Porte NAND de tension XOR Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Porte NAND de tension XOR = (Capacité 2*Tension du collecteur de base)/(Capacité 1+Capacité 2)
Vx = (Cy*Vbc)/(Cx+Cy)
Cette formule utilise 4 Variables
Variables utilisées
Porte NAND de tension XOR - (Mesuré en Volt) - XOR Tension Nand Gate est la tension dans la direction X dans la porte NAND.
Capacité 2 - (Mesuré en Farad) - La capacité 2 est exprimée comme le rapport entre la charge électrique de chaque conducteur et la différence de potentiel (c'est-à-dire la tension) entre eux.
Tension du collecteur de base - (Mesuré en Volt) - La tension du collecteur de base est un paramètre crucial dans la polarisation des transistors. Il fait référence à la différence de tension entre les bornes de base et de collecteur du transistor lorsqu'il est dans son état actif.
Capacité 1 - (Mesuré en Farad) - La capacité 1 est exprimée comme le rapport entre la charge électrique de chaque conducteur et la différence de potentiel (c'est-à-dire la tension) entre eux.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Capacité 2: 3.1 Millifarad --> 0.0031 Farad (Vérifiez la conversion ​ici)
Tension du collecteur de base: 2.02 Volt --> 2.02 Volt Aucune conversion requise
Capacité 1: 4 Millifarad --> 0.004 Farad (Vérifiez la conversion ​ici)
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
Vx = (Cy*Vbc)/(Cx+Cy) --> (0.0031*2.02)/(0.004+0.0031)
Évaluer ... ...
Vx = 0.881971830985915
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
0.881971830985915 Volt --> Aucune conversion requise
RÉPONSE FINALE
0.881971830985915 0.881972 Volt <-- Porte NAND de tension XOR
(Calcul effectué en 00.020 secondes)

Crédits

Creator Image
Créé par Shobhit Dimri
Institut de technologie Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri a créé cette calculatrice et 900+ autres calculatrices!
Verifier Image
Vérifié par Anshika Arya
Institut national de technologie (LENTE), Hamirpur
Anshika Arya a validé cette calculatrice et 2500+ autres calculatrices!

Caractéristiques temporelles CMOS Calculatrices

Temps d'ouverture pour une entrée descendante
​ LaTeX ​ Aller Temps d'ouverture pour une entrée descendante = Temps de configuration à logique basse+Temps de maintien à logique élevée
Temps de configuration à basse logique
​ LaTeX ​ Aller Temps de configuration à logique basse = Temps d'ouverture pour une entrée descendante-Temps de maintien à logique élevée
Temps d'ouverture pour une entrée croissante
​ LaTeX ​ Aller Temps d'ouverture pour une entrée croissante = Temps de configuration à logique élevée+Temps de maintien à logique basse
Temps de configuration à logique haute
​ LaTeX ​ Aller Temps de configuration à logique élevée = Temps d'ouverture pour une entrée croissante-Temps de maintien à logique basse

Porte NAND de tension XOR Formule

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Porte NAND de tension XOR = (Capacité 2*Tension du collecteur de base)/(Capacité 1+Capacité 2)
Vx = (Cy*Vbc)/(Cx+Cy)

Expliquez les conséquences du partage des charges.

Les portes dynamiques sont sujettes à des problèmes de partage des charges. Le partage de charge est le plus sérieux lorsque la sortie est légèrement chargée et que la capacité interne est grande. Par exemple, les portes NAND dynamiques à 4 entrées et les portes AOI complexes peuvent partager la charge entre plusieurs nœuds. Si le bruit de partage de charge est faible, le gardien restaurera éventuellement la sortie dynamique sur VDD. Cependant, si le bruit de partage de charge est important, la sortie peut basculer et éteindre le gardien, entraînant des résultats incorrects.

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