Tension aux bornes de la porte et de la source du MOSFET compte tenu du courant d'entrée Calculatrice

✖Le courant d'entrée peut faire référence au courant électrique qui circule dans un appareil ou un circuit électrique. Ce courant peut être alternatif ou continu selon l'appareil et la source d'alimentation.ⓘ Courant d'entrée [I_in]			+10% -10%
✖La fréquence angulaire de l'onde fait référence au déplacement angulaire par unité de temps. C'est une mesure scalaire du taux de rotation.ⓘ Fréquence angulaire [ω]			+10% -10%
✖La capacité de grille source est une mesure de la capacité entre les électrodes de source et de grille dans un transistor à effet de champ (FET).ⓘ Capacité de la porte source [C_sg]			+10% -10%
✖La capacité grille-drain est une capacité parasite qui existe entre les électrodes de grille et de drain d'un transistor à effet de champ (FET).ⓘ Capacité de vidange de porte [C_gd]			+10% -10%

✖La tension grille-source est un paramètre critique qui affecte le fonctionnement d'un FET et est souvent utilisée pour contrôler le comportement du dispositif.ⓘ Tension aux bornes de la porte et de la source du MOSFET compte tenu du courant d'entrée [V_gs]

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Tension aux bornes de la porte et de la source du MOSFET compte tenu du courant d'entrée Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Tension grille-source = Courant d'entrée/(Fréquence angulaire*(Capacité de la porte source+Capacité de vidange de porte))
V_gs = I_in/(ω*(C_sg+C_gd))
Cette formule utilise 5 Variables

Variables utilisées

Tension grille-source - (Mesuré en Volt) - La tension grille-source est un paramètre critique qui affecte le fonctionnement d'un FET et est souvent utilisée pour contrôler le comportement du dispositif.
Courant d'entrée - (Mesuré en Ampère) - Le courant d'entrée peut faire référence au courant électrique qui circule dans un appareil ou un circuit électrique. Ce courant peut être alternatif ou continu selon l'appareil et la source d'alimentation.
Fréquence angulaire - (Mesuré en Radian par seconde) - La fréquence angulaire de l'onde fait référence au déplacement angulaire par unité de temps. C'est une mesure scalaire du taux de rotation.
Capacité de la porte source - (Mesuré en Farad) - La capacité de grille source est une mesure de la capacité entre les électrodes de source et de grille dans un transistor à effet de champ (FET).
Capacité de vidange de porte - (Mesuré en Farad) - La capacité grille-drain est une capacité parasite qui existe entre les électrodes de grille et de drain d'un transistor à effet de champ (FET).

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Courant d'entrée: 2 Milliampère --> 0.002 Ampère (Vérifiez la conversion ici)
Fréquence angulaire: 33 Radian par seconde --> 33 Radian par seconde Aucune conversion requise
Capacité de la porte source: 8.16 microfarades --> 8.16E-06 Farad (Vérifiez la conversion ici)
Capacité de vidange de porte: 7 microfarades --> 7E-06 Farad (Vérifiez la conversion ici)

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

V_gs = I_in/(ω*(C_sg+C_gd)) --> 0.002/(33*(8.16E-06+7E-06))

Évaluer ... ...

V_gs = 3.99776125369793

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

3.99776125369793 Volt --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

3.99776125369793 ≈ 3.997761 Volt <-- Tension grille-source

(Calcul effectué en 00.020 secondes)

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Crédits

Créé par Payal Priya

Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri

Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

Vérifié par Anshika Arya

Institut national de technologie (LENTE), Hamirpur

Anshika Arya a validé cette calculatrice et 2500+ autres calculatrices!

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LaTeX Aller Tension de vidange Q2 = -(Résistance de sortie*Courant total)

Tension aux bornes de la porte et de la source du MOSFET compte tenu du courant d'entrée Formule

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Tension grille-source = Courant d'entrée/(Fréquence angulaire*(Capacité de la porte source+Capacité de vidange de porte))
V_gs = I_in/(ω*(C_sg+C_gd))

Qu'est-ce que MOSFET et comment fonctionne-t-il?

En général, le MOSFET fonctionne comme un interrupteur, le MOSFET contrôle la tension et le flux de courant entre la source et le drain. Le fonctionnement du MOSFET dépend du condensateur MOS, qui est la surface semi-conductrice sous les couches d'oxyde entre la borne de source et de drain.

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