Variation de tension sur Bitline Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Variation de tension sur Bitline = (Tension positive/2)*Capacité cellulaire/(Capacité cellulaire+Capacité des bits)
ΔV = (Vdd/2)*Ccell/(Ccell+Cbit)
Cette formule utilise 4 Variables
Variables utilisées
Variation de tension sur Bitline - (Mesuré en Volt) - L'oscillation de tension sur Bitline est définie comme une architecture SRAM bitline locale à oscillation complète, basée sur la technologie FinFET 22 nm pour un fonctionnement basse tension.
Tension positive - (Mesuré en Volt) - La tension positive est définie comme la tension calculée lorsque le circuit est connecté à l'alimentation. Elle est généralement appelée Vdd ou alimentation du circuit.
Capacité cellulaire - (Mesuré en Farad) - La capacité cellulaire est la capacité d’une cellule individuelle.
Capacité des bits - (Mesuré en Farad) - La capacité du bit est la capacité d'un bit en cmos vlsi.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Tension positive: 2.58 Volt --> 2.58 Volt Aucune conversion requise
Capacité cellulaire: 5.98 picofarad --> 5.98E-12 Farad (Vérifiez la conversion ​ici)
Capacité des bits: 12.38 picofarad --> 1.238E-11 Farad (Vérifiez la conversion ​ici)
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
ΔV = (Vdd/2)*Ccell/(Ccell+Cbit) --> (2.58/2)*5.98E-12/(5.98E-12+1.238E-11)
Évaluer ... ...
ΔV = 0.42016339869281
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
0.42016339869281 Volt --> Aucune conversion requise
RÉPONSE FINALE
0.42016339869281 0.420163 Volt <-- Variation de tension sur Bitline
(Calcul effectué en 00.004 secondes)

Crédits

Creator Image
Créé par Shobhit Dimri
Institut de technologie Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri a créé cette calculatrice et 900+ autres calculatrices!
Verifier Image
Vérifié par Urvi Rathod
Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

Sous-système de chemin de données de tableau Calculatrices

Délai « XOR »
​ LaTeX ​ Aller Délai XOR = Temps d'ondulation-(Délai de propagation+(Portes sur le chemin critique-1)*Délai de porte ET-OU)
Retard du chemin critique de l'additionneur de report d'ondulation
​ LaTeX ​ Aller Temps d'ondulation = Délai de propagation+(Portes sur le chemin critique-1)*Délai de porte ET-OU+Délai XOR
Capacité au sol
​ LaTeX ​ Aller Capacité au sol = ((Tension de l'agresseur*Capacité adjacente)/Tension de la victime)-Capacité adjacente
N-Bit Carry-Skip Adder
​ LaTeX ​ Aller Additionneur de sauts de transport N-bits = Porte ET à entrée N*Entrée K ET Porte

Variation de tension sur Bitline Formule

​LaTeX ​Aller
Variation de tension sur Bitline = (Tension positive/2)*Capacité cellulaire/(Capacité cellulaire+Capacité des bits)
ΔV = (Vdd/2)*Ccell/(Ccell+Cbit)

Qu'est-ce que les RAM dynamiques (DRAM) ?

Les RAM dynamiques (DRAM) stockent leur contenu sous forme de charge sur un condensateur plutôt que dans une boucle de rétroaction. Les DRAM commerciales sont construites dans des processus spécialisés optimisés pour les structures de condensateurs denses. Ils offrent une densité 10 à 20 fois supérieure (bits/cm2) à la SRAM hautes performances intégrée dans un processus logique standard, mais ils ont également une latence beaucoup plus élevée. La cellule est accessible en affirmant la ligne de mots pour connecter le condensateur à la ligne de bits. Lors d'une lecture, la ligne de bits est d'abord préchargée sur VDD/2. Lorsque la ligne de mots monte, le condensateur partage sa charge avec la ligne de bits, provoquant un changement de tension qui peut être détecté. La lecture perturbe le contenu de la cellule en x, la cellule doit donc être réécrite après chaque lecture. Lors d'une écriture, la ligne de bits est entraînée vers le haut ou vers le bas et la tension est forcée sur le condensateur. Certaines DRAM dirigent la ligne de mot vers VDDP = VDD Vt pour éviter un niveau dégradé lors de l'écriture d'un « 1 ».

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