकुलेटर से सत्यापित किया है!

< तापमान वृद्धि कैलक्युलेटर्स

प्राथमिक अपरूपण क्षेत्र के अंतर्गत सामग्री के औसत तापमान वृद्धि का उपयोग कर सामग्री का घनत्व

LaTeX जाओ कार्य वस्तु का घनत्व = ((1-कार्यवस्तु में प्रवाहित ऊष्मा का अंश)*प्राथमिक कतरनी क्षेत्र में ऊष्मा उत्पादन की दर)/(औसत तापमान वृद्धि*कार्यवस्तु की विशिष्ट ऊष्मा धारिता*काटने की गति*अपरिवर्तित चिप मोटाई*कटौती की गहराई)

प्राथमिक अपरूपण क्षेत्र के अंतर्गत विशिष्ट ऊष्मा दी गई सामग्री के औसत तापमान में वृद्धि

LaTeX जाओ कार्यवस्तु की विशिष्ट ऊष्मा धारिता = ((1-कार्यवस्तु में प्रवाहित ऊष्मा का अंश)*प्राथमिक कतरनी क्षेत्र में ऊष्मा उत्पादन की दर)/(कार्य वस्तु का घनत्व*औसत तापमान वृद्धि*काटने की गति*अपरिवर्तित चिप मोटाई*कटौती की गहराई)

प्राथमिक कतरनी क्षेत्र के तहत सामग्री की औसत तापमान वृद्धि को देखते हुए काटने की गति

LaTeX जाओ काटने की गति = ((1-कार्यवस्तु में प्रवाहित ऊष्मा का अंश)*प्राथमिक कतरनी क्षेत्र में ऊष्मा उत्पादन की दर)/(कार्य वस्तु का घनत्व*कार्यवस्तु की विशिष्ट ऊष्मा धारिता*औसत तापमान वृद्धि*अपरिवर्तित चिप मोटाई*कटौती की गहराई)

प्राथमिक विरूपण क्षेत्र के तहत सामग्री का औसत तापमान वृद्धि

LaTeX जाओ औसत तापमान वृद्धि = ((1-कार्यवस्तु में प्रवाहित ऊष्मा का अंश)*प्राथमिक कतरनी क्षेत्र में ऊष्मा उत्पादन की दर)/(कार्य वस्तु का घनत्व*कार्यवस्तु की विशिष्ट ऊष्मा धारिता*काटने की गति*अपरिवर्तित चिप मोटाई*कटौती की गहराई)

और देखें >>

माध्यमिक विरूपण से चिप का औसत तापमान वृद्धि सूत्र

LaTeX जाओ

बिना चिप चिप मोटाई क्या है?

Uncut चिप मोटाई micromachining में बढ़त त्रिज्या काटने के लिए तुलनीय है। यदि बिना चिप की मोटाई एक महत्वपूर्ण मान से कम है, तो कोई चिप गठन नहीं होगा। इस महत्वपूर्ण मूल्य को न्यूनतम काटा हुआ चिप मोटाई कहा जाता है।

माध्यमिक विरूपण से चिप का औसत तापमान वृद्धि की गणना कैसे करें?

माध्यमिक विरूपण से चिप का औसत तापमान वृद्धि के लिए ऑनलाइन कैलकुलेटर पर, कृपया द्वितीयक कतरनी क्षेत्र में ऊष्मा उत्पादन की दर (P_f), द्वितीयक कतरनी क्षेत्र में ऊष्मा उत्पादन की दर चिप उपकरण संपर्क क्षेत्र के आसपास के क्षेत्र में ऊष्मा उत्पादन की दर है। के रूप में, कार्यवस्तु की विशिष्ट ऊष्मा धारिता (C), कार्यवस्तु की विशिष्ट ऊष्मा धारिता प्रति इकाई द्रव्यमान में तापमान को एक डिग्री सेल्सियस बढ़ाने के लिए आवश्यक ऊष्मा की मात्रा है। के रूप में, कार्य वस्तु का घनत्व (ρ_wp), कार्यवस्तु का घनत्व कार्यवस्तु की सामग्री के द्रव्यमान प्रति इकाई आयतन अनुपात है। के रूप में, काटने की गति (V_cut), काटने की गति को उस गति के रूप में परिभाषित किया जाता है जिस पर उपकरण के संबंध में कार्य चलता है (आमतौर पर प्रति मिनट फीट में मापा जाता है)। के रूप में, अपरिवर्तित चिप मोटाई (a_c), मिलिंग में अविकृत चिप मोटाई को दो क्रमागत कट सतहों के बीच की दूरी के रूप में परिभाषित किया जाता है। के रूप में & कटौती की गहराई (d_cut), कट की गहराई तृतीयक कटिंग गति है जो मशीनिंग द्वारा हटाने के लिए आवश्यक सामग्री की आवश्यक गहराई प्रदान करती है। यह आमतौर पर तीसरी लंबवत दिशा में दी जाती है। के रूप में डालें। कृपया माध्यमिक विरूपण से चिप का औसत तापमान वृद्धि गणना को पूर्ण करने के लिए कैलकुलेट बटन का उपयोग करें।

