स्वीकर्ता डोपेंट एकाग्रता उपाय

चरण 0: पूर्व-गणना सारांश
प्रयुक्त सूत्र
स्वीकर्ता डोपेंट एकाग्रता = 1/(2*pi*ट्रांजिस्टर की लंबाई*ट्रांजिस्टर की चौड़ाई*[Charge-e]*छेद गतिशीलता*ह्रास परत धारिता)
Na = 1/(2*pi*Lt*Wt*[Charge-e]*μp*Cdep)
यह सूत्र 2 स्थिरांक, 5 वेरिएबल का उपयोग करता है
लगातार इस्तेमाल किया
[Charge-e] - इलेक्ट्रॉन का आवेश मान लिया गया 1.60217662E-19
pi - आर्किमिडीज़ का स्थिरांक मान लिया गया 3.14159265358979323846264338327950288
चर
स्वीकर्ता डोपेंट एकाग्रता - (में मापा गया प्रति घन मीटर इलेक्ट्रॉन) - स्वीकर्ता डोपेंट एकाग्रता चार्ज वाहक (इस मामले में छेद) की गतिशीलता, और अर्धचालक डिवाइस के आयाम है।
ट्रांजिस्टर की लंबाई - (में मापा गया मीटर) - ट्रांजिस्टर की लंबाई MOSFET में चैनल क्षेत्र की लंबाई को संदर्भित करती है। यह आयाम ट्रांजिस्टर की विद्युत विशेषताओं और प्रदर्शन को निर्धारित करने में महत्वपूर्ण भूमिका निभाता है।
ट्रांजिस्टर की चौड़ाई - (में मापा गया मीटर) - ट्रांजिस्टर की चौड़ाई MOSFET में चैनल क्षेत्र की चौड़ाई को संदर्भित करती है। यह आयाम ट्रांजिस्टर की विद्युत विशेषताओं और प्रदर्शन को निर्धारित करने में महत्वपूर्ण भूमिका निभाता है।
छेद गतिशीलता - (में मापा गया वर्ग मीटर प्रति वोल्ट प्रति सेकंड) - होल मोबिलिटी एक विद्युत क्षेत्र की प्रतिक्रिया में स्थानांतरित होने के लिए इन चार्ज वाहकों की क्षमता का प्रतिनिधित्व करती है।
ह्रास परत धारिता - (में मापा गया फैरड) - प्रति इकाई क्षेत्र ह्रास परत धारिता प्रति इकाई क्षेत्र ह्रास परत की धारिता है।
चरण 1: इनपुट को आधार इकाई में बदलें
ट्रांजिस्टर की लंबाई: 3.2 माइक्रोमीटर --> 3.2E-06 मीटर (रूपांतरण की जाँच करें ​यहाँ)
ट्रांजिस्टर की चौड़ाई: 5.5 माइक्रोमीटर --> 5.5E-06 मीटर (रूपांतरण की जाँच करें ​यहाँ)
छेद गतिशीलता: 400 वर्ग मीटर प्रति वोल्ट प्रति सेकंड --> 400 वर्ग मीटर प्रति वोल्ट प्रति सेकंड कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
ह्रास परत धारिता: 1.4 माइक्रोफ़ारड --> 1.4E-06 फैरड (रूपांतरण की जाँच करें ​यहाँ)
चरण 2: फॉर्मूला का मूल्यांकन करें
फॉर्मूला में इनपुट वैल्यू को तैयार करना
Na = 1/(2*pi*Lt*Wt*[Charge-e]*μp*Cdep) --> 1/(2*pi*3.2E-06*5.5E-06*[Charge-e]*400*1.4E-06)
मूल्यांकन हो रहा है ... ...
Na = 1.00788050957133E+32
चरण 3: परिणाम को आउटपुट की इकाई में बदलें
1.00788050957133E+32 प्रति घन मीटर इलेक्ट्रॉन --> कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
आख़री जवाब
1.00788050957133E+32 1E+32 प्रति घन मीटर इलेक्ट्रॉन <-- स्वीकर्ता डोपेंट एकाग्रता
(गणना 00.004 सेकंड में पूरी हुई)

क्रेडिट

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के द्वारा बनाई गई भानुप्रकाश
दयानंद सागर कॉलेज ऑफ इंजीनियरिंग (डीएससीई), बैंगलोर
भानुप्रकाश ने इस कैलकुलेटर और 50+ अधिक कैलकुलेटर को बनाए है!
Verifier Image
के द्वारा सत्यापित संतोष यादव
दयानंद सागर कॉलेज ऑफ इंजीनियरिंग (डीएससीई), बंगलोर
संतोष यादव ने इस कैलकुलेटर और 50+ को अधिक कैलकुलेटर से सत्यापित किया है!

