Fréquence de transition du MOSFET Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Fréquence de transition = Transconductance/(2*pi*(Capacité de la porte source+Capacité de vidange de porte))
ft = gm/(2*pi*(Csg+Cgd))
Cette formule utilise 1 Constantes, 4 Variables
Constantes utilisées
pi - Constante d'Archimède Valeur prise comme 3.14159265358979323846264338327950288
Variables utilisées
Fréquence de transition - (Mesuré en Hertz) - La fréquence de transition est un terme qui décrit la vitesse ou la fréquence à laquelle un changement ou une transition se produit d'un état à un autre.
Transconductance - (Mesuré en Siemens) - La transconductance est définie comme le rapport entre la variation du courant de sortie et la variation de la tension d'entrée, la tension grille-source étant maintenue constante.
Capacité de la porte source - (Mesuré en Farad) - La capacité de grille source est une mesure de la capacité entre les électrodes de source et de grille dans un transistor à effet de champ (FET).
Capacité de vidange de porte - (Mesuré en Farad) - La capacité grille-drain est une capacité parasite qui existe entre les électrodes de grille et de drain d'un transistor à effet de champ (FET).
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Transconductance: 0.5 millisiemens --> 0.0005 Siemens (Vérifiez la conversion ​ici)
Capacité de la porte source: 8.16 microfarades --> 8.16E-06 Farad (Vérifiez la conversion ​ici)
Capacité de vidange de porte: 7 microfarades --> 7E-06 Farad (Vérifiez la conversion ​ici)
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
ft = gm/(2*pi*(Csg+Cgd)) --> 0.0005/(2*pi*(8.16E-06+7E-06))
Évaluer ... ...
ft = 5.24917358482504
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
5.24917358482504 Hertz --> Aucune conversion requise
RÉPONSE FINALE
5.24917358482504 5.249174 Hertz <-- Fréquence de transition
(Calcul effectué en 00.004 secondes)

Crédits

Creator Image
Créé par Payal Priya
Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri
Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!
Verifier Image
Vérifié par Anshika Arya
Institut national de technologie (LENTE), Hamirpur
Anshika Arya a validé cette calculatrice et 2500+ autres calculatrices!

Effets capacitifs internes et modèle haute fréquence Calculatrices

Fréquence de transition du MOSFET
​ LaTeX ​ Aller Fréquence de transition = Transconductance/(2*pi*(Capacité de la porte source+Capacité de vidange de porte))
Largeur du canal porte à source du MOSFET
​ LaTeX ​ Aller Largeur de canal = Capacité de chevauchement/(Capacité d'oxyde*Longueur de chevauchement)
Capacité de chevauchement du MOSFET
​ LaTeX ​ Aller Capacité de chevauchement = Largeur de canal*Capacité d'oxyde*Longueur de chevauchement
Capacité totale entre la porte et le canal des MOSFET
​ LaTeX ​ Aller Capacité du canal de porte = Capacité d'oxyde*Largeur de canal*Longueur du canal

Caractéristiques du MOSFET Calculatrices

Gain de tension donné Résistance de charge du MOSFET
​ LaTeX ​ Aller Gain de tension = Transconductance*(1/(1/Résistance à la charge+1/Résistance de sortie))/(1+Transconductance*Résistance à la source)
Gain de tension maximal au point de polarisation
​ LaTeX ​ Aller Gain de tension maximal = 2*(Tension d'alimentation-Tension efficace)/(Tension efficace)
Gain de tension donné Tension de drain
​ LaTeX ​ Aller Gain de tension = (Courant de vidange*Résistance à la charge*2)/Tension efficace
Gain de tension maximum compte tenu de toutes les tensions
​ LaTeX ​ Aller Gain de tension maximal = (Tension d'alimentation-0.3)/Tension thermique

Fréquence de transition du MOSFET Formule

​LaTeX ​Aller
Fréquence de transition = Transconductance/(2*pi*(Capacité de la porte source+Capacité de vidange de porte))
ft = gm/(2*pi*(Csg+Cgd))

Pourquoi le MOSFET est-il utilisé pour les applications haute fréquence?

Les MOSFET peuvent fonctionner à des fréquences élevées, ils peuvent effectuer des applications de commutation rapide avec peu de pertes de désactivation. Par rapport à l'IGBT, un MOSFET de puissance présente les avantages d'une vitesse de commutation plus élevée et d'une plus grande efficacité pendant le fonctionnement à basse tension.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!