Transconductance utilisant le courant de collecteur de l'amplificateur à transistor Calculatrice

✖Le courant du collecteur est un courant de sortie amplifié d'un transistor à jonction bipolaire.ⓘ Courant du collecteur [i_c]			+10% -10%
✖La tension de seuil du transistor est la tension grille-source minimale nécessaire pour créer un chemin conducteur entre les bornes source et drain.ⓘ Tension de seuil [V_t]			+10% -10%

✖La transconductance primaire du MOSFET est la variation du courant de drain divisée par la petite variation de la tension grille/source avec une tension drain/source constante.ⓘ Transconductance utilisant le courant de collecteur de l'amplificateur à transistor [g_mp]

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Transconductance utilisant le courant de collecteur de l'amplificateur à transistor Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Transconductance primaire MOSFET = Courant du collecteur/Tension de seuil
g_mp = i_c/V_t
Cette formule utilise 3 Variables

Variables utilisées

Transconductance primaire MOSFET - (Mesuré en Siemens) - La transconductance primaire du MOSFET est la variation du courant de drain divisée par la petite variation de la tension grille/source avec une tension drain/source constante.
Courant du collecteur - (Mesuré en Ampère) - Le courant du collecteur est un courant de sortie amplifié d'un transistor à jonction bipolaire.
Tension de seuil - (Mesuré en Volt) - La tension de seuil du transistor est la tension grille-source minimale nécessaire pour créer un chemin conducteur entre les bornes source et drain.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Courant du collecteur: 39.52 Milliampère --> 0.03952 Ampère (Vérifiez la conversion ici)
Tension de seuil: 2 Volt --> 2 Volt Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

g_mp = i_c/V_t --> 0.03952/2

Évaluer ... ...

g_mp = 0.01976

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

0.01976 Siemens -->19.76 millisiemens (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

19.76 millisiemens <-- Transconductance primaire MOSFET

(Calcul effectué en 00.020 secondes)

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Crédits

Créé par Payal Priya

Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri

Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

Vérifié par Anshika Arya

Institut national de technologie (LENTE), Hamirpur

Anshika Arya a validé cette calculatrice et 2500+ autres calculatrices!

< Caractéristiques de l'amplificateur à transistor Calculatrices

Courant circulant dans le canal induit dans le transistor étant donné la tension d'oxyde

LaTeX Aller Courant de sortie = (Mobilité de l'électron*Capacité d'oxyde*(Largeur du canal/Longueur du canal)*(Tension aux bornes de l'oxyde-Tension de seuil))*Tension de saturation entre drain et source

Courant entrant dans la borne de drain du MOSFET à saturation

LaTeX Aller Courant de drainage de saturation = 1/2*Paramètre de transconductance du processus*(Largeur du canal/Longueur du canal)*(Tension efficace)^2

Tension de drain instantanée totale

LaTeX Aller Tension de vidange instantanée totale = Tension des composants fondamentaux-Résistance aux fuites*Courant de vidange

Tension d'entrée dans le transistor

LaTeX Aller Tension des composants fondamentaux = Résistance aux fuites*Courant de vidange-Tension de vidange instantanée totale

< Actions CV des amplificateurs de scène courants Calculatrices

Résistance d'entrée de l'amplificateur émetteur commun

LaTeX Aller Résistance d'entrée = (1/Résistance de base+1/Résistance de base 2+1/Résistance d'entrée de petit signal)^-1

Impédance d'entrée de l'amplificateur à base commune

LaTeX Aller Impédance d'entrée = (1/Résistance de l'émetteur+1/Résistance d'entrée de petit signal)^(-1)

Tension fondamentale dans l'amplificateur à émetteur commun

LaTeX Aller Tension des composants fondamentaux = Résistance d'entrée*Courant de base

Courant d'émetteur de l'amplificateur à base commune

LaTeX Aller Courant de l'émetteur = Tension d'entrée/Résistance de l'émetteur

Transconductance utilisant le courant de collecteur de l'amplificateur à transistor Formule

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Transconductance primaire MOSFET = Courant du collecteur/Tension de seuil
g_mp = i_c/V_t

Quelle est l'utilisation de la transconductance dans le MOSFET?

La transconductance est une expression des performances d'un transistor bipolaire ou d'un transistor à effet de champ (FET). En général, plus le chiffre de transconductance d'un dispositif est élevé, plus le gain (amplification) qu'il est capable de fournir est important, lorsque tous les autres facteurs sont maintenus constants.

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