Capacité de jonction de paroi latérale à polarisation nulle Calculatrice

✖La densité de dopage des parois latérales fait référence à la concentration d'atomes dopants le long des parois latérales de la structure du transistor.ⓘ Densité de dopage des parois latérales [N_A(sw)]			+10% -10%
✖La concentration dopante du donneur fait référence à la concentration d’atomes donneurs intentionnellement ajoutés à un matériau semi-conducteur.ⓘ Concentration dopante du donneur [N_D]			+10% -10%
✖Le potentiel intégré des jonctions des parois latérales fait référence à la jonction formée le long des surfaces verticales ou des parois latérales de la structure du transistor.ⓘ Potentiel intégré des jonctions des parois latérales [Φ_osw]			+10% -10%

✖Le potentiel de jonction latérale à polarisation nulle est le potentiel intégré dans la jonction latérale de certaines structures de transistor.ⓘ Capacité de jonction de paroi latérale à polarisation nulle [C_j0sw]

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Capacité de jonction de paroi latérale à polarisation nulle Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Potentiel de jonction des parois latérales sans polarisation = sqrt(([Permitivity-silicon]*[Charge-e])/2*((Densité de dopage des parois latérales*Concentration dopante du donneur)/(Densité de dopage des parois latérales+Concentration dopante du donneur))*1/Potentiel intégré des jonctions des parois latérales)
C_j0sw = sqrt(([Permitivity-silicon]*[Charge-e])/2*((N_A(sw)*N_D)/(N_A(sw)+N_D))*1/Φ_osw)
Cette formule utilise 2 Constantes, 1 Les fonctions, 4 Variables

Constantes utilisées

[Permitivity-silicon] - Permittivité du silicium Valeur prise comme 11.7
[Charge-e] - Charge d'électron Valeur prise comme 1.60217662E-19

Fonctions utilisées

sqrt - Une fonction racine carrée est une fonction qui prend un nombre non négatif comme entrée et renvoie la racine carrée du nombre d'entrée donné., sqrt(Number)

Variables utilisées

Potentiel de jonction des parois latérales sans polarisation - (Mesuré en Farad) - Le potentiel de jonction latérale à polarisation nulle est le potentiel intégré dans la jonction latérale de certaines structures de transistor.
Densité de dopage des parois latérales - (Mesuré en Électrons par mètre cube) - La densité de dopage des parois latérales fait référence à la concentration d'atomes dopants le long des parois latérales de la structure du transistor.
Concentration dopante du donneur - (Mesuré en Électrons par mètre cube) - La concentration dopante du donneur fait référence à la concentration d’atomes donneurs intentionnellement ajoutés à un matériau semi-conducteur.
Potentiel intégré des jonctions des parois latérales - (Mesuré en Volt) - Le potentiel intégré des jonctions des parois latérales fait référence à la jonction formée le long des surfaces verticales ou des parois latérales de la structure du transistor.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Densité de dopage des parois latérales: 0.35 Électrons par mètre cube --> 0.35 Électrons par mètre cube Aucune conversion requise
Concentration dopante du donneur: 3.01 Électrons par centimètre cube --> 3010000 Électrons par mètre cube (Vérifiez la conversion ici)
Potentiel intégré des jonctions des parois latérales: 3.2E-05 Volt --> 3.2E-05 Volt Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

C_j0sw = sqrt(([Permitivity-silicon]*[Charge-e])/2*((N_A(sw)*N_D)/(N_A(sw)+N_D))*1/Φ_osw) --> sqrt(([Permitivity-silicon]*[Charge-e])/2*((0.35*3010000)/(0.35+3010000))*1/3.2E-05)

Évaluer ... ...

C_j0sw = 1.01249324812588E-07

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

1.01249324812588E-07 Farad --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

1.01249324812588E-07 ≈ 1E-7 Farad <-- Potentiel de jonction des parois latérales sans polarisation

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par banuprakash

Collège d'ingénierie Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

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Vérifié par Dipanjona Mallick

Institut du patrimoine de technologie (HITK), Calcutta

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Capacité de jonction de paroi latérale à polarisation nulle

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Capacité de jonction à polarisation nulle

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