Capacité totale entre la porte et le canal des MOSFET Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Capacité du canal de porte = Capacité d'oxyde*Largeur de canal*Longueur du canal
Cg = Cox*Wc*L
Cette formule utilise 4 Variables
Variables utilisées
Capacité du canal de porte - (Mesuré en Farad) - La capacité de canal de grille fait référence à la capacité électrique qui existe entre l'électrode de grille et la région de canal d'un transistor à effet de champ métal-oxyde-semi-conducteur (MOSFET).
Capacité d'oxyde - (Mesuré en Farad) - La capacité d'oxyde est un paramètre important qui affecte les performances des dispositifs MOS, telles que la vitesse et la consommation électrique des circuits intégrés.
Largeur de canal - (Mesuré en Mètre) - La largeur du canal fait référence à la plage de fréquences utilisée pour transmettre des données sur un canal de communication sans fil. Elle est également connue sous le nom de bande passante et se mesure en hertz (Hz).
Longueur du canal - (Mesuré en Mètre) - La longueur du canal fait référence à la distance entre les bornes source et drain dans un transistor à effet de champ (FET).
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Capacité d'oxyde: 940 microfarades --> 0.00094 Farad (Vérifiez la conversion ​ici)
Largeur de canal: 10 Micromètre --> 1E-05 Mètre (Vérifiez la conversion ​ici)
Longueur du canal: 100 Micromètre --> 0.0001 Mètre (Vérifiez la conversion ​ici)
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
Cg = Cox*Wc*L --> 0.00094*1E-05*0.0001
Évaluer ... ...
Cg = 9.4E-13
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
9.4E-13 Farad -->9.4E-07 microfarades (Vérifiez la conversion ​ici)
RÉPONSE FINALE
9.4E-07 9.4E-7 microfarades <-- Capacité du canal de porte
(Calcul effectué en 00.020 secondes)

Crédits

Creator Image
Créé par Payal Priya
Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri
Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!
Verifier Image
Vérifié par Urvi Rathod
Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

Effets capacitifs internes et modèle haute fréquence Calculatrices

Fréquence de transition du MOSFET
​ LaTeX ​ Aller Fréquence de transition = Transconductance/(2*pi*(Capacité de la porte source+Capacité de vidange de porte))
Largeur du canal porte à source du MOSFET
​ LaTeX ​ Aller Largeur de canal = Capacité de chevauchement/(Capacité d'oxyde*Longueur de chevauchement)
Capacité de chevauchement du MOSFET
​ LaTeX ​ Aller Capacité de chevauchement = Largeur de canal*Capacité d'oxyde*Longueur de chevauchement
Capacité totale entre la porte et le canal des MOSFET
​ LaTeX ​ Aller Capacité du canal de porte = Capacité d'oxyde*Largeur de canal*Longueur du canal

Capacité totale entre la porte et le canal des MOSFET Formule

​LaTeX ​Aller
Capacité du canal de porte = Capacité d'oxyde*Largeur de canal*Longueur du canal
Cg = Cox*Wc*L

Expliquez l'ensemble du processus de la région de canal du MOSFET formant un condensateur à plaques parallèles.

La grille et la région de canal du MOSFET forment un condensateur à plaques parallèles, la couche d'oxyde jouant le rôle de diélectrique du condensateur. La tension de grille positive provoque l'accumulation d'une charge positive sur la plaque supérieure du condensateur (l'électrode de grille). La charge négative correspondante sur la plaque inférieure est formée par les électrons dans le canal induit. Un champ électrique se développe donc dans le sens vertical. C'est ce champ qui contrôle la quantité de charge dans le canal, et donc il détermine la conductivité du canal et, à son tour, le courant qui passera à travers le canal lorsqu'une tension est appliquée.

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