Tension de seuil du MOSFET Calculatrice

✖La tension grille-source est un paramètre critique qui affecte le fonctionnement d'un FET et est souvent utilisée pour contrôler le comportement du dispositif.ⓘ Tension grille-source [V_gs]			+10% -10%
✖La tension effective dans un MOSFET (Transistor à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur) est la tension qui détermine le comportement de l'appareil. Elle est également connue sous le nom de tension grille-source.ⓘ Tension efficace [V_eff]			+10% -10%

✖La tension de seuil, également connue sous le nom de tension de seuil de grille ou simplement Vth, est un paramètre critique dans le fonctionnement des transistors à effet de champ, qui sont des composants fondamentaux de l'électronique moderne.ⓘ Tension de seuil du MOSFET [V_th]

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Tension de seuil du MOSFET Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Tension de seuil = Tension grille-source-Tension efficace
V_th = V_gs-V_eff
Cette formule utilise 3 Variables

Variables utilisées

Tension de seuil - (Mesuré en Volt) - La tension de seuil, également connue sous le nom de tension de seuil de grille ou simplement Vth, est un paramètre critique dans le fonctionnement des transistors à effet de champ, qui sont des composants fondamentaux de l'électronique moderne.
Tension grille-source - (Mesuré en Volt) - La tension grille-source est un paramètre critique qui affecte le fonctionnement d'un FET et est souvent utilisée pour contrôler le comportement du dispositif.
Tension efficace - (Mesuré en Volt) - La tension effective dans un MOSFET (Transistor à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur) est la tension qui détermine le comportement de l'appareil. Elle est également connue sous le nom de tension grille-source.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Tension grille-source: 4 Volt --> 4 Volt Aucune conversion requise
Tension efficace: 1.7 Volt --> 1.7 Volt Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

V_th = V_gs-V_eff --> 4-1.7

Évaluer ... ...

V_th = 2.3

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

2.3 Volt --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

2.3 Volt <-- Tension de seuil

(Calcul effectué en 00.020 secondes)

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Crédits

Créé par Payal Priya

Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri

Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

< Tension Calculatrices

Tension de sortie au drain Q1 du MOSFET donné Signal de mode commun

LaTeX Aller Tension de vidange Q1 = -Résistance de sortie*(Transconductance*Signal d'entrée en mode commun)/(1+(2*Transconductance*Résistance de sortie))

Tension de sortie au drain Q2 du MOSFET donné Signal de mode commun

LaTeX Aller Tension de vidange Q2 = -(Résistance de sortie/((1/Transconductance)+2*Résistance de sortie))*Signal d'entrée en mode commun

Tension de sortie au drain Q1 du MOSFET

LaTeX Aller Tension de vidange Q1 = -(Résistance de sortie*Courant total)

Tension de sortie au drain Q2 du MOSFET

LaTeX Aller Tension de vidange Q2 = -(Résistance de sortie*Courant total)

< Caractéristiques du MOSFET Calculatrices

Gain de tension donné Résistance de charge du MOSFET

LaTeX Aller Gain de tension = Transconductance*(1/(1/Résistance à la charge+1/Résistance de sortie))/(1+Transconductance*Résistance à la source)

Gain de tension maximal au point de polarisation

LaTeX Aller Gain de tension maximal = 2*(Tension d'alimentation-Tension efficace)/(Tension efficace)

Gain de tension donné Tension de drain

LaTeX Aller Gain de tension = (Courant de vidange*Résistance à la charge*2)/Tension efficace

Gain de tension maximum compte tenu de toutes les tensions

LaTeX Aller Gain de tension maximal = (Tension d'alimentation-0.3)/Tension thermique

Tension de seuil du MOSFET Formule

LaTeX Aller

Tension de seuil = Tension grille-source-Tension efficace
V_th = V_gs-V_eff

Qu'est-ce que la tension de seuil?

La valeur de la tension aux bornes de l'oxyde à laquelle un nombre suffisant d'électrons mobiles s'accumulent dans la région du canal pour former un canal conducteur est appelée tension de seuil et est notée V

Expliquez l'ensemble du processus de la région de canal du MOSFET formant un condensateur à plaques parallèles.

La grille et la région de canal du MOSFET forment un condensateur à plaques parallèles, la couche d'oxyde jouant le rôle de diélectrique du condensateur. La tension de grille positive provoque l'accumulation d'une charge positive sur la plaque supérieure du condensateur (l'électrode de grille). La charge négative correspondante sur la plaque inférieure est formée par les électrons dans le canal induit. Un champ électrique se développe donc dans le sens vertical. C'est ce champ qui contrôle la quantité de charge dans le canal, et donc il détermine la conductivité du canal et, à son tour, le courant qui passera à travers le canal lorsqu'une tension est appliquée.

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