Tension aux bornes du collecteur-émetteur de l'amplificateur BJT Calculatrice

✖La tension d'alimentation est la source de tension d'entrée qui traverse le BJT.ⓘ Tension d'alimentation [V_DD]			+10% -10%
✖La résistance de charge est la résistance ou l'impédance externe qui est connectée à la sortie d'un circuit ou d'un appareil, et elle est utilisée pour extraire l'alimentation ou le signal du circuit.ⓘ Résistance de charge [R_L]			+10% -10%
✖Le courant de saturation est la densité de courant de fuite de la diode en l'absence de lumière. C'est un paramètre important qui différencie une diode d'une autre.ⓘ Courant de saturation [I_sat]			+10% -10%
✖La tension base-émetteur est la tension directe entre la base et l'émetteur du transistor.ⓘ Tension base-émetteur [V_BE]			+10% -10%
✖La tension de seuil du transistor est la tension minimale entre la grille et la source nécessaire pour créer un chemin conducteur entre les bornes de source et de drain.ⓘ Tension de seuil [V_th]			+10% -10%

✖La tension collecteur-émetteur est le potentiel électrique entre la base et la région du collecteur d'un transistor.ⓘ Tension aux bornes du collecteur-émetteur de l'amplificateur BJT [V_CE]

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Tension aux bornes du collecteur-émetteur de l'amplificateur BJT Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Tension collecteur-émetteur = Tension d'alimentation-Résistance de charge*Courant de saturation*e^(Tension base-émetteur/Tension de seuil)
V_CE = V_DD-R_L*I_sat*e^(V_BE/V_th)
Cette formule utilise 1 Constantes, 6 Variables

Constantes utilisées

e - constante de Napier Valeur prise comme 2.71828182845904523536028747135266249

Variables utilisées

Tension collecteur-émetteur - (Mesuré en Volt) - La tension collecteur-émetteur est le potentiel électrique entre la base et la région du collecteur d'un transistor.
Tension d'alimentation - (Mesuré en Volt) - La tension d'alimentation est la source de tension d'entrée qui traverse le BJT.
Résistance de charge - (Mesuré en Ohm) - La résistance de charge est la résistance ou l'impédance externe qui est connectée à la sortie d'un circuit ou d'un appareil, et elle est utilisée pour extraire l'alimentation ou le signal du circuit.
Courant de saturation - (Mesuré en Ampère) - Le courant de saturation est la densité de courant de fuite de la diode en l'absence de lumière. C'est un paramètre important qui différencie une diode d'une autre.
Tension base-émetteur - (Mesuré en Volt) - La tension base-émetteur est la tension directe entre la base et l'émetteur du transistor.
Tension de seuil - (Mesuré en Volt) - La tension de seuil du transistor est la tension minimale entre la grille et la source nécessaire pour créer un chemin conducteur entre les bornes de source et de drain.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Tension d'alimentation: 2.5 Volt --> 2.5 Volt Aucune conversion requise
Résistance de charge: 4 Kilohm --> 4000 Ohm (Vérifiez la conversion ici)
Courant de saturation: 1.675 Milliampère --> 0.001675 Ampère (Vérifiez la conversion ici)
Tension base-émetteur: 5.15 Volt --> 5.15 Volt Aucune conversion requise
Tension de seuil: 5.5 Volt --> 5.5 Volt Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

V_CE = V_DD-R_L*I_sat*e^(V_BE/V_th) --> 2.5-4000*0.001675*e^(5.15/5.5)

Évaluer ... ...

V_CE = -14.5896183099314

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

-14.5896183099314 Volt --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

-14.5896183099314 ≈ -14.589618 Volt <-- Tension collecteur-émetteur

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Payal Priya

Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri

Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

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Composant unique de la tension de drain compte tenu de la transconductance

LaTeX Aller Tension de drain instantanée totale = -Transconductance*Tension d'entrée*Résistance de charge

Tension entre la porte et la source

LaTeX Aller Tension porte à source = Tension d'entrée/(1+Transconductance*Résistance)

Composante unique de la tension de drain

LaTeX Aller Tension de drain instantanée totale = (-Modification du courant de drain*Résistance de charge)

Tension porte-source instantanée totale

LaTeX Aller Tension porte à source = Petit Signal+Tension aux bornes de l'oxyde

Tension aux bornes du collecteur-émetteur de l'amplificateur BJT Formule

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Tension collecteur-émetteur = Tension d'alimentation-Résistance de charge*Courant de saturation*e^(Tension base-émetteur/Tension de seuil)
V_CE = V_DD-R_L*I_sat*e^(V_BE/V_th)

Comment BJT est-il utilisé comme amplificateur?

Lorsqu'il est utilisé comme amplificateur, la polarisation est agencée de sorte que le transistor fonctionne dans la région linéaire. Un amplificateur sera généralement polarisé à environ la moitié de la tension d'alimentation pour permettre une oscillation maximale de la sortie.

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