✖Le courant direct (IGBT) est le courant maximum qui peut traverser l'appareil lorsqu'il est allumé.ⓘ Courant direct (IGBT) [if(igbt)] | | | +10% -10% |
✖La résistance du canal N (IGBT) est la résistance du matériau semi-conducteur dans l'appareil lorsque l'IGBT est allumé.ⓘ Résistance du canal N (IGBT) [Rch(igbt)] | | | +10% -10% |
✖La résistance à la dérive (IGBT) est la région de dérive N du matériau semi-conducteur du dispositif. La région de dérive N est un silicium dopé épais qui sépare le collecteur de la région de base P.ⓘ Résistance à la dérive (IGBT) [Rd(igbt)] | | | +10% -10% |
✖La tension Pn Junction 1 (IGBT) est provoquée par la barrière de potentiel qui existe à la jonction. Cette barrière de potentiel est créée par la diffusion de porteurs de charge à travers la jonction.ⓘ Tension Pn Jonction 1 (IGBT) [Vj1(igbt)] | | | +10% -10% |