✖Le courant de drain à polarisation nulle dans un FET est le courant de drain qui circule lorsque la tension de grille est égale à zéro.ⓘ Courant de drain de polarisation zéro [I_dss(fet)]			+10% -10%
✖La tension de pincement est la tension à laquelle le canal d'un transistor à effet de champ (FET) devient si étroit qu'il se ferme efficacement, empêchant tout flux de courant supplémentaire.ⓘ Tension de pincement [V_off(fet)]			+10% -10%
✖Drain Source Tension FET est la tension entre le drain et la borne source d'un FET.ⓘ Tension de source de drain FET [V_ds(fet)]			+10% -10%

✖Le FET à transconductance directe fait référence à la modification du courant de sortie résultant d'une modification de la tension d'entrée, indiquant la capacité d'amplification de l'appareil.ⓘ Transconductance du FET [G_m(fet)]

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Formule

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Transconductance du FET

Formule

`"G"_{"m(fet)"} = (2*"I"_{"dss(fet)"})/"V"_{"off(fet)"}*(1-"V"_{"ds(fet)"}/"V"_{"off(fet)"})`

Exemple

`"0.020072mS"=(2*"0.69mA")/"63.56V"*(1-"4.8V"/"63.56V")`

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Transconductance du FET Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

FET à transconductance directe = (2*Courant de drain de polarisation zéro)/Tension de pincement*(1-Tension de source de drain FET/Tension de pincement)
G_m(fet) = (2*I_dss(fet))/V_off(fet)*(1-V_ds(fet)/V_off(fet))
Cette formule utilise 4 Variables

Variables utilisées

FET à transconductance directe - (Mesuré en Siemens) - Le FET à transconductance directe fait référence à la modification du courant de sortie résultant d'une modification de la tension d'entrée, indiquant la capacité d'amplification de l'appareil.
Courant de drain de polarisation zéro - (Mesuré en Ampère) - Le courant de drain à polarisation nulle dans un FET est le courant de drain qui circule lorsque la tension de grille est égale à zéro.
Tension de pincement - (Mesuré en Volt) - La tension de pincement est la tension à laquelle le canal d'un transistor à effet de champ (FET) devient si étroit qu'il se ferme efficacement, empêchant tout flux de courant supplémentaire.
Tension de source de drain FET - (Mesuré en Volt) - Drain Source Tension FET est la tension entre le drain et la borne source d'un FET.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Courant de drain de polarisation zéro: 0.69 Milliampère --> 0.00069 Ampère (Vérifiez la conversion ici)
Tension de pincement: 63.56 Volt --> 63.56 Volt Aucune conversion requise
Tension de source de drain FET: 4.8 Volt --> 4.8 Volt Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

G_m(fet) = (2*I_dss(fet))/V_off(fet)*(1-V_ds(fet)/V_off(fet)) --> (2*0.00069)/63.56*(1-4.8/63.56)

Évaluer ... ...

G_m(fet) = 2.00721131473024E-05

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

2.00721131473024E-05 Siemens -->0.0200721131473024 millisiemens (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

0.0200721131473024 ≈ 0.020072 millisiemens <-- FET à transconductance directe

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Mohamed Fazil V

Institut de technologie Acharya (ACI), Bangalore

Mohamed Fazil V a créé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!

Vérifié par Parminder Singh

Université de Chandigarh (UC), Pendjab

Parminder Singh a validé cette calculatrice et 500+ autres calculatrices!

< 8 FET Calculatrices

Courant de drainage de la région ohmique du FET

Aller Courant de vidange FET = FET de conductance de canal*(Tension de source de drain FET+3/2*((FET de potentiel de surface+Tension de source de drain FET-Tension de source de drain FET)^(3/2)-(FET de potentiel de surface+Tension de source de drain FET)^(3/2))/((FET de potentiel de surface+Tension de pincement)^(1/2)))

Transconductance du FET

Aller FET à transconductance directe = (2*Courant de drain de polarisation zéro)/Tension de pincement*(1-Tension de source de drain FET/Tension de pincement)

Tension de source de drain du FET

Aller Tension de source de drain FET = Tension d'alimentation au drain FET-Courant de vidange FET*(FET de résistance de drainage+Source Résistance FET)

Capacité de source de porte du FET

Aller FET de capacité de source de porte = Capacité de la source de porte Temps d'arrêt FET/(1-(Tension de source de drain FET/FET de potentiel de surface))^(1/3)

Capacité de drain de grille du FET

Aller Capacité de drain de porte FET = Capacité de drain de grille Temps d'arrêt FET/(1-Tension porte à drain FET/FET de potentiel de surface)^(1/3)

Courant de drain du FET

Aller Courant de vidange FET = Courant de drain de polarisation zéro*(1-Tension de source de drain FET/Tension de coupure FET)^2

Pincer la tension du FET

Aller Tension de pincement = Pincez OFF Drain Source Tension FET-Tension de source de drain FET

Gain de tension du FET

Aller Gain de tension FET = -FET à transconductance directe*FET de résistance de drainage

Transconductance du FET Formule

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