Résistance dépendante de la tension dans MOSFET Calculatrice

✖La tension effective dans un MOSFET (Transistor à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur) est la tension qui détermine le comportement de l'appareil. Elle est également connue sous le nom de tension grille-source.ⓘ Tension efficace [V_eff]			+10% -10%
✖Le courant de drain est le courant qui circule entre les bornes de drain et de source d'un transistor à effet de champ (FET), qui est un type de transistor couramment utilisé dans les circuits électroniques.ⓘ Courant de vidange [i_d]			+10% -10%

✖Une résistance finie signifie simplement que la résistance dans un circuit n’est ni infinie ni nulle. En d’autres termes, le circuit présente une certaine résistance, ce qui peut affecter le comportement du circuit.ⓘ Résistance dépendante de la tension dans MOSFET [R_fi]

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Résistance dépendante de la tension dans MOSFET Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Résistance finie = Tension efficace/Courant de vidange
R_fi = V_eff/i_d
Cette formule utilise 3 Variables

Variables utilisées

Résistance finie - (Mesuré en Ohm) - Une résistance finie signifie simplement que la résistance dans un circuit n’est ni infinie ni nulle. En d’autres termes, le circuit présente une certaine résistance, ce qui peut affecter le comportement du circuit.
Tension efficace - (Mesuré en Volt) - La tension effective dans un MOSFET (Transistor à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur) est la tension qui détermine le comportement de l'appareil. Elle est également connue sous le nom de tension grille-source.
Courant de vidange - (Mesuré en Ampère) - Le courant de drain est le courant qui circule entre les bornes de drain et de source d'un transistor à effet de champ (FET), qui est un type de transistor couramment utilisé dans les circuits électroniques.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Tension efficace: 1.7 Volt --> 1.7 Volt Aucune conversion requise
Courant de vidange: 0.08 Milliampère --> 8E-05 Ampère (Vérifiez la conversion ici)

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

R_fi = V_eff/i_d --> 1.7/8E-05

Évaluer ... ...

R_fi = 21250

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

21250 Ohm -->21.25 Kilohm (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

21.25 Kilohm <-- Résistance finie

(Calcul effectué en 00.020 secondes)

Tu es là -

Accueil » Ingénierie » Électronique » MOSFET » Électronique analogique » Résistance » Résistance dépendante de la tension dans MOSFET

Crédits

Créé par Suma Madhuri

Université VIT (VIT), Chennai

Suma Madhuri a créé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!

Vérifié par Simran Shravan Nishad

Collège d'ingénierie de Sinhgad (SCOE), Puné

Simran Shravan Nishad a validé cette calculatrice et 2 autres calculatrices!

< Résistance Calculatrices

MOSFET comme résistance linéaire compte tenu du rapport d'aspect

LaTeX Aller Résistance linéaire = Longueur du canal/(Mobilité des électrons à la surface du canal*Capacité d'oxyde*Largeur de canal*Tension efficace)

Résistance finie entre le drain et la source

LaTeX Aller Résistance finie = modulus(Tension CC positive)/Courant de vidange

Libre parcours moyen des électrons

LaTeX Aller Libre parcours moyen des électrons = 1/(Résistance de sortie*Courant de vidange)

Résistance de sortie de vidange

LaTeX Aller Résistance de sortie = 1/(Libre parcours moyen des électrons*Courant de vidange)

Résistance dépendante de la tension dans MOSFET Formule

LaTeX Aller

Résistance finie = Tension efficace/Courant de vidange
R_fi = V_eff/i_d

Quelles sont les applications du MOSFET ?

Les MOSFET ont un large éventail d'applications dans les circuits électroniques, notamment l'amplification de signaux faibles, la commutation d'appareils électroniques et le contrôle du flux de courant dans les circuits numériques. Ils sont également utilisés dans l'électronique de puissance, les circuits radiofréquences (RF) et dans les interfaces des systèmes informatiques et des périphériques.

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