Tension de drain instantanée totale Calculatrice

✖La tension du composant fondamental est la première harmonique de la tension dans l'analyse harmonique de l'onde carrée de tension dans un circuit basé sur un onduleur.ⓘ Tension des composants fondamentaux [V_fc]			+10% -10%
✖La résistance de drain est le rapport entre la variation de la tension drain-source et la variation correspondante du courant de drain pour une tension grille-source constante.ⓘ Résistance aux fuites [R_d]			+10% -10%
✖Le courant de drain inférieur à la tension de seuil est défini comme le courant sous-seuil et varie de façon exponentielle avec la tension grille-source.ⓘ Courant de vidange [i_d]			+10% -10%

✖La tension de drain instantanée totale est la tension qui tombe aux bornes grille-source du transistor.ⓘ Tension de drain instantanée totale [V_d]

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Tension de drain instantanée totale Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Tension de vidange instantanée totale = Tension des composants fondamentaux-Résistance aux fuites*Courant de vidange
V_d = V_fc-R_d*i_d
Cette formule utilise 4 Variables

Variables utilisées

Tension de vidange instantanée totale - (Mesuré en Volt) - La tension de drain instantanée totale est la tension qui tombe aux bornes grille-source du transistor.
Tension des composants fondamentaux - (Mesuré en Volt) - La tension du composant fondamental est la première harmonique de la tension dans l'analyse harmonique de l'onde carrée de tension dans un circuit basé sur un onduleur.
Résistance aux fuites - (Mesuré en Ohm) - La résistance de drain est le rapport entre la variation de la tension drain-source et la variation correspondante du courant de drain pour une tension grille-source constante.
Courant de vidange - (Mesuré en Ampère) - Le courant de drain inférieur à la tension de seuil est défini comme le courant sous-seuil et varie de façon exponentielle avec la tension grille-source.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Tension des composants fondamentaux: 5 Volt --> 5 Volt Aucune conversion requise
Résistance aux fuites: 0.36 Kilohm --> 360 Ohm (Vérifiez la conversion ici)
Courant de vidange: 17.5 Milliampère --> 0.0175 Ampère (Vérifiez la conversion ici)

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

V_d = V_fc-R_d*i_d --> 5-360*0.0175

Évaluer ... ...

V_d = -1.3

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

-1.3 Volt --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

-1.3 Volt <-- Tension de vidange instantanée totale

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Payal Priya

Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri

Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

Vérifié par Prahalad Singh

Collège d'ingénierie et centre de recherche de Jaipur (JECRC), Jaipur

Prahalad Singh a validé cette calculatrice et 10+ autres calculatrices!

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Courant circulant dans le canal induit dans le transistor étant donné la tension d'oxyde

LaTeX Aller Courant de sortie = (Mobilité de l'électron*Capacité d'oxyde*(Largeur du canal/Longueur du canal)*(Tension aux bornes de l'oxyde-Tension de seuil))*Tension de saturation entre drain et source

Courant entrant dans la borne de drain du MOSFET à saturation

LaTeX Aller Courant de drainage de saturation = 1/2*Paramètre de transconductance du processus*(Largeur du canal/Longueur du canal)*(Tension efficace)^2

Tension de drain instantanée totale

LaTeX Aller Tension de vidange instantanée totale = Tension des composants fondamentaux-Résistance aux fuites*Courant de vidange

Tension d'entrée dans le transistor

LaTeX Aller Tension des composants fondamentaux = Résistance aux fuites*Courant de vidange-Tension de vidange instantanée totale

Tension de drain instantanée totale Formule

LaTeX Aller

Tension de vidange instantanée totale = Tension des composants fondamentaux-Résistance aux fuites*Courant de vidange
V_d = V_fc-R_d*i_d

Comment la tension de seuil peut-elle être modifiée ?

Au niveau du circuit, la tension de seuil peut être réduite en augmentant le potentiel du canal pour la même tension grille-source. Comme le potentiel du canal est le résultat du potentiel de grille, de source, de drain et de volume / corps (porte arrière), jouer avec ces trois derniers peut effectivement modifier la tension de seuil.

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