Largeur de diffusion de la source Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Largeur de transition = Zone de diffusion de la source/Longueur de la source
W = As/Ds
Cette formule utilise 3 Variables
Variables utilisées
Largeur de transition - (Mesuré en Mètre) - La largeur de transition est définie comme l'augmentation de la largeur lorsque la tension drain-source augmente, ce qui entraîne la transition de la région triode vers la région de saturation.
Zone de diffusion de la source - (Mesuré en Mètre carré) - La zone de diffusion de la source est définie comme le mouvement net de quelque chose depuis une région de concentration plus élevée vers une région de concentration plus faible dans la porte source.
Longueur de la source - (Mesuré en Mètre) - La longueur de la source est définie comme la longueur totale observée à la jonction source du MOSFET.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Zone de diffusion de la source: 5479 Millimètre carré --> 0.005479 Mètre carré (Vérifiez la conversion ​ici)
Longueur de la source: 61 Millimètre --> 0.061 Mètre (Vérifiez la conversion ​ici)
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
W = As/Ds --> 0.005479/0.061
Évaluer ... ...
W = 0.0898196721311476
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
0.0898196721311476 Mètre -->89.8196721311476 Millimètre (Vérifiez la conversion ​ici)
RÉPONSE FINALE
89.8196721311476 89.81967 Millimètre <-- Largeur de transition
(Calcul effectué en 00.004 secondes)

Crédits

Creator Image
Créé par Shobhit Dimri
Institut de technologie Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri a créé cette calculatrice et 900+ autres calculatrices!
Verifier Image
Vérifié par Urvi Rathod
Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

Caractéristiques des circuits CMOS Calculatrices

Largeur de diffusion de la source
​ Aller Largeur de transition = Zone de diffusion de la source/Longueur de la source
Zone de diffusion de la source
​ Aller Zone de diffusion de la source = Longueur de la source*Largeur de transition
CMOS Moyenne Parcours Libre
​ Aller Libre parcours moyen = Tension critique dans CMOS/Champ électrique critique
Tension critique CMOS
​ Aller Tension critique dans CMOS = Champ électrique critique*Libre parcours moyen

Largeur de diffusion de la source Formule

Largeur de transition = Zone de diffusion de la source/Longueur de la source
W = As/Ds

Quelles sont les applications de la Source Diffusion ?

La diffusion de source est un processus critique dans la technologie CMOS, avec de nombreuses applications. Il est utilisé pour réduire les dimensions des transistors, améliorer les performances des circuits consécutifs et augmenter la vitesse globale des puces. De plus, la diffusion de source facilite l'intégration de plusieurs transistors sur une seule puce, permettant la fabrication de circuits intégrés complexes et haute densité.

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