एमओएस आईसी निर्माण कैलक्युलेटर्स

MOSFET में शारीरिक प्रभाव
​ जाओ सब्सट्रेट के साथ थ्रेसहोल्ड वोल्टेज = शून्य बॉडी बायस के साथ थ्रेसहोल्ड वोल्टेज+शारीरिक प्रभाव पैरामीटर*(sqrt(2*थोक फर्मी क्षमता+शरीर पर लागू वोल्टेज)-sqrt(2*थोक फर्मी क्षमता))
संतृप्ति क्षेत्र में MOSFET का ड्रेन करंट
​ जाओ नाली का करंट = ट्रांसकंडक्टेंस पैरामीटर/2*(गेट स्रोत वोल्टेज-शून्य बॉडी बायस के साथ थ्रेसहोल्ड वोल्टेज)^2*(1+चैनल लंबाई मॉड्यूलेशन फैक्टर*नाली स्रोत वोल्टेज)
चैनल प्रतिरोध
​ जाओ चैनल प्रतिरोध = ट्रांजिस्टर की लंबाई/ट्रांजिस्टर की चौड़ाई*1/(इलेक्ट्रॉन गतिशीलता*वाहक घनत्व)
MOSFET एकता-लाभ आवृत्ति
​ जाओ MOSFET में यूनिटी गेन आवृत्ति = MOSFET में ट्रांसकंडक्टन्स/(गेट स्रोत धारिता+गेट ड्रेन कैपेसिटेंस)

स्वीकर्ता डोपेंट एकाग्रता सूत्र

स्वीकर्ता डोपेंट एकाग्रता = 1/(2*pi*ट्रांजिस्टर की लंबाई*ट्रांजिस्टर की चौड़ाई*[Charge-e]*छेद गतिशीलता*ह्रास परत धारिता)
Na = 1/(2*pi*Lt*Wt*[Charge-e]*μp*Cdep)

स्वीकर्ता डोपेंट एकाग्रता की गणना कैसे करें?

स्वीकर्ता डोपेंट एकाग्रता के लिए ऑनलाइन कैलकुलेटर पर, कृपया ट्रांजिस्टर की लंबाई (Lt), ट्रांजिस्टर की लंबाई MOSFET में चैनल क्षेत्र की लंबाई को संदर्भित करती है। यह आयाम ट्रांजिस्टर की विद्युत विशेषताओं और प्रदर्शन को निर्धारित करने में महत्वपूर्ण भूमिका निभाता है। के रूप में, ट्रांजिस्टर की चौड़ाई (Wt), ट्रांजिस्टर की चौड़ाई MOSFET में चैनल क्षेत्र की चौड़ाई को संदर्भित करती है। यह आयाम ट्रांजिस्टर की विद्युत विशेषताओं और प्रदर्शन को निर्धारित करने में महत्वपूर्ण भूमिका निभाता है। के रूप में, छेद गतिशीलता (μp), होल मोबिलिटी एक विद्युत क्षेत्र की प्रतिक्रिया में स्थानांतरित होने के लिए इन चार्ज वाहकों की क्षमता का प्रतिनिधित्व करती है। के रूप में & ह्रास परत धारिता (Cdep), प्रति इकाई क्षेत्र ह्रास परत धारिता प्रति इकाई क्षेत्र ह्रास परत की धारिता है। के रूप में डालें। कृपया स्वीकर्ता डोपेंट एकाग्रता गणना को पूर्ण करने के लिए कैलकुलेट बटन का उपयोग करें।

