Largeur de la zone d'appauvrissement Calculatrice

✖La densité de dopage fait référence à la concentration d'atomes dopants dans un matériau semi-conducteur. Les dopants sont des atomes d’impuretés intentionnellement introduits dans le semi-conducteur.ⓘ Densité du dopage [N_d]			+10% -10%
✖La barrière potentielle Schottky agit comme une barrière pour les électrons et la hauteur de la barrière dépend de la différence de travail de travail entre les deux matériaux.ⓘ Barrière potentielle Schottky [V_i]			+10% -10%
✖La tension de grille est la tension développée à la jonction grille-source d'un transistor JFET.ⓘ Tension de porte [V_g]			+10% -10%

✖La largeur de la région d'appauvrissement est une région d'un dispositif semi-conducteur où il n'y a pas de porteurs de charge gratuits.ⓘ Largeur de la zone d'appauvrissement [x_depl]

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Largeur de la zone d'appauvrissement Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Largeur de la région d'épuisement = sqrt((([Permitivity-silicon]*2)/([Charge-e]*Densité du dopage))*(Barrière potentielle Schottky-Tension de porte))
x_depl = sqrt((([Permitivity-silicon]*2)/([Charge-e]*N_d))*(V_i-V_g))
Cette formule utilise 2 Constantes, 1 Les fonctions, 4 Variables

Constantes utilisées

[Permitivity-silicon] - Permittivité du silicium Valeur prise comme 11.7
[Charge-e] - Charge d'électron Valeur prise comme 1.60217662E-19

Fonctions utilisées

sqrt - Une fonction racine carrée est une fonction qui prend un nombre non négatif comme entrée et renvoie la racine carrée du nombre d'entrée donné., sqrt(Number)

Variables utilisées

Largeur de la région d'épuisement - (Mesuré en Mètre) - La largeur de la région d'appauvrissement est une région d'un dispositif semi-conducteur où il n'y a pas de porteurs de charge gratuits.
Densité du dopage - (Mesuré en 1 par mètre cube) - La densité de dopage fait référence à la concentration d'atomes dopants dans un matériau semi-conducteur. Les dopants sont des atomes d’impuretés intentionnellement introduits dans le semi-conducteur.
Barrière potentielle Schottky - (Mesuré en Volt) - La barrière potentielle Schottky agit comme une barrière pour les électrons et la hauteur de la barrière dépend de la différence de travail de travail entre les deux matériaux.
Tension de porte - (Mesuré en Volt) - La tension de grille est la tension développée à la jonction grille-source d'un transistor JFET.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Densité du dopage: 9E+22 1 par centimètre cube --> 9E+28 1 par mètre cube (Vérifiez la conversion ici)
Barrière potentielle Schottky: 15.9 Volt --> 15.9 Volt Aucune conversion requise
Tension de porte: 0.25 Volt --> 0.25 Volt Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

x_depl = sqrt((([Permitivity-silicon]*2)/([Charge-e]*N_d))*(V_i-V_g)) --> sqrt((([Permitivity-silicon]*2)/([Charge-e]*9E+28))*(15.9-0.25))

Évaluer ... ...

x_depl = 0.000159363423174517

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

0.000159363423174517 Mètre --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

0.000159363423174517 ≈ 0.000159 Mètre <-- Largeur de la région d'épuisement

(Calcul effectué en 00.020 secondes)

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Crédits

Créé par Sonu Kumar Keshri

Institut national de technologie, Patna (NITP), Patna

Sonu Kumar Keshri a créé cette calculatrice et 5 autres calculatrices!

Vérifié par Parminder Singh

Université de Chandigarh (UC), Pendjab

Parminder Singh a validé cette calculatrice et 500+ autres calculatrices!

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Paramètre de groupement de Klystron

LaTeX Aller Paramètre de regroupement = (Coefficient de couplage de poutre*Amplitude du signal d'entrée*Variation angulaire)/(2*Tension du groupe de cathodes)

Conductance de chargement du faisceau

LaTeX Aller Conductance de charge du faisceau = Conductance de la cavité-(Conductance chargée+Conductance de perte de cuivre)

Cuivre Perte de Cavité

LaTeX Aller Conductance de perte de cuivre = Conductance de la cavité-(Conductance de charge du faisceau+Conductance chargée)

Conductance de la cavité

LaTeX Aller Conductance de la cavité = Conductance chargée+Conductance de perte de cuivre+Conductance de charge du faisceau