माध्यमिक विरूपण से चिप का औसत तापमान वृद्धि गणना

माध्यमिक विरूपण से चिप का औसत तापमान वृद्धि कैलकुलेटर, द्वितीयक शियर ज़ोन में चिप का औसत तापमान वृद्धि की गणना करने के लिए Average Temp Rise of Chip in Secondary Shear Zone = द्वितीयक कतरनी क्षेत्र में ऊष्मा उत्पादन की दर/(कार्यवस्तु की विशिष्ट ऊष्मा धारिता*कार्य वस्तु का घनत्व*काटने की गति*अपरिवर्तित चिप मोटाई*कटौती की गहराई) का उपयोग करता है। माध्यमिक विरूपण से चिप का औसत तापमान वृद्धि θ_f को द्वितीयक विरूपण क्षेत्र से चिप के औसत तापमान वृद्धि को द्वितीयक विरूपण क्षेत्र में चिप के औसत तापमान के रूप में परिभाषित किया जाता है। के रूप में परिभाषित किया गया है। यहाँ माध्यमिक विरूपण से चिप का औसत तापमान वृद्धि गणना को संख्या में समझा जा सकता है - 88.5 = 400/(502*7200*2*0.00025*0.0025). आप और अधिक माध्यमिक विरूपण से चिप का औसत तापमान वृद्धि उदाहरण यहाँ देख सकते हैं -

FAQ

माध्यमिक विरूपण से चिप का औसत तापमान वृद्धि क्या है?

माध्यमिक विरूपण से चिप का औसत तापमान वृद्धि द्वितीयक विरूपण क्षेत्र से चिप के औसत तापमान वृद्धि को द्वितीयक विरूपण क्षेत्र में चिप के औसत तापमान के रूप में परिभाषित किया जाता है। है और इसे θ_f = P_f/(C*ρ_wp*V_cut*a_c*d_cut) या Average Temp Rise of Chip in Secondary Shear Zone = द्वितीयक कतरनी क्षेत्र में ऊष्मा उत्पादन की दर/(कार्यवस्तु की विशिष्ट ऊष्मा धारिता*कार्य वस्तु का घनत्व*काटने की गति*अपरिवर्तित चिप मोटाई*कटौती की गहराई) के रूप में दर्शाया जाता है।

माध्यमिक विरूपण से चिप का औसत तापमान वृद्धि की गणना कैसे करें?

माध्यमिक विरूपण से चिप का औसत तापमान वृद्धि को द्वितीयक विरूपण क्षेत्र से चिप के औसत तापमान वृद्धि को द्वितीयक विरूपण क्षेत्र में चिप के औसत तापमान के रूप में परिभाषित किया जाता है। Average Temp Rise of Chip in Secondary Shear Zone = द्वितीयक कतरनी क्षेत्र में ऊष्मा उत्पादन की दर/(कार्यवस्तु की विशिष्ट ऊष्मा धारिता*कार्य वस्तु का घनत्व*काटने की गति*अपरिवर्तित चिप मोटाई*कटौती की गहराई) θ_f = P_f/(C*ρ_wp*V_cut*a_c*d_cut) के रूप में परिभाषित किया गया है। माध्यमिक विरूपण से चिप का औसत तापमान वृद्धि की गणना करने के लिए, आपको द्वितीयक कतरनी क्षेत्र में ऊष्मा उत्पादन की दर (P_f), कार्यवस्तु की विशिष्ट ऊष्मा धारिता (C), कार्य वस्तु का घनत्व (ρ_wp), काटने की गति (V_cut), अपरिवर्तित चिप मोटाई (a_c) & कटौती की गहराई (d_cut) की आवश्यकता है। हमारे टूल के द्वारा, आपको द्वितीयक कतरनी क्षेत्र में ऊष्मा उत्पादन की दर चिप उपकरण संपर्क क्षेत्र के आसपास के क्षेत्र में ऊष्मा उत्पादन की दर है।, कार्यवस्तु की विशिष्ट ऊष्मा धारिता प्रति इकाई द्रव्यमान में तापमान को एक डिग्री सेल्सियस बढ़ाने के लिए आवश्यक ऊष्मा की मात्रा है।, कार्यवस्तु का घनत्व कार्यवस्तु की सामग्री के द्रव्यमान प्रति इकाई आयतन अनुपात है।, काटने की गति को उस गति के रूप में परिभाषित किया जाता है जिस पर उपकरण के संबंध में कार्य चलता है (आमतौर पर प्रति मिनट फीट में मापा जाता है)।, मिलिंग में अविकृत चिप मोटाई को दो क्रमागत कट सतहों के बीच की दूरी के रूप में परिभाषित किया जाता है। & कट की गहराई तृतीयक कटिंग गति है जो मशीनिंग द्वारा हटाने के लिए आवश्यक सामग्री की आवश्यक गहराई प्रदान करती है। यह आमतौर पर तीसरी लंबवत दिशा में दी जाती है। के लिए संबंधित मान दर्ज करने और कैलकुलेट बटन को क्लिक करने की आवश्यकता है।

द्वितीयक शियर ज़ोन में चिप का औसत तापमान वृद्धि की गणना करने के कितने तरीके हैं?

द्वितीयक शियर ज़ोन में चिप का औसत तापमान वृद्धि द्वितीयक कतरनी क्षेत्र में ऊष्मा उत्पादन की दर (P_f), कार्यवस्तु की विशिष्ट ऊष्मा धारिता (C), कार्य वस्तु का घनत्व (ρ_wp), काटने की गति (V_cut), अपरिवर्तित चिप मोटाई (a_c) & कटौती की गहराई (d_cut) का उपयोग करता है। हम गणना करने के 1 अन्य तरीकों का उपयोग कर सकते हैं, जो इस प्रकार हैं -

द्वितीयक शियर ज़ोन में चिप का औसत तापमान वृद्धि = द्वितीयक विरूपण क्षेत्र में चिप में अधिकतम तापमान/(1.13*sqrt(थर्मल नंबर/प्रति चिप मोटाई ऊष्मा स्रोत की लंबाई))

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