Délai « XOR » Calculatrice

✖Le temps d'ondulation d'un circuit additionneur à ondulation de retenue est défini comme le temps calculé pour le retard du chemin critique.ⓘ Temps d'ondulation [T_ripple]			+10% -10%
✖Le délai de propagation fait généralement référence au temps de montée ou de descente des portes logiques. C'est le temps qu'il faut à une porte logique pour changer son état de sortie en fonction d'un changement de l'état d'entrée.ⓘ Délai de propagation [t_pg]			+10% -10%
✖Les portes sur le chemin critique sont définies comme le nombre total de portes logiques requises pendant un temps de cycle dans CMOS.ⓘ Portes sur le chemin critique [N_gates]			+10% -10%
✖Le délai de la porte ET-OU dans la cellule grise est défini comme le retard du temps de calcul dans la porte ET/OU lorsque la logique la traverse.ⓘ Délai de porte ET-OU [T_ao]			+10% -10%

✖XOR Delay est le délai de propagation de la porte XOR.ⓘ Délai « XOR » [T_xor]

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Délai « XOR » Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Délai XOR = Temps d'ondulation-(Délai de propagation+(Portes sur le chemin critique-1)*Délai de porte ET-OU)
T_xor = T_ripple-(t_pg+(N_gates-1)*T_ao)
Cette formule utilise 5 Variables

Variables utilisées

Délai XOR - (Mesuré en Deuxième) - XOR Delay est le délai de propagation de la porte XOR.
Temps d'ondulation - (Mesuré en Deuxième) - Le temps d'ondulation d'un circuit additionneur à ondulation de retenue est défini comme le temps calculé pour le retard du chemin critique.
Délai de propagation - (Mesuré en Deuxième) - Le délai de propagation fait généralement référence au temps de montée ou de descente des portes logiques. C'est le temps qu'il faut à une porte logique pour changer son état de sortie en fonction d'un changement de l'état d'entrée.
Portes sur le chemin critique - Les portes sur le chemin critique sont définies comme le nombre total de portes logiques requises pendant un temps de cycle dans CMOS.
Délai de porte ET-OU - (Mesuré en Deuxième) - Le délai de la porte ET-OU dans la cellule grise est défini comme le retard du temps de calcul dans la porte ET/OU lorsque la logique la traverse.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Temps d'ondulation: 30 Nanoseconde --> 3E-08 Deuxième (Vérifiez la conversion ici)
Délai de propagation: 8.01 Nanoseconde --> 8.01E-09 Deuxième (Vérifiez la conversion ici)
Portes sur le chemin critique: 11 --> Aucune conversion requise
Délai de porte ET-OU: 2.05 Nanoseconde --> 2.05E-09 Deuxième (Vérifiez la conversion ici)

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

T_xor = T_ripple-(t_pg+(N_gates-1)*T_ao) --> 3E-08-(8.01E-09+(11-1)*2.05E-09)

Évaluer ... ...

T_xor = 1.49E-09

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

1.49E-09 Deuxième -->1.49 Nanoseconde (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

1.49 Nanoseconde <-- Délai XOR

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Shobhit Dimri

Institut de technologie Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri a créé cette calculatrice et 900+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

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Délai « XOR »

LaTeX Aller Délai XOR = Temps d'ondulation-(Délai de propagation+(Portes sur le chemin critique-1)*Délai de porte ET-OU)

Retard du chemin critique de l'additionneur de report d'ondulation

LaTeX Aller Temps d'ondulation = Délai de propagation+(Portes sur le chemin critique-1)*Délai de porte ET-OU+Délai XOR

Capacité au sol

LaTeX Aller Capacité au sol = ((Tension de l'agresseur*Capacité adjacente)/Tension de la victime)-Capacité adjacente

N-Bit Carry-Skip Adder

LaTeX Aller Additionneur de sauts de transport N-bits = Porte ET à entrée N*Entrée K ET Porte

Délai « XOR » Formule

LaTeX Aller

Délai XOR = Temps d'ondulation-(Délai de propagation+(Portes sur le chemin critique-1)*Délai de porte ET-OU)
T_xor = T_ripple-(t_pg+(N_gates-1)*T_ao)

Qu'est-ce que le verrouillage?

Le verrouillage se rapporte à un mécanisme de défaillance dans lequel un thyristor parasite (tel qu'un redresseur contrôlé au silicium parasite ou SCR) est créé par inadvertance dans un circuit, provoquant le passage continu d'une grande quantité de courant une fois qu'il est accidentellement déclenché ou allumé . Selon les circuits impliqués, la quantité de courant produite par ce mécanisme peut être suffisamment importante pour entraîner la destruction permanente de l'appareil en raison d'une surcharge électrique (EOS).

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