Tension thermique du CMOS Calculatrice

✖Le potentiel intégré est le potentiel à l’intérieur du MOSFET.ⓘ Potentiel intégré [ψ_o]			+10% -10%
✖La concentration d'accepteur est la concentration de trous dans l'état d'accepteur.ⓘ Concentration d'accepteur [N_a]			+10% -10%
✖La concentration du donneur est la concentration d'électrons dans l'état donneur.ⓘ Concentration des donneurs [N_d]			+10% -10%
✖La concentration électronique intrinsèque est définie comme le nombre d'électrons dans la bande de conduction ou le nombre de trous dans la bande de valence dans un matériau intrinsèque.ⓘ Concentration électronique intrinsèque [n_i]			+10% -10%

✖La tension thermique est la tension produite au sein de la jonction pn.ⓘ Tension thermique du CMOS [V_t]

⎘ Copie

👎

Formule

LaTeX

Réinitialiser

👍

Télécharger Caractéristiques de conception CMOS Formules PDF PDF Image

Tension thermique du CMOS Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Tension thermique = Potentiel intégré/ln((Concentration d'accepteur*Concentration des donneurs)/(Concentration électronique intrinsèque^2))
V_t = ψ_o/ln((N_a*N_d)/(n_i^2))
Cette formule utilise 1 Les fonctions, 5 Variables

Fonctions utilisées

ln - Le logarithme naturel, également connu sous le nom de logarithme de base e, est la fonction inverse de la fonction exponentielle naturelle., ln(Number)

Variables utilisées

Tension thermique - (Mesuré en Volt) - La tension thermique est la tension produite au sein de la jonction pn.
Potentiel intégré - (Mesuré en Volt) - Le potentiel intégré est le potentiel à l’intérieur du MOSFET.
Concentration d'accepteur - (Mesuré en 1 par mètre cube) - La concentration d'accepteur est la concentration de trous dans l'état d'accepteur.
Concentration des donneurs - (Mesuré en 1 par mètre cube) - La concentration du donneur est la concentration d'électrons dans l'état donneur.
Concentration électronique intrinsèque - La concentration électronique intrinsèque est définie comme le nombre d'électrons dans la bande de conduction ou le nombre de trous dans la bande de valence dans un matériau intrinsèque.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Potentiel intégré: 18.8 Volt --> 18.8 Volt Aucune conversion requise
Concentration d'accepteur: 1100 1 par mètre cube --> 1100 1 par mètre cube Aucune conversion requise
Concentration des donneurs: 190000000000000 1 par mètre cube --> 190000000000000 1 par mètre cube Aucune conversion requise
Concentration électronique intrinsèque: 17 --> Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

V_t = ψ_o/ln((N_a*N_d)/(n_i^2)) --> 18.8/ln((1100*190000000000000)/(17^2))

Évaluer ... ...

V_t = 0.549471683639064

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

0.549471683639064 Volt --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

0.549471683639064 ≈ 0.549472 Volt <-- Tension thermique

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

Tu es là -

Accueil » Ingénierie » Électronique » Conception et applications CMOS » Caractéristiques de conception CMOS » Tension thermique du CMOS

Crédits

Créé par Shobhit Dimri

Institut de technologie Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri a créé cette calculatrice et 900+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

< Caractéristiques de conception CMOS Calculatrices

Potentiel intégré

LaTeX Aller Potentiel intégré = Tension thermique*ln((Concentration d'accepteur*Concentration des donneurs)/(Concentration électronique intrinsèque^2))

Changement d'horloge de fréquence

LaTeX Aller Changement de fréquence d'horloge = Gain du VCO*Tension de contrôle VCO

Capacitance Onpath

LaTeX Aller Capacité en route = Capacité totale en scène-Capacité hors parcours

Courant statique

LaTeX Aller Courant statique = Puissance statique/Tension du collecteur de base

Tension thermique du CMOS Formule

LaTeX Aller

Tension thermique = Potentiel intégré/ln((Concentration d'accepteur*Concentration des donneurs)/(Concentration électronique intrinsèque^2))
V_t = ψ_o/ln((N_a*N_d)/(n_i^2))

Qu'est-ce que le lecteur ?

"Drive" dans l'électronique numérique fait référence à la capacité d'une porte logique ou d'un circuit à fournir du courant à sa sortie, influençant la rapidité avec laquelle la tension de sortie passe d'un niveau logique à l'autre et jouant un rôle essentiel dans la détermination des performances globales des systèmes numériques.

Accueil

GRATUIT PDF

🔍 Chercher

Catégories

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!