स्वीकर्ता डोपेंट एकाग्रता गणना

स्वीकर्ता डोपेंट एकाग्रता कैलकुलेटर, स्वीकर्ता डोपेंट एकाग्रता की गणना करने के लिए Acceptor Dopant Concentration = 1/(2*pi*ट्रांजिस्टर की लंबाई*ट्रांजिस्टर की चौड़ाई*[Charge-e]*छेद गतिशीलता*ह्रास परत धारिता) का उपयोग करता है। स्वीकर्ता डोपेंट एकाग्रता Na को स्वीकर्ता डोपेंट एकाग्रता सूत्र को प्रति इकाई आयतन स्वीकर्ता परमाणुओं की एकाग्रता के रूप में परिभाषित किया गया है। यह क्रिस्टल जाली में सकारात्मक रूप से चार्ज किए गए "छेद" की अधिकता बनाने के लिए जानबूझकर अर्धचालक सामग्री में जोड़े गए डोपेंट परमाणुओं की एकाग्रता को संदर्भित करता है। के रूप में परिभाषित किया गया है। यहाँ स्वीकर्ता डोपेंट एकाग्रता गणना को संख्या में समझा जा सकता है - 1E+32 = 1/(2*pi*3.2E-06*5.5E-06*[Charge-e]*400*1.4E-06). आप और अधिक स्वीकर्ता डोपेंट एकाग्रता उदाहरण यहाँ देख सकते हैं -

FAQ

स्वीकर्ता डोपेंट एकाग्रता क्या है?
स्वीकर्ता डोपेंट एकाग्रता स्वीकर्ता डोपेंट एकाग्रता सूत्र को प्रति इकाई आयतन स्वीकर्ता परमाणुओं की एकाग्रता के रूप में परिभाषित किया गया है। यह क्रिस्टल जाली में सकारात्मक रूप से चार्ज किए गए "छेद" की अधिकता बनाने के लिए जानबूझकर अर्धचालक सामग्री में जोड़े गए डोपेंट परमाणुओं की एकाग्रता को संदर्भित करता है। है और इसे Na = 1/(2*pi*Lt*Wt*[Charge-e]*μp*Cdep) या Acceptor Dopant Concentration = 1/(2*pi*ट्रांजिस्टर की लंबाई*ट्रांजिस्टर की चौड़ाई*[Charge-e]*छेद गतिशीलता*ह्रास परत धारिता) के रूप में दर्शाया जाता है।
स्वीकर्ता डोपेंट एकाग्रता की गणना कैसे करें?
स्वीकर्ता डोपेंट एकाग्रता को स्वीकर्ता डोपेंट एकाग्रता सूत्र को प्रति इकाई आयतन स्वीकर्ता परमाणुओं की एकाग्रता के रूप में परिभाषित किया गया है। यह क्रिस्टल जाली में सकारात्मक रूप से चार्ज किए गए "छेद" की अधिकता बनाने के लिए जानबूझकर अर्धचालक सामग्री में जोड़े गए डोपेंट परमाणुओं की एकाग्रता को संदर्भित करता है। Acceptor Dopant Concentration = 1/(2*pi*ट्रांजिस्टर की लंबाई*ट्रांजिस्टर की चौड़ाई*[Charge-e]*छेद गतिशीलता*ह्रास परत धारिता) Na = 1/(2*pi*Lt*Wt*[Charge-e]*μp*Cdep) के रूप में परिभाषित किया गया है। स्वीकर्ता डोपेंट एकाग्रता की गणना करने के लिए, आपको ट्रांजिस्टर की लंबाई (Lt), ट्रांजिस्टर की चौड़ाई (Wt), छेद गतिशीलता p) & ह्रास परत धारिता (Cdep) की आवश्यकता है। हमारे टूल के द्वारा, आपको ट्रांजिस्टर की लंबाई MOSFET में चैनल क्षेत्र की लंबाई को संदर्भित करती है। यह आयाम ट्रांजिस्टर की विद्युत विशेषताओं और प्रदर्शन को निर्धारित करने में महत्वपूर्ण भूमिका निभाता है।, ट्रांजिस्टर की चौड़ाई MOSFET में चैनल क्षेत्र की चौड़ाई को संदर्भित करती है। यह आयाम ट्रांजिस्टर की विद्युत विशेषताओं और प्रदर्शन को निर्धारित करने में महत्वपूर्ण भूमिका निभाता है।, होल मोबिलिटी एक विद्युत क्षेत्र की प्रतिक्रिया में स्थानांतरित होने के लिए इन चार्ज वाहकों की क्षमता का प्रतिनिधित्व करती है। & प्रति इकाई क्षेत्र ह्रास परत धारिता प्रति इकाई क्षेत्र ह्रास परत की धारिता है। के लिए संबंधित मान दर्ज करने और कैलकुलेट बटन को क्लिक करने की आवश्यकता है।
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