Fonction de travail dans MOSFET Calculatrice

✖Le niveau de vide est un niveau d'énergie théorique qui fournit une base de référence pour comprendre les niveaux d'énergie dans les régions semi-conductrices et métalliques du MOSFET.ⓘ Niveau de vide [qχ]			+10% -10%
✖Le niveau d'énergie de la bande de conduction est une bande d'énergie au sein du matériau semi-conducteur où les électrons peuvent se déplacer librement et contribuer à la conduction électrique.ⓘ Niveau d'énergie de la bande de conduction [E_c]			+10% -10%
✖Le niveau de Fermi représente le niveau d'énergie auquel les électrons ont une probabilité de 50 % d'être occupés à une température nulle absolue.ⓘ Niveau de Fermi [E_F]			+10% -10%

✖La fonction de travail est l'énergie nécessaire pour qu'un électron se déplace du niveau de Fermi vers l'espace libre.ⓘ Fonction de travail dans MOSFET [qΦ_S]

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Fonction de travail dans MOSFET Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Fonction de travail = Niveau de vide+(Niveau d'énergie de la bande de conduction-Niveau de Fermi)
qΦ_S = qχ+(E_c-E_F)
Cette formule utilise 4 Variables

Variables utilisées

Fonction de travail - (Mesuré en Volt) - La fonction de travail est l'énergie nécessaire pour qu'un électron se déplace du niveau de Fermi vers l'espace libre.
Niveau de vide - (Mesuré en Joule) - Le niveau de vide est un niveau d'énergie théorique qui fournit une base de référence pour comprendre les niveaux d'énergie dans les régions semi-conductrices et métalliques du MOSFET.
Niveau d'énergie de la bande de conduction - (Mesuré en Joule) - Le niveau d'énergie de la bande de conduction est une bande d'énergie au sein du matériau semi-conducteur où les électrons peuvent se déplacer librement et contribuer à la conduction électrique.
Niveau de Fermi - (Mesuré en Joule) - Le niveau de Fermi représente le niveau d'énergie auquel les électrons ont une probabilité de 50 % d'être occupés à une température nulle absolue.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Niveau de vide: 5.1 Électron-volt --> 8.17110438300004E-19 Joule (Vérifiez la conversion ici)
Niveau d'énergie de la bande de conduction: 3.01 Électron-volt --> 4.82255376330002E-19 Joule (Vérifiez la conversion ici)
Niveau de Fermi: 5.24 Électron-volt --> 8.39540920920004E-19 Joule (Vérifiez la conversion ici)

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

qΦ_S = qχ+(E_c-E_F) --> 8.17110438300004E-19+(4.82255376330002E-19-8.39540920920004E-19)

Évaluer ... ...

qΦ_S = 4.59824893710002E-19

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

4.59824893710002E-19 Volt --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

4.59824893710002E-19 ≈ 4.6E-19 Volt <-- Fonction de travail

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par banuprakash

Collège d'ingénierie Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

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Vérifié par Dipanjona Mallick

Institut du patrimoine de technologie (HITK), Calcutta

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Facteur d’équivalence de tension des parois latérales

LaTeX Aller Facteur d’équivalence de tension des parois latérales = -(2*sqrt(Potentiel intégré des jonctions des parois latérales)/(Tension finale-Tension initiale)*(sqrt(Potentiel intégré des jonctions des parois latérales-Tension finale)-sqrt(Potentiel intégré des jonctions des parois latérales-Tension initiale)))

Potentiel de Fermi pour le type P

LaTeX Aller Potentiel de Fermi pour le type P = ([BoltZ]*Température absolue)/[Charge-e]*ln(Concentration intrinsèque de porteurs/Concentration dopante de l'accepteur)

Capacité équivalente à grande jonction de signal

LaTeX Aller Capacité équivalente à grande jonction de signal = Périmètre du flanc*Capacité de jonction des parois latérales*Facteur d’équivalence de tension des parois latérales

Capacité de jonction de paroi latérale à polarisation nulle par unité de longueur

LaTeX Aller Capacité de jonction des parois latérales = Potentiel de jonction des parois latérales sans polarisation*Profondeur du flanc