Tension aux bornes de la porte à la source du MOSFET sur la tension d'entrée différentielle donnée à la tension de surcharge Calculatrice

✖La tension de seuil, également connue sous le nom de tension de seuil de grille ou simplement Vth, est un paramètre critique dans le fonctionnement des transistors à effet de champ, qui sont des composants fondamentaux de l'électronique moderne.ⓘ Tension de seuil [V_th]			+10% -10%
✖La tension effective dans un MOSFET (Transistor à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur) est la tension qui détermine le comportement de l'appareil. Elle est également connue sous le nom de tension grille-source.ⓘ Tension efficace [V_eff]			+10% -10%

✖La tension grille-source est un paramètre critique qui affecte le fonctionnement d'un FET et est souvent utilisée pour contrôler le comportement du dispositif.ⓘ Tension aux bornes de la porte à la source du MOSFET sur la tension d'entrée différentielle donnée à la tension de surcharge [V_gs]

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Tension aux bornes de la porte à la source du MOSFET sur la tension d'entrée différentielle donnée à la tension de surcharge Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Tension grille-source = Tension de seuil+1.4*Tension efficace
V_gs = V_th+1.4*V_eff
Cette formule utilise 3 Variables

Variables utilisées

Tension grille-source - (Mesuré en Volt) - La tension grille-source est un paramètre critique qui affecte le fonctionnement d'un FET et est souvent utilisée pour contrôler le comportement du dispositif.
Tension de seuil - (Mesuré en Volt) - La tension de seuil, également connue sous le nom de tension de seuil de grille ou simplement Vth, est un paramètre critique dans le fonctionnement des transistors à effet de champ, qui sont des composants fondamentaux de l'électronique moderne.
Tension efficace - (Mesuré en Volt) - La tension effective dans un MOSFET (Transistor à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur) est la tension qui détermine le comportement de l'appareil. Elle est également connue sous le nom de tension grille-source.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Tension de seuil: 2.3 Volt --> 2.3 Volt Aucune conversion requise
Tension efficace: 1.7 Volt --> 1.7 Volt Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

V_gs = V_th+1.4*V_eff --> 2.3+1.4*1.7

Évaluer ... ...

V_gs = 4.68

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

4.68 Volt --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

4.68 Volt <-- Tension grille-source

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Payal Priya

Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri

Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

Vérifié par Anshika Arya

Institut national de technologie (LENTE), Hamirpur

Anshika Arya a validé cette calculatrice et 2500+ autres calculatrices!

< Tension Calculatrices

Tension de sortie au drain Q1 du MOSFET donné Signal de mode commun

LaTeX Aller Tension de vidange Q1 = -Résistance de sortie*(Transconductance*Signal d'entrée en mode commun)/(1+(2*Transconductance*Résistance de sortie))

Tension de sortie au drain Q2 du MOSFET donné Signal de mode commun

LaTeX Aller Tension de vidange Q2 = -(Résistance de sortie/((1/Transconductance)+2*Résistance de sortie))*Signal d'entrée en mode commun

Tension de sortie au drain Q1 du MOSFET

LaTeX Aller Tension de vidange Q1 = -(Résistance de sortie*Courant total)

Tension de sortie au drain Q2 du MOSFET

LaTeX Aller Tension de vidange Q2 = -(Résistance de sortie*Courant total)

Tension aux bornes de la porte à la source du MOSFET sur la tension d'entrée différentielle donnée à la tension de surcharge Formule

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Tension grille-source = Tension de seuil+1.4*Tension efficace
V_gs = V_th+1.4*V_eff

Qu'est-ce que la tension d'entrée différentielle?

La tension d'entrée différentielle est la tension maximale qui peut être fournie aux broches d'entrée (entrée non inverseuse) et d'entrée (entrée inversée) sans endommager ni dégrader les caractéristiques du circuit intégré.

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