Capacité de jonction à polarisation nulle Calculatrice

Capacité de jonction à polarisation nulle = sqrt((Permitivité du silicium*[Charge-e])/2*((Concentration dopante de l'accepteur*Concentration dopante du donneur)/(Concentration dopante de l'accepteur+Concentration dopante du donneur))*1/Potentiel de jonction intégré)
C_j0 = sqrt((ε_si*[Charge-e])/2*((N_A*N_D)/(N_A+N_D))*1/Φ_o)
Cette formule utilise 1 Constantes, 1 Les fonctions, 5 Variables
[Charge-e] - Charge d'électron Valeur prise comme 1.60217662E-19sqrt - Une fonction racine carrée est une fonction qui prend un nombre non négatif comme entrée et renvoie la racine carrée du nombre d'entrée donné., sqrt(Number)Capacité de jonction à polarisation nulle - (Mesuré en Farad) - La capacité de jonction à polarisation nulle fait référence au potentiel intégré d'une jonction semi-conductrice lorsqu'aucune tension externe (polarisation) ne lui est appliquée.
Permitivité du silicium - (Mesuré en Farad par mètre) - La permittivité du silicium est une propriété matérielle qui décrit la façon dont un matériau réagit à un champ électrique.
Concentration dopante de l'accepteur - (Mesuré en Électrons par mètre cube) - La concentration de dopage de l'accepteur fait référence à la concentration d'atomes accepteurs intentionnellement ajoutés à un matériau semi-conducteur.
Concentration dopante du donneur - (Mesuré en Électrons par mètre cube) - La concentration dopante du donneur fait référence à la concentration d’atomes donneurs intentionnellement ajoutés à un matériau semi-conducteur.
Potentiel de jonction intégré - (Mesuré en Volt) - Le potentiel de jonction intégré fait référence à la différence de potentiel ou à la tension qui existe aux bornes d'une jonction semi-conductrice lorsqu'elle n'est pas connectée à une source de tension externe.

(Calcul effectué en 00.020 secondes)