Largeur de transition du CMOS Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Largeur de transition = Capacité de chevauchement de porte MOS/Capacité de la porte MOS
W = Cmos/Cgs
Cette formule utilise 3 Variables
Variables utilisées
Largeur de transition - (Mesuré en Mètre) - La largeur de transition est définie comme l'augmentation de la largeur lorsque la tension drain-source augmente, ce qui entraîne la transition de la région triode vers la région de saturation.
Capacité de chevauchement de porte MOS - (Mesuré en Farad) - La capacité de chevauchement de porte MOS est une capacité qui provient de la construction du dispositif lui-même et est généralement associée à ses jonctions PN internes.
Capacité de la porte MOS - (Mesuré en Farad) - La capacité de grille MOS est un facteur important dans le calcul de la capacité de chevauchement de grille.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Capacité de chevauchement de porte MOS: 1.8 microfarades --> 1.8E-06 Farad (Vérifiez la conversion ​ici)
Capacité de la porte MOS: 20.04 microfarades --> 2.004E-05 Farad (Vérifiez la conversion ​ici)
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
W = Cmos/Cgs --> 1.8E-06/2.004E-05
Évaluer ... ...
W = 0.0898203592814371
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
0.0898203592814371 Mètre -->89.8203592814371 Millimètre (Vérifiez la conversion ​ici)
RÉPONSE FINALE
89.8203592814371 89.82036 Millimètre <-- Largeur de transition
(Calcul effectué en 00.004 secondes)

Crédits

Creator Image
Créé par Shobhit Dimri
Institut de technologie Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri a créé cette calculatrice et 900+ autres calculatrices!
Verifier Image
Vérifié par Urvi Rathod
Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

Caractéristiques des circuits CMOS Calculatrices

Largeur de diffusion de la source
​ LaTeX ​ Aller Largeur de transition = Zone de diffusion de la source/Longueur de la source
Zone de diffusion de la source
​ LaTeX ​ Aller Zone de diffusion de la source = Longueur de la source*Largeur de transition
CMOS Moyenne Parcours Libre
​ LaTeX ​ Aller Libre parcours moyen = Tension critique dans CMOS/Champ électrique critique
Tension critique CMOS
​ LaTeX ​ Aller Tension critique dans CMOS = Champ électrique critique*Libre parcours moyen

Largeur de transition du CMOS Formule

​LaTeX ​Aller
Largeur de transition = Capacité de chevauchement de porte MOS/Capacité de la porte MOS
W = Cmos/Cgs

Quelle est la nécessité du dopage en CMOS ?

Le dopage dans la technologie CMOS est utilisé pour introduire des impuretés dans le matériau semi-conducteur afin de modifier ses propriétés électriques. En ajoutant des dopants, le nombre de porteurs de charge libres (électrons ou trous) peut être augmenté, ce qui permet un meilleur contrôle du comportement électrique du dispositif. Ceci est essentiel pour créer des circuits CMOS hautes performances utilisant à la fois des transistors de type N et de type P.

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