✖Le FET à transconductance directe fait référence à la modification du courant de sortie résultant d'une modification de la tension d'entrée, indiquant la capacité d'amplification de l'appareil.ⓘ FET à transconductance directe [G_m(fet)]			+10% -10%
✖La résistance de drain FET est la résistance offerte par la borne de drain au courant de drain dans un FET.ⓘ FET de résistance de drainage [R_d(fet)]			+10% -10%

✖Le gain de tension FET est déterminé par la transconductance du JFET et la résistance de charge.ⓘ Gain de tension du FET [A_v(fet)]

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Formule

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Gain de tension du FET

Formule

`"A"_{"v(fet)"} = -"G"_{"m(fet)"}*"R"_{"d(fet)"}`

Exemple

`"-0.0064V"=-"0.02mS"*"0.32kΩ"`

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Gain de tension du FET Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Gain de tension FET = -FET à transconductance directe*FET de résistance de drainage
A_v(fet) = -G_m(fet)*R_d(fet)
Cette formule utilise 3 Variables

Variables utilisées

Gain de tension FET - (Mesuré en Volt) - Le gain de tension FET est déterminé par la transconductance du JFET et la résistance de charge.
FET à transconductance directe - (Mesuré en Siemens) - Le FET à transconductance directe fait référence à la modification du courant de sortie résultant d'une modification de la tension d'entrée, indiquant la capacité d'amplification de l'appareil.
FET de résistance de drainage - (Mesuré en Ohm) - La résistance de drain FET est la résistance offerte par la borne de drain au courant de drain dans un FET.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

FET à transconductance directe: 0.02 millisiemens --> 2E-05 Siemens (Vérifiez la conversion ici)
FET de résistance de drainage: 0.32 Kilohm --> 320 Ohm (Vérifiez la conversion ici)

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

A_v(fet) = -G_m(fet)*R_d(fet) --> -2E-05*320

Évaluer ... ...

A_v(fet) = -0.0064

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

-0.0064 Volt --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

-0.0064 Volt <-- Gain de tension FET

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Mohamed Fazil V

Institut de technologie Acharya (ACI), Bangalore

Mohamed Fazil V a créé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!

Vérifié par Parminder Singh

Université de Chandigarh (UC), Pendjab

Parminder Singh a validé cette calculatrice et 500+ autres calculatrices!

< 8 FET Calculatrices

Courant de drainage de la région ohmique du FET

Aller Courant de vidange FET = FET de conductance de canal*(Tension de source de drain FET+3/2*((FET de potentiel de surface+Tension de source de drain FET-Tension de source de drain FET)^(3/2)-(FET de potentiel de surface+Tension de source de drain FET)^(3/2))/((FET de potentiel de surface+Tension de pincement)^(1/2)))

Transconductance du FET

Aller FET à transconductance directe = (2*Courant de drain de polarisation zéro)/Tension de pincement*(1-Tension de source de drain FET/Tension de pincement)

Tension de source de drain du FET

Aller Tension de source de drain FET = Tension d'alimentation au drain FET-Courant de vidange FET*(FET de résistance de drainage+Source Résistance FET)

Capacité de source de porte du FET

Aller FET de capacité de source de porte = Capacité de la source de porte Temps d'arrêt FET/(1-(Tension de source de drain FET/FET de potentiel de surface))^(1/3)

Capacité de drain de grille du FET

Aller Capacité de drain de porte FET = Capacité de drain de grille Temps d'arrêt FET/(1-Tension porte à drain FET/FET de potentiel de surface)^(1/3)

Courant de drain du FET

Aller Courant de vidange FET = Courant de drain de polarisation zéro*(1-Tension de source de drain FET/Tension de coupure FET)^2

Pincer la tension du FET

Aller Tension de pincement = Pincez OFF Drain Source Tension FET-Tension de source de drain FET

Gain de tension du FET

Aller Gain de tension FET = -FET à transconductance directe*FET de résistance de drainage

Gain de tension du FET Formule

Gain de tension FET = -FET à transconductance directe*FET de résistance de drainage
A_v(fet) = -G_m(fet)*R_d(fet)

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