Temps de transit du transistor PNP Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Temps de transport = Largeur de base^2/(2*Constante de diffusion pour PNP)
τf = Wb^2/(2*Dp)
Cette formule utilise 3 Variables
Variables utilisées
Temps de transport - (Mesuré en Deuxième) - Le temps de transit dans un transistor est crucial car il détermine la fréquence maximale à laquelle le transistor peut fonctionner efficacement.
Largeur de base - (Mesuré en Mètre) - La largeur de la base est un paramètre important affectant les caractéristiques du transistor, notamment en termes de fonctionnement et de vitesse.
Constante de diffusion pour PNP - (Mesuré en Mètre carré par seconde) - La constante de diffusion pour PNP décrit la facilité avec laquelle ces porteurs minoritaires diffusent à travers le matériau semi-conducteur lorsqu'un champ électrique est appliqué.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Largeur de base: 8 Centimètre --> 0.08 Mètre (Vérifiez la conversion ​ici)
Constante de diffusion pour PNP: 100 Centimètre carré par seconde --> 0.01 Mètre carré par seconde (Vérifiez la conversion ​ici)
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
τf = Wb^2/(2*Dp) --> 0.08^2/(2*0.01)
Évaluer ... ...
τf = 0.32
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
0.32 Deuxième --> Aucune conversion requise
RÉPONSE FINALE
0.32 Deuxième <-- Temps de transport
(Calcul effectué en 00.004 secondes)

Crédits

Creator Image
Créé par Rahul Gupta
Université de Chandigarh (UC), Mohali, Pendjab
Rahul Gupta a créé cette calculatrice et 25+ autres calculatrices!
Verifier Image
Vérifié par Ritwik Tripathi
Institut de technologie de Vellore (VIT Velloré), Vellore
Ritwik Tripathi a validé cette calculatrice et 100+ autres calculatrices!

Amélioration du canal P Calculatrices

Courant de drain dans la région triode du transistor PMOS
​ LaTeX ​ Aller Courant de vidange = Paramètre de transconductance de processus dans PMOS*Ratio d'aspect*((Tension entre la porte et la source-modulus(Tension de seuil))*Tension entre drain et source-1/2*(Tension entre drain et source)^2)
Courant de drain dans la région triode du transistor PMOS donné Vsd
​ LaTeX ​ Aller Courant de vidange = Paramètre de transconductance de processus dans PMOS*Ratio d'aspect*(modulus(Tension efficace)-1/2*Tension entre drain et source)*Tension entre drain et source
Courant de drain dans la région de saturation du transistor PMOS
​ LaTeX ​ Aller Courant de drain de saturation = 1/2*Paramètre de transconductance de processus dans PMOS*Ratio d'aspect*(Tension entre la porte et la source-modulus(Tension de seuil))^2
Courant de drain dans la région de saturation du transistor PMOS donné Vov
​ LaTeX ​ Aller Courant de drain de saturation = 1/2*Paramètre de transconductance de processus dans PMOS*Ratio d'aspect*(Tension efficace)^2

Temps de transit du transistor PNP Formule

​LaTeX ​Aller
Temps de transport = Largeur de base^2/(2*Constante de diffusion pour PNP)
τf = Wb^2/(2*Dp)
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!