Temps de charge total Calculatrice

✖Le temps de charge de l'émetteur est défini comme la dérive du mouvement des particules chargées induite par un champ lorsque vous polarisez en direct la jonction de l'émetteur, vous obtenez une diffusion importante.ⓘ Temps de charge de l'émetteur [τ_e]			+10% -10%
✖Le temps de charge du collecteur fait référence au temps nécessaire aux porteurs minoritaires de la région de base d'un BJT pour être balayés hors de la région du collecteur après la désactivation du transistor.ⓘ Temps de charge du collecteur [τ_c]			+10% -10%

✖Le temps de charge total dans un BJT est la durée pendant laquelle les courants d'émetteur et de collecteur atteignent une partie substantielle de leurs valeurs finales lors de l'activation du transistor.ⓘ Temps de charge total [τ_ct]

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Temps de charge total Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Temps de charge total = Temps de charge de l'émetteur+Temps de charge du collecteur
τ_ct = τ_e+τ_c
Cette formule utilise 3 Variables

Variables utilisées

Temps de charge total - (Mesuré en Deuxième) - Le temps de charge total dans un BJT est la durée pendant laquelle les courants d'émetteur et de collecteur atteignent une partie substantielle de leurs valeurs finales lors de l'activation du transistor.
Temps de charge de l'émetteur - (Mesuré en Deuxième) - Le temps de charge de l'émetteur est défini comme la dérive du mouvement des particules chargées induite par un champ lorsque vous polarisez en direct la jonction de l'émetteur, vous obtenez une diffusion importante.
Temps de charge du collecteur - (Mesuré en Deuxième) - Le temps de charge du collecteur fait référence au temps nécessaire aux porteurs minoritaires de la région de base d'un BJT pour être balayés hors de la région du collecteur après la désactivation du transistor.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Temps de charge de l'émetteur: 5273 Microseconde --> 0.005273 Deuxième (Vérifiez la conversion ici)
Temps de charge du collecteur: 6.4 Microseconde --> 6.4E-06 Deuxième (Vérifiez la conversion ici)

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

τ_ct = τ_e+τ_c --> 0.005273+6.4E-06

Évaluer ... ...

τ_ct = 0.0052794

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

0.0052794 Deuxième -->5279.4 Microseconde (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

5279.4 Microseconde <-- Temps de charge total

(Calcul effectué en 00.007 secondes)

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Crédits

Créé par Gowthaman N.

Institut de technologie de Vellore (Université VIT), Chennai

Gowthaman N. a créé cette calculatrice et 25+ autres calculatrices!

Vérifié par Ritwik Tripathi

Institut de technologie de Vellore (VIT Velloré), Vellore

Ritwik Tripathi a validé cette calculatrice et 100+ autres calculatrices!

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Temps de retard du collecteur de base

LaTeX Aller Temps de retard du collecteur de base = Temps de retard du collecteur émetteur-(Temps de charge du collecteur+Temps de transit de base+Temps de charge de l'émetteur)

Temps de charge du collecteur

LaTeX Aller Temps de charge du collecteur = Temps de retard du collecteur émetteur-(Temps de retard du collecteur de base+Temps de transit de base+Temps de charge de l'émetteur)

Temps de transit de base

LaTeX Aller Temps de transit de base = Temps de retard du collecteur émetteur-(Temps de retard du collecteur de base+Temps de charge du collecteur+Temps de charge de l'émetteur)

Fréquence de coupure du micro-ondes

LaTeX Aller Fréquence de coupure dans BJT = 1/(2*pi*Temps de retard du collecteur émetteur)

Temps de charge total Formule

LaTeX Aller

Temps de charge total = Temps de charge de l'émetteur+Temps de charge du collecteur
τ_ct = τ_e+τ_c

Comment pouvez-vous expliquer le concept de Temps Total de Charge dans un BJT ?

Le temps de charge total dans un BJT est la somme du temps de charge de l'émetteur et du temps de charge du collecteur. Il représente la durée pendant laquelle les courants d'émetteur et de collecteur s'approchent de fractions significatives de leurs valeurs finales lors de l'activation du transistor, ce qui est crucial pour comprendre le comportement dynamique du transistor.

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