Puissance totale dissipée dans NMOS Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Puissance dissipée = Courant de drain dans NMOS^2*Résistance du canal ON
PD = Id^2*Ron
Cette formule utilise 3 Variables
Variables utilisées
Puissance dissipée - (Mesuré en Watt) - La puissance dissipée fait référence à l'énergie qui est convertie en chaleur et perdue dans un circuit ou un système en raison de la présence de résistance, de frottement ou d'autres formes de perte d'énergie.
Courant de drain dans NMOS - (Mesuré en Ampère) - Le courant de drain dans NMOS est le courant électrique circulant du drain à la source d'un transistor à effet de champ (FET) ou d'un transistor à effet de champ métal-oxyde-semi-conducteur (MOSFET).
Résistance du canal ON - (Mesuré en Ohm) - La résistance du canal ON est la valeur de résistance du canal entre le drain et la source pour tout circuit Mosfet standard.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Courant de drain dans NMOS: 239 Milliampère --> 0.239 Ampère (Vérifiez la conversion ​ici)
Résistance du canal ON: 0.02 Kilohm --> 20 Ohm (Vérifiez la conversion ​ici)
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
PD = Id^2*Ron --> 0.239^2*20
Évaluer ... ...
PD = 1.14242
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
1.14242 Watt -->1142.42 Milliwatt (Vérifiez la conversion ​ici)
RÉPONSE FINALE
1142.42 Milliwatt <-- Puissance dissipée
(Calcul effectué en 00.004 secondes)

Crédits

Creator Image
Créé par Payal Priya
Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri
Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!
Verifier Image
Vérifié par Urvi Rathod
Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

Amélioration du canal N Calculatrices

Courant entrant dans la source de drain dans la région triode de NMOS
​ Aller Courant de drain dans NMOS = Paramètre de transconductance de processus dans NMOS*Largeur du canal/Longueur du canal*((Tension de source de grille-Tension de seuil)*Tension de source de drain-1/2*(Tension de source de drain)^2)
Courant entrant dans la borne de drain du NMOS étant donné la tension de source de grille
​ Aller Courant de drain dans NMOS = Paramètre de transconductance de processus dans NMOS*Largeur du canal/Longueur du canal*((Tension de source de grille-Tension de seuil)*Tension de source de drain-1/2*Tension de source de drain^2)
NMOS comme résistance linéaire
​ Aller Résistance linéaire = Longueur du canal/(Mobilité des électrons à la surface du canal*Capacité d'oxyde*Largeur du canal*(Tension de source de grille-Tension de seuil))
Vitesse de dérive des électrons du canal dans le transistor NMOS
​ Aller Vitesse de dérive des électrons = Mobilité des électrons à la surface du canal*Champ électrique sur toute la longueur du canal

Puissance totale dissipée dans NMOS Formule

Puissance dissipée = Courant de drain dans NMOS^2*Résistance du canal ON
PD = Id^2*Ron

Quelle est la puissance dissipée?

La définition de la dissipation d'énergie est le processus par lequel un appareil électronique ou électrique produit de la chaleur (perte ou gaspillage d'énergie) en tant que dérivé indésirable de son action principale. Comme dans le cas des unités centrales de traitement, la dissipation de puissance est une préoccupation majeure en architecture informatique. De plus, la dissipation de puissance dans les résistances est considérée comme un phénomène naturel. Il n'en reste pas moins que toutes les résistances qui font partie d'un circuit et ont une chute de tension à travers elles dissiperont l'énergie électrique. De plus, cette puissance électrique se transforme en énergie thermique, et donc toutes les résistances ont une (puissance) nominale. En outre, la puissance nominale d'une résistance est une classification qui paramètre la puissance maximale qu'elle peut dissiper avant d'atteindre une défaillance critique.

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