Transconductance de BJT à gain intrinsèque Calculatrice

✖Le courant de drain en dessous de la tension de seuil est défini comme le courant sous le seuil et varie de manière exponentielle avec la tension grille-source.ⓘ Courant de vidange [I_d]			+10% -10%
✖La tension grille-source du transistor est la tension qui tombe aux bornes de la borne grille-source du transistor.ⓘ Tension porte à source [V_gs]			+10% -10%

✖La transconductance est le rapport de la variation du courant à la borne de sortie à la variation de la tension à la borne d'entrée d'un dispositif actif.ⓘ Transconductance de BJT à gain intrinsèque [G_m]

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Transconductance de BJT à gain intrinsèque Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Transconductance = Courant de vidange/Tension porte à source
G_m = I_d/V_gs
Cette formule utilise 3 Variables

Variables utilisées

Transconductance - (Mesuré en Siemens) - La transconductance est le rapport de la variation du courant à la borne de sortie à la variation de la tension à la borne d'entrée d'un dispositif actif.
Courant de vidange - (Mesuré en Ampère) - Le courant de drain en dessous de la tension de seuil est défini comme le courant sous le seuil et varie de manière exponentielle avec la tension grille-source.
Tension porte à source - (Mesuré en Volt) - La tension grille-source du transistor est la tension qui tombe aux bornes de la borne grille-source du transistor.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Courant de vidange: 0.3 Milliampère --> 0.0003 Ampère (Vérifiez la conversion ici)
Tension porte à source: 17 Volt --> 17 Volt Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

G_m = I_d/V_gs --> 0.0003/17

Évaluer ... ...

G_m = 1.76470588235294E-05

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

1.76470588235294E-05 Siemens -->0.0176470588235294 millisiemens (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

0.0176470588235294 ≈ 0.017647 millisiemens <-- Transconductance

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Payal Priya

Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri

Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

Vérifié par Parminder Singh

Université de Chandigarh (UC), Pendjab

Parminder Singh a validé cette calculatrice et 500+ autres calculatrices!

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Transconductance de BJT à gain intrinsèque Formule

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Transconductance = Courant de vidange/Tension porte à source
G_m = I_d/V_gs

Quel transistor a un gain plus élevé BJT ou MOS et pourquoi?

Le BJT a plus de gain que le MOSFET car le MOSFET présente des caractéristiques Quadratic IV et BJT montre des caractéristiques Exponential IV et le changement de comportement exponentiel est plus important que le comportement Quadratic.

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