Facteur de conversion tension-fréquence dans les circuits intégrés Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Facteur de conversion tension-fréquence dans les circuits intégrés = Fréquence du signal de sortie/Tension d'entrée
Kv = fo/Vi
Cette formule utilise 3 Variables
Variables utilisées
Facteur de conversion tension-fréquence dans les circuits intégrés - (Mesuré en Hertz par volt) - Le facteur de conversion tension-fréquence dans les circuits intégrés est un processus dans lequel un signal de tension d'entrée est converti en une sortie de fréquence correspondante.
Fréquence du signal de sortie - (Mesuré en Hertz) - La fréquence du signal de sortie fait référence à la vitesse à laquelle un signal change ou oscille dans un système électrique ou électronique.
Tension d'entrée - (Mesuré en Volt) - La tension d'entrée est la différence de potentiel électrique appliquée aux bornes d'entrée d'un composant ou d'un système.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Fréquence du signal de sortie: 1.1 Hertz --> 1.1 Hertz Aucune conversion requise
Tension d'entrée: 2.25 Volt --> 2.25 Volt Aucune conversion requise
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
Kv = fo/Vi --> 1.1/2.25
Évaluer ... ...
Kv = 0.488888888888889
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
0.488888888888889 Hertz par volt --> Aucune conversion requise
RÉPONSE FINALE
0.488888888888889 0.488889 Hertz par volt <-- Facteur de conversion tension-fréquence dans les circuits intégrés
(Calcul effectué en 00.004 secondes)

Crédits

Creator Image
Créé par banuprakash
Collège d'ingénierie Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore
banuprakash a créé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!
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Vérifié par Santhosh Yadav
Collège d'ingénierie Dayananda Sagar (DSCE), Banglore
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Fabrication de circuits intégrés bipolaires Calculatrices

Conductivité de type N
​ LaTeX ​ Aller Conductivité Ohmique = Charge*(Mobilité du silicium dopé électroniquement*Concentration d'équilibre de type N+Mobilité du silicium dopé par trous*(Concentration intrinsèque^2/Concentration d'équilibre de type N))
Conductivité ohmique des impuretés
​ LaTeX ​ Aller Conductivité Ohmique = Charge*(Mobilité du silicium dopé électroniquement*Concentration d'électrons+Mobilité du silicium dopé par trous*Concentration des trous)
Impureté à concentration intrinsèque
​ LaTeX ​ Aller Concentration intrinsèque = sqrt((Concentration d'électrons*Concentration des trous)/Impureté de température)
Tension de rupture de l'émetteur collecteur
​ LaTeX ​ Aller Tension de rupture du collecteur et de l'émetteur = Tension de rupture de la base du collecteur/(Gain actuel du BJT)^(1/Numéro racine)

Facteur de conversion tension-fréquence dans les circuits intégrés Formule

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Facteur de conversion tension-fréquence dans les circuits intégrés = Fréquence du signal de sortie/Tension d'entrée
Kv = fo/Vi
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