Délai lorsque le NMOS fonctionne dans une région linéaire Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Région linéaire en temporisation = -2*Capacité de jonction*int(1/(Paramètre de processus de transconductance*(2*(Tension d'entrée-Tension de seuil)*x-x^2)),x,Tension initiale,Tension finale)
tdelay = -2*Cj*int(1/(kn*(2*(Vi-VT)*x-x^2)),x,V1,V2)
Cette formule utilise 1 Les fonctions, 7 Variables
Fonctions utilisées
int - L'intégrale définie peut être utilisée pour calculer l'aire nette signée, qui est l'aire au-dessus de l'axe des x moins l'aire en dessous de l'axe des x., int(expr, arg, from, to)
Variables utilisées
Région linéaire en temporisation - (Mesuré en Deuxième) - La région linéaire dans le délai est définie comme le délai résultant de la charge et de la décharge des condensateurs connectés au NMOS lors des événements de commutation.
Capacité de jonction - (Mesuré en Farad) - La capacité de jonction fait référence à la capacité résultant de la région d'appauvrissement entre les bornes source/drain et le substrat.
Paramètre de processus de transconductance - (Mesuré en Ampère par volt carré) - Le paramètre de processus de transconductance est une constante spécifique à l'appareil qui caractérise la capacité du transistor à convertir une modification de la tension de grille en une modification du courant de sortie.
Tension d'entrée - (Mesuré en Volt) - La tension d'entrée est la différence de potentiel électrique appliquée aux bornes d'entrée d'un composant ou d'un système.
Tension de seuil - (Mesuré en Volt) - La tension de seuil est la tension grille-source minimale requise dans un MOSFET pour l'activer et permettre à un courant important de circuler.
Tension initiale - (Mesuré en Volt) - La tension initiale fait référence à la tension présente à un point spécifique d'un circuit au début d'une certaine opération ou dans des conditions spécifiques.
Tension finale - (Mesuré en Volt) - La tension finale fait référence au niveau de tension atteint ou mesuré à la fin d'un processus ou d'un événement particulier.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Capacité de jonction: 95009 Farad --> 95009 Farad Aucune conversion requise
Paramètre de processus de transconductance: 4.553 Ampère par volt carré --> 4.553 Ampère par volt carré Aucune conversion requise
Tension d'entrée: 2.25 Volt --> 2.25 Volt Aucune conversion requise
Tension de seuil: 5.91 Volt --> 5.91 Volt Aucune conversion requise
Tension initiale: 5.42 Nanovolt --> 5.42E-09 Volt (Vérifiez la conversion ​ici)
Tension finale: 6.135 Nanovolt --> 6.135E-09 Volt (Vérifiez la conversion ​ici)
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
tdelay = -2*Cj*int(1/(kn*(2*(Vi-VT)*x-x^2)),x,V1,V2) --> -2*95009*int(1/(4.553*(2*(2.25-5.91)*x-x^2)),x,5.42E-09,6.135E-09)
Évaluer ... ...
tdelay = 706.520454377221
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
706.520454377221 Deuxième --> Aucune conversion requise
RÉPONSE FINALE
706.520454377221 706.5205 Deuxième <-- Région linéaire en temporisation
(Calcul effectué en 00.008 secondes)

Crédits

Creator Image
Créé par Vignesh Naidu
Institut de technologie de Vellore (VIT), Vellore,Tamil Nadu
Vignesh Naidu a créé cette calculatrice et 10+ autres calculatrices!
Verifier Image
Vérifié par Dipanjona Mallick
Institut du patrimoine de technologie (HITK), Calcutta
Dipanjona Mallick a validé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!

Transistors MOS Calculatrices

Facteur d’équivalence de tension des parois latérales
​ LaTeX ​ Aller Facteur d’équivalence de tension des parois latérales = -(2*sqrt(Potentiel intégré des jonctions des parois latérales)/(Tension finale-Tension initiale)*(sqrt(Potentiel intégré des jonctions des parois latérales-Tension finale)-sqrt(Potentiel intégré des jonctions des parois latérales-Tension initiale)))
Potentiel de Fermi pour le type P
​ LaTeX ​ Aller Potentiel de Fermi pour le type P = ([BoltZ]*Température absolue)/[Charge-e]*ln(Concentration intrinsèque de porteurs/Concentration dopante de l'accepteur)
Capacité équivalente à grande jonction de signal
​ LaTeX ​ Aller Capacité équivalente à grande jonction de signal = Périmètre du flanc*Capacité de jonction des parois latérales*Facteur d’équivalence de tension des parois latérales
Capacité de jonction de paroi latérale à polarisation nulle par unité de longueur
​ LaTeX ​ Aller Capacité de jonction des parois latérales = Potentiel de jonction des parois latérales sans polarisation*Profondeur du flanc

Délai lorsque le NMOS fonctionne dans une région linéaire Formule

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Région linéaire en temporisation = -2*Capacité de jonction*int(1/(Paramètre de processus de transconductance*(2*(Tension d'entrée-Tension de seuil)*x-x^2)),x,Tension initiale,Tension finale)
tdelay = -2*Cj*int(1/(kn*(2*(Vi-VT)*x-x^2)),x,V1,V2)
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