Transconductance donnée Process Transconductance Paramètre Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Transconductance = Paramètre de transconductance de processus*Ratio d'aspect*(Tension grille-source-Tension de seuil)
gm = k'n*WL*(Vgs-Vth)
Cette formule utilise 5 Variables
Variables utilisées
Transconductance - (Mesuré en Siemens) - La transconductance est définie comme le rapport entre la variation du courant de sortie et la variation de la tension d'entrée, la tension grille-source étant maintenue constante.
Paramètre de transconductance de processus - (Mesuré en Ampère par volt carré) - Le paramètre de transconductance de processus (PTM) est un paramètre utilisé dans la modélisation des dispositifs à semi-conducteurs pour caractériser les performances d'un transistor.
Ratio d'aspect - Le rapport d'aspect est défini comme le rapport de la largeur du canal du transistor à sa longueur. C'est le rapport entre la largeur de la porte et la distance entre la source
Tension grille-source - (Mesuré en Volt) - La tension grille-source est un paramètre critique qui affecte le fonctionnement d'un FET et est souvent utilisée pour contrôler le comportement du dispositif.
Tension de seuil - (Mesuré en Volt) - La tension de seuil, également connue sous le nom de tension de seuil de grille ou simplement Vth, est un paramètre critique dans le fonctionnement des transistors à effet de champ, qui sont des composants fondamentaux de l'électronique moderne.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Paramètre de transconductance de processus: 0.015 Ampère par volt carré --> 0.015 Ampère par volt carré Aucune conversion requise
Ratio d'aspect: 0.1 --> Aucune conversion requise
Tension grille-source: 4 Volt --> 4 Volt Aucune conversion requise
Tension de seuil: 3.68 Volt --> 3.68 Volt Aucune conversion requise
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
gm = k'n*WL*(Vgs-Vth) --> 0.015*0.1*(4-3.68)
Évaluer ... ...
gm = 0.00048
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
0.00048 Siemens -->0.48 millisiemens (Vérifiez la conversion ​ici)
RÉPONSE FINALE
0.48 millisiemens <-- Transconductance
(Calcul effectué en 00.004 secondes)

Crédits

Creator Image
Créé par Payal Priya
Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri
Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!
Verifier Image
Vérifié par Anshika Arya
Institut national de technologie (LENTE), Hamirpur
Anshika Arya a validé cette calculatrice et 2500+ autres calculatrices!

Transconductance Calculatrices

Transconductance donnée Process Transconductance Paramètre
​ LaTeX ​ Aller Transconductance = Paramètre de transconductance de processus*Ratio d'aspect*(Tension grille-source-Tension de seuil)
Transconductance donnée Courant de drain
​ LaTeX ​ Aller Transconductance = sqrt(2*Paramètre de transconductance de processus*Ratio d'aspect*Courant de vidange)
Transconductance utilisant le paramètre de transconductance de processus et la tension de surcharge
​ LaTeX ​ Aller Transconductance = Paramètre de transconductance de processus*Ratio d'aspect*Tension de surmultiplication
Drainer le courant à l'aide de la transconductance
​ LaTeX ​ Aller Courant de vidange = (Tension de surmultiplication)*Transconductance/2

Transconductance donnée Process Transconductance Paramètre Formule

​LaTeX ​Aller
Transconductance = Paramètre de transconductance de processus*Ratio d'aspect*(Tension grille-source-Tension de seuil)
gm = k'n*WL*(Vgs-Vth)

Quelle est l'utilisation de la transconductance dans le MOSFET?

La transconductance est une expression des performances d'un transistor bipolaire ou d'un transistor à effet de champ (FET). En général, plus le chiffre de transconductance d'un dispositif est élevé, plus le gain (amplification) qu'il est capable de fournir est important, lorsque tous les autres facteurs sont maintenus constants.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!