PPCM de deux nombres

Tension du point de commutation Calculatrice

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✖La tension d'alimentation fait référence au niveau de tension fourni pour alimenter un circuit ou un appareil électronique.ⓘ Tension d'alimentation [V_dd]			+10% -10%
✖La tension de seuil PMOS est un paramètre critique qui définit le niveau de tension auquel le transistor commence à conduire le courant.ⓘ Tension de seuil PMOS [V_tp]			+10% -10%
✖La tension de seuil NMOS est un paramètre critique qui détermine la tension grille-source à laquelle le transistor commence à conduire le courant.ⓘ Tension de seuil NMOS [V_tn]			+10% -10%
✖Le gain du transistor NMOS est une mesure de la mesure dans laquelle le courant de sortie change en réponse à un petit changement dans la tension d'entrée.ⓘ Gain du transistor NMOS [β_n]			+10% -10%
✖Le gain du transistor PMOS est une mesure de la mesure dans laquelle le courant de sortie change en réponse à un petit changement dans la tension d'entrée.ⓘ Gain des transistors PMOS [β_p]			+10% -10%

✖La tension du point de commutation fait référence à la tension grille-source (Vgs) à laquelle le MOSFET passe de son état désactivé à son état activé ou vice versa.ⓘ Tension du point de commutation [V_s]

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Tension du point de commutation Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Tension du point de commutation = (Tension d'alimentation+Tension de seuil PMOS+Tension de seuil NMOS*sqrt(Gain du transistor NMOS/Gain des transistors PMOS))/(1+sqrt(Gain du transistor NMOS/Gain des transistors PMOS))
V_s = (V_dd+V_tp+V_tn*sqrt(β_n/β_p))/(1+sqrt(β_n/β_p))
Cette formule utilise 1 Les fonctions, 6 Variables

Fonctions utilisées

sqrt - Une fonction racine carrée est une fonction qui prend un nombre non négatif comme entrée et renvoie la racine carrée du nombre d'entrée donné., sqrt(Number)

Variables utilisées

Tension du point de commutation - (Mesuré en Volt) - La tension du point de commutation fait référence à la tension grille-source (Vgs) à laquelle le MOSFET passe de son état désactivé à son état activé ou vice versa.
Tension d'alimentation - (Mesuré en Volt) - La tension d'alimentation fait référence au niveau de tension fourni pour alimenter un circuit ou un appareil électronique.
Tension de seuil PMOS - (Mesuré en Volt) - La tension de seuil PMOS est un paramètre critique qui définit le niveau de tension auquel le transistor commence à conduire le courant.
Tension de seuil NMOS - (Mesuré en Volt) - La tension de seuil NMOS est un paramètre critique qui détermine la tension grille-source à laquelle le transistor commence à conduire le courant.
Gain du transistor NMOS - Le gain du transistor NMOS est une mesure de la mesure dans laquelle le courant de sortie change en réponse à un petit changement dans la tension d'entrée.
Gain des transistors PMOS - Le gain du transistor PMOS est une mesure de la mesure dans laquelle le courant de sortie change en réponse à un petit changement dans la tension d'entrée.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Tension d'alimentation: 6.3 Volt --> 6.3 Volt Aucune conversion requise
Tension de seuil PMOS: 3.14 Volt --> 3.14 Volt Aucune conversion requise
Tension de seuil NMOS: 25 Volt --> 25 Volt Aucune conversion requise
Gain du transistor NMOS: 18 --> Aucune conversion requise
Gain des transistors PMOS: 6.5 --> Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

V_s = (V_dd+V_tp+V_tn*sqrt(β_n/β_p))/(1+sqrt(β_n/β_p)) --> (6.3+3.14+25*sqrt(18/6.5))/(1+sqrt(18/6.5))

Évaluer ... ...

V_s = 19.1593796922905

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

19.1593796922905 Volt --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

19.1593796922905 ≈ 19.15938 Volt <-- Tension du point de commutation

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par banuprakash

Collège d'ingénierie Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

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Vérifié par Santhosh Yadav

Collège d'ingénierie Dayananda Sagar (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav a validé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!

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Effet corporel dans MOSFET

LaTeX Aller Tension de seuil avec substrat = Tension de seuil avec polarisation de corps nulle+Paramètre d'effet corporel*(sqrt(2*Potentiel Fermi en vrac+Tension appliquée au corps)-sqrt(2*Potentiel Fermi en vrac))

Courant de drain du MOSFET dans la région de saturation

LaTeX Aller Courant de vidange = Paramètre de transconductance/2*(Tension de source de porte-Tension de seuil avec polarisation de corps nulle)^2*(1+Facteur de modulation de longueur de canal*Tension de source de drain)

Résistance du canal

LaTeX Aller Résistance du canal = Longueur du transistor/Largeur du transistor*1/(Mobilité électronique*Densité des porteurs)

Fréquence de gain unitaire MOSFET

LaTeX Aller Fréquence de gain unitaire dans MOSFET = Transconductance dans MOSFET/(Capacité de la source de porte+Capacité de drainage de porte)