Transconductance utilisant le courant de collecteur de l'amplificateur à transistor Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Transconductance primaire MOSFET = Courant du collecteur/Tension de seuil
gmp = ic/Vt
Cette formule utilise 3 Variables
Variables utilisées
Transconductance primaire MOSFET - (Mesuré en Siemens) - La transconductance primaire du MOSFET est la variation du courant de drain divisée par la petite variation de la tension grille/source avec une tension drain/source constante.
Courant du collecteur - (Mesuré en Ampère) - Le courant du collecteur est un courant de sortie amplifié d'un transistor à jonction bipolaire.
Tension de seuil - (Mesuré en Volt) - La tension de seuil du transistor est la tension grille-source minimale nécessaire pour créer un chemin conducteur entre les bornes source et drain.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Courant du collecteur: 39.52 Milliampère --> 0.03952 Ampère (Vérifiez la conversion ​ici)
Tension de seuil: 2 Volt --> 2 Volt Aucune conversion requise
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
gmp = ic/Vt --> 0.03952/2
Évaluer ... ...
gmp = 0.01976
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
0.01976 Siemens -->19.76 millisiemens (Vérifiez la conversion ​ici)
RÉPONSE FINALE
19.76 millisiemens <-- Transconductance primaire MOSFET
(Calcul effectué en 00.004 secondes)

Crédits

Creator Image
Créé par Payal Priya
Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri
Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!
Verifier Image
Vérifié par Anshika Arya
Institut national de technologie (LENTE), Hamirpur
Anshika Arya a validé cette calculatrice et 2500+ autres calculatrices!

Caractéristiques de l'amplificateur à transistor Calculatrices

Courant circulant dans le canal induit dans le transistor étant donné la tension d'oxyde
​ Aller Courant de sortie = (Mobilité de l'électron*Capacité d'oxyde*(Largeur du canal/Longueur du canal)*(Tension aux bornes de l'oxyde-Tension de seuil))*Tension de saturation entre drain et source
Courant entrant dans la borne de drain du MOSFET à saturation
​ Aller Courant de drainage de saturation = 1/2*Paramètre de transconductance du processus*(Largeur du canal/Longueur du canal)*(Tension efficace)^2
Tension de drain instantanée totale
​ Aller Tension de vidange instantanée totale = Tension des composants fondamentaux-Résistance aux fuites*Courant de vidange
Tension d'entrée dans le transistor
​ Aller Tension des composants fondamentaux = Résistance aux fuites*Courant de vidange-Tension de vidange instantanée totale

Actions CV des amplificateurs de scène courants Calculatrices

Résistance d'entrée de l'amplificateur émetteur commun
​ Aller Résistance d'entrée = (1/Résistance de base+1/Résistance de base 2+1/Résistance d'entrée de petit signal)^-1
Impédance d'entrée de l'amplificateur à base commune
​ Aller Impédance d'entrée = (1/Résistance de l'émetteur+1/Résistance d'entrée de petit signal)^(-1)
Tension fondamentale dans l'amplificateur à émetteur commun
​ Aller Tension des composants fondamentaux = Résistance d'entrée*Courant de base
Courant d'émetteur de l'amplificateur à base commune
​ Aller Courant de l'émetteur = Tension d'entrée/Résistance de l'émetteur

Transconductance utilisant le courant de collecteur de l'amplificateur à transistor Formule

Transconductance primaire MOSFET = Courant du collecteur/Tension de seuil
gmp = ic/Vt

Quelle est l'utilisation de la transconductance dans le MOSFET?

La transconductance est une expression des performances d'un transistor bipolaire ou d'un transistor à effet de champ (FET). En général, plus le chiffre de transconductance d'un dispositif est élevé, plus le gain (amplification) qu'il est capable de fournir est important, lorsque tous les autres facteurs sont maintenus constants.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!