Concentration d'équilibre thermique du porteur de charge minoritaire Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Concentration d'équilibre thermique = ((Densité porteuse intrinsèque)^2)/Concentration de dopage de la base
npo = ((ni)^2)/NB
Cette formule utilise 3 Variables
Variables utilisées
Concentration d'équilibre thermique - (Mesuré en 1 par mètre cube) - La concentration d'équilibre thermique est définie comme la concentration de porteurs dans un amplificateur.
Densité porteuse intrinsèque - (Mesuré en 1 par mètre cube) - La densité de porteurs intrinsèques est le nombre d'électrons dans la bande de conduction ou le nombre de trous dans la bande de valence dans le matériau intrinsèque.
Concentration de dopage de la base - (Mesuré en 1 par mètre cube) - La concentration de dopage de la base est le nombre d'impuretés ajoutées à la base.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Densité porteuse intrinsèque: 4500000000 1 par mètre cube --> 4500000000 1 par mètre cube Aucune conversion requise
Concentration de dopage de la base: 19 1 par mètre cube --> 19 1 par mètre cube Aucune conversion requise
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
npo = ((ni)^2)/NB --> ((4500000000)^2)/19
Évaluer ... ...
npo = 1.06578947368421E+18
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
1.06578947368421E+18 1 par mètre cube --> Aucune conversion requise
RÉPONSE FINALE
1.06578947368421E+18 1.1E+18 1 par mètre cube <-- Concentration d'équilibre thermique
(Calcul effectué en 00.008 secondes)

Crédits

Creator Image
Créé par Payal Priya
Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri
Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!
Verifier Image
Vérifié par Urvi Rathod
Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

Effets capacitifs internes et modèle haute fréquence Calculatrices

Capacité de diffusion de petit signal de BJT
​ LaTeX ​ Aller Capacité émetteur-base = Constante de l'appareil*(Courant de collecteur/Tension de seuil)
Charge d'électrons stockée dans la base de BJT
​ LaTeX ​ Aller Charge d'électrons stockée = Constante de l'appareil*Courant de collecteur
Capacité de diffusion de petits signaux
​ LaTeX ​ Aller Capacité émetteur-base = Constante de l'appareil*Transconductance
Capacité de jonction base-émetteur
​ LaTeX ​ Aller Capacité de jonction base-émetteur = 2*Capacité émetteur-base

Circuit BJT Calculatrices

Puissance totale dissipée en BJT
​ LaTeX ​ Aller Pouvoir = Tension collecteur-émetteur*Courant de collecteur+Tension base-émetteur*Courant de base
Mode commun Taux de réjection
​ LaTeX ​ Aller Mode commun Taux de réjection = 20*log10(Gain en mode différentiel/Gain en mode commun)
Gain de courant de base commune
​ LaTeX ​ Aller Gain de courant de base commune = Gain de courant de l'émetteur commun/(Gain de courant de l'émetteur commun+1)
Gain intrinsèque de BJT
​ LaTeX ​ Aller Gain intrinsèque = Tension précoce/Tension thermique

Concentration d'équilibre thermique du porteur de charge minoritaire Formule

​LaTeX ​Aller
Concentration d'équilibre thermique = ((Densité porteuse intrinsèque)^2)/Concentration de dopage de la base
npo = ((ni)^2)/NB

Qu'est-ce que la concentration de porteurs à l'équilibre thermique?

Le nombre de porteurs dans la bande de conduction et de valence sans biais appliqué de l'extérieur est appelé concentration de porteurs à l'équilibre. Pour les porteurs majoritaires, la concentration d'équilibre des porteurs est égale à la concentration intrinsèque des porteurs plus le nombre de porteurs libres ajoutés par dopage du semi-conducteur.

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