Tension aux bornes de la grille et de la source du MOSFET en fonctionnement avec une tension d'entrée différentielle Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Tension grille-source = Tension de seuil+sqrt((2*Courant de polarisation CC)/(Paramètre de transconductance de processus*Ratio d'aspect))
Vgs = Vth+sqrt((2*Ib)/(k'n*WL))
Cette formule utilise 1 Les fonctions, 5 Variables
Fonctions utilisées
sqrt - Une fonction racine carrée est une fonction qui prend un nombre non négatif comme entrée et renvoie la racine carrée du nombre d'entrée donné., sqrt(Number)
Variables utilisées
Tension grille-source - (Mesuré en Volt) - La tension grille-source est un paramètre critique qui affecte le fonctionnement d'un FET et est souvent utilisée pour contrôler le comportement du dispositif.
Tension de seuil - (Mesuré en Volt) - La tension de seuil, également connue sous le nom de tension de seuil de grille ou simplement Vth, est un paramètre critique dans le fonctionnement des transistors à effet de champ, qui sont des composants fondamentaux de l'électronique moderne.
Courant de polarisation CC - (Mesuré en Ampère) - Le courant de polarisation CC est le courant constant qui circule dans un circuit ou un appareil pour établir un certain point de fonctionnement ou point de polarisation.
Paramètre de transconductance de processus - (Mesuré en Ampère par volt carré) - Le paramètre de transconductance de processus (PTM) est un paramètre utilisé dans la modélisation des dispositifs à semi-conducteurs pour caractériser les performances d'un transistor.
Ratio d'aspect - Le rapport d'aspect est défini comme le rapport de la largeur du canal du transistor à sa longueur. C'est le rapport entre la largeur de la porte et la distance entre la source
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Tension de seuil: 2.3 Volt --> 2.3 Volt Aucune conversion requise
Courant de polarisation CC: 985 Milliampère --> 0.985 Ampère (Vérifiez la conversion ​ici)
Paramètre de transconductance de processus: 2.1 Ampère par volt carré --> 2.1 Ampère par volt carré Aucune conversion requise
Ratio d'aspect: 0.1 --> Aucune conversion requise
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
Vgs = Vth+sqrt((2*Ib)/(k'n*WL)) --> 2.3+sqrt((2*0.985)/(2.1*0.1))
Évaluer ... ...
Vgs = 5.36283404397829
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
5.36283404397829 Volt --> Aucune conversion requise
RÉPONSE FINALE
5.36283404397829 5.362834 Volt <-- Tension grille-source
(Calcul effectué en 00.020 secondes)

Crédits

Creator Image
Créé par Payal Priya
Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri
Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!
Verifier Image
Vérifié par Urvi Rathod
Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

Tension Calculatrices

Tension de sortie au drain Q1 du MOSFET donné Signal de mode commun
​ LaTeX ​ Aller Tension de vidange Q1 = -Résistance de sortie*(Transconductance*Signal d'entrée en mode commun)/(1+(2*Transconductance*Résistance de sortie))
Tension de sortie au drain Q2 du MOSFET donné Signal de mode commun
​ LaTeX ​ Aller Tension de vidange Q2 = -(Résistance de sortie/((1/Transconductance)+2*Résistance de sortie))*Signal d'entrée en mode commun
Tension de sortie au drain Q1 du MOSFET
​ LaTeX ​ Aller Tension de vidange Q1 = -(Résistance de sortie*Courant total)
Tension de sortie au drain Q2 du MOSFET
​ LaTeX ​ Aller Tension de vidange Q2 = -(Résistance de sortie*Courant total)

Tension aux bornes de la grille et de la source du MOSFET en fonctionnement avec une tension d'entrée différentielle Formule

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Tension grille-source = Tension de seuil+sqrt((2*Courant de polarisation CC)/(Paramètre de transconductance de processus*Ratio d'aspect))
Vgs = Vth+sqrt((2*Ib)/(k'n*WL))

Qu'est-ce que la tension d'entrée différentielle?

La tension d'entrée différentielle est la tension maximale qui peut être fournie aux broches d'entrée (entrée non inverseuse) et d'entrée (entrée inversée) sans endommager ni dégrader les caractéristiques du circuit intégré.

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