Le dopage dans la technologie CMOS est utilisé pour introduire des impuretés dans le matériau semi-conducteur afin de modifier ses propriétés électriques. En ajoutant des dopants, le nombre de porteurs de charge libres (électrons ou trous) peut être augmenté, ce qui permet un meilleur contrôle du comportement électrique du dispositif. Ceci est essentiel pour créer des circuits CMOS hautes performances utilisant à la fois des transistors de type N et de type P.