Concentration d'équilibre thermique du porteur de charge minoritaire Calculatrice

✖La densité de porteurs intrinsèques est le nombre d'électrons dans la bande de conduction ou le nombre de trous dans la bande de valence dans le matériau intrinsèque.ⓘ Densité porteuse intrinsèque [n_i]			+10% -10%
✖La concentration de dopage de la base est le nombre d'impuretés ajoutées à la base.ⓘ Concentration de dopage de la base [N_B]			+10% -10%

✖La concentration d'équilibre thermique est définie comme la concentration de porteurs dans un amplificateur.ⓘ Concentration d'équilibre thermique du porteur de charge minoritaire [n_po]

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Formule

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Concentration d'équilibre thermique du porteur de charge minoritaire

Formule

n po = \frac{{(n i)}^{2}}{N B}

Exemple

1.1E+18 /m³ = \frac{{(4.5E+9 /m³)}^{2}}{19 /m³}

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Concentration d'équilibre thermique du porteur de charge minoritaire Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Concentration d'équilibre thermique = ((Densité porteuse intrinsèque)^2)/Concentration de dopage de la base
n_po = ((n_i)^2)/N_B
Cette formule utilise 3 Variables

Variables utilisées

Concentration d'équilibre thermique - (Mesuré en 1 par mètre cube) - La concentration d'équilibre thermique est définie comme la concentration de porteurs dans un amplificateur.
Densité porteuse intrinsèque - (Mesuré en 1 par mètre cube) - La densité de porteurs intrinsèques est le nombre d'électrons dans la bande de conduction ou le nombre de trous dans la bande de valence dans le matériau intrinsèque.
Concentration de dopage de la base - (Mesuré en 1 par mètre cube) - La concentration de dopage de la base est le nombre d'impuretés ajoutées à la base.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Densité porteuse intrinsèque: 4500000000 1 par mètre cube --> 4500000000 1 par mètre cube Aucune conversion requise
Concentration de dopage de la base: 19 1 par mètre cube --> 19 1 par mètre cube Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

n_po = ((n_i)^2)/N_B --> ((4500000000)^2)/19

Évaluer ... ...

n_po = 1.06578947368421E+18

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

1.06578947368421E+18 1 par mètre cube --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

1.06578947368421E+18 ≈ 1.1E+18 1 par mètre cube <-- Concentration d'équilibre thermique

(Calcul effectué en 00.020 secondes)

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Crédits

Créé par Payal Priya

Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri

Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

< Effets capacitifs internes et modèle haute fréquence Calculatrices

Capacité de diffusion de petit signal de BJT

Aller Capacité émetteur-base = Constante de l'appareil*(Courant de collecteur/Tension de seuil)

Charge d'électrons stockée dans la base de BJT

Aller Charge d'électrons stockée = Constante de l'appareil*Courant de collecteur

Capacité de diffusion de petits signaux

Aller Capacité émetteur-base = Constante de l'appareil*Transconductance

Capacité de jonction base-émetteur

Aller Capacité de jonction base-émetteur = 2*Capacité émetteur-base

< Circuit BJT Calculatrices

Puissance totale dissipée en BJT

Aller Pouvoir = Tension collecteur-émetteur*Courant de collecteur+Tension base-émetteur*Courant de base

Mode commun Taux de réjection

Aller Mode commun Taux de réjection = 20*log10(Gain en mode différentiel/Gain en mode commun)

Gain de courant de base commune

Aller Gain de courant de base commune = Gain de courant de l'émetteur commun/(Gain de courant de l'émetteur commun+1)

Gain intrinsèque de BJT

Aller Gain intrinsèque = Tension précoce/Tension thermique

Concentration d'équilibre thermique du porteur de charge minoritaire Formule

Concentration d'équilibre thermique = ((Densité porteuse intrinsèque)^2)/Concentration de dopage de la base
n_po = ((n_i)^2)/N_B

Qu'est-ce que la concentration de porteurs à l'équilibre thermique?

Le nombre de porteurs dans la bande de conduction et de valence sans biais appliqué de l'extérieur est appelé concentration de porteurs à l'équilibre. Pour les porteurs majoritaires, la concentration d'équilibre des porteurs est égale à la concentration intrinsèque des porteurs plus le nombre de porteurs libres ajoutés par dopage du semi-conducteur.

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