Transconductance des amplificateurs à transistors Calculatrice

✖Le courant de drain inférieur à la tension de seuil est défini comme le courant sous-seuil et varie de façon exponentielle avec la tension grille-source.ⓘ Courant de vidange [i_d]			+10% -10%
✖La tension aux bornes de l'oxyde est due à la charge à l'interface oxyde-semi-conducteur et le troisième terme est dû à la densité de charge dans l'oxyde.ⓘ Tension aux bornes de l'oxyde [V_ox]			+10% -10%
✖La tension de seuil du transistor est la tension grille-source minimale nécessaire pour créer un chemin conducteur entre les bornes source et drain.ⓘ Tension de seuil [V_t]			+10% -10%

✖La transconductance primaire du MOSFET est la variation du courant de drain divisée par la petite variation de la tension grille/source avec une tension drain/source constante.ⓘ Transconductance des amplificateurs à transistors [g_mp]

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Transconductance des amplificateurs à transistors Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Transconductance primaire MOSFET = (2*Courant de vidange)/(Tension aux bornes de l'oxyde-Tension de seuil)
g_mp = (2*i_d)/(V_ox-V_t)
Cette formule utilise 4 Variables

Variables utilisées

Transconductance primaire MOSFET - (Mesuré en Siemens) - La transconductance primaire du MOSFET est la variation du courant de drain divisée par la petite variation de la tension grille/source avec une tension drain/source constante.
Courant de vidange - (Mesuré en Ampère) - Le courant de drain inférieur à la tension de seuil est défini comme le courant sous-seuil et varie de façon exponentielle avec la tension grille-source.
Tension aux bornes de l'oxyde - (Mesuré en Volt) - La tension aux bornes de l'oxyde est due à la charge à l'interface oxyde-semi-conducteur et le troisième terme est dû à la densité de charge dans l'oxyde.
Tension de seuil - (Mesuré en Volt) - La tension de seuil du transistor est la tension grille-source minimale nécessaire pour créer un chemin conducteur entre les bornes source et drain.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Courant de vidange: 17.5 Milliampère --> 0.0175 Ampère (Vérifiez la conversion ici)
Tension aux bornes de l'oxyde: 3.775 Volt --> 3.775 Volt Aucune conversion requise
Tension de seuil: 2 Volt --> 2 Volt Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

g_mp = (2*i_d)/(V_ox-V_t) --> (2*0.0175)/(3.775-2)

Évaluer ... ...

g_mp = 0.0197183098591549

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

0.0197183098591549 Siemens -->19.7183098591549 millisiemens (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

19.7183098591549 ≈ 19.71831 millisiemens <-- Transconductance primaire MOSFET

(Calcul effectué en 00.020 secondes)

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Crédits

Créé par Payal Priya

Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri

Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

Vérifié par Prahalad Singh

Collège d'ingénierie et centre de recherche de Jaipur (JECRC), Jaipur

Prahalad Singh a validé cette calculatrice et 10+ autres calculatrices!

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Courant circulant dans le canal induit dans le transistor étant donné la tension d'oxyde

LaTeX Aller Courant de sortie = (Mobilité de l'électron*Capacité d'oxyde*(Largeur du canal/Longueur du canal)*(Tension aux bornes de l'oxyde-Tension de seuil))*Tension de saturation entre drain et source

Courant entrant dans la borne de drain du MOSFET à saturation

LaTeX Aller Courant de drainage de saturation = 1/2*Paramètre de transconductance du processus*(Largeur du canal/Longueur du canal)*(Tension efficace)^2

Tension de drain instantanée totale

LaTeX Aller Tension de vidange instantanée totale = Tension des composants fondamentaux-Résistance aux fuites*Courant de vidange

Tension d'entrée dans le transistor

LaTeX Aller Tension des composants fondamentaux = Résistance aux fuites*Courant de vidange-Tension de vidange instantanée totale

Transconductance des amplificateurs à transistors Formule

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Transconductance primaire MOSFET = (2*Courant de vidange)/(Tension aux bornes de l'oxyde-Tension de seuil)
g_mp = (2*i_d)/(V_ox-V_t)

Quelle est l'utilisation de la transconductance dans le MOSFET?

La transconductance est une expression des performances d'un transistor bipolaire ou d'un transistor à effet de champ (FET). En général, plus le chiffre de transconductance d'un dispositif est élevé, plus le gain (amplification) qu'il est capable de fournir est important, lorsque tous les autres facteurs sont maintenus constants.

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