PGCD de trois nombres

Potentiel de surface Calculatrice

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Optimisation des matériaux VLSI Conception VLSI analogique

✖La différence de potentiel du corps source est calculée lorsqu'un potentiel appliqué de manière externe est égal à la somme de la chute de tension aux bornes de la couche d'oxyde et de la chute de tension aux bornes du semi-conducteur.ⓘ Différence potentielle du corps source [V_sb]			+10% -10%
✖La concentration d'accepteur fait référence à la concentration d'atomes de dopant accepteur dans un matériau semi-conducteur.ⓘ Concentration d'accepteur [N_A]			+10% -10%
✖La concentration intrinsèque fait référence à la concentration de porteurs de charge (électrons et trous) dans un semi-conducteur intrinsèque à l'équilibre thermique.ⓘ Concentration intrinsèque [N_i]			+10% -10%

✖Le potentiel de surface est un paramètre clé dans l’évaluation de la propriété DC des transistors à couches minces.ⓘ Potentiel de surface [Φ_s]

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Potentiel de surface Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Potentiel des surfaces = 2*Différence potentielle du corps source*ln(Concentration d'accepteur/Concentration intrinsèque)
Φ_s = 2*V_sb*ln(N_A/N_i)
Cette formule utilise 1 Les fonctions, 4 Variables

Fonctions utilisées

ln - Le logarithme naturel, également connu sous le nom de logarithme de base e, est la fonction inverse de la fonction exponentielle naturelle., ln(Number)

Variables utilisées

Potentiel des surfaces - (Mesuré en Volt) - Le potentiel de surface est un paramètre clé dans l’évaluation de la propriété DC des transistors à couches minces.
Différence potentielle du corps source - (Mesuré en Volt) - La différence de potentiel du corps source est calculée lorsqu'un potentiel appliqué de manière externe est égal à la somme de la chute de tension aux bornes de la couche d'oxyde et de la chute de tension aux bornes du semi-conducteur.
Concentration d'accepteur - (Mesuré en 1 par mètre cube) - La concentration d'accepteur fait référence à la concentration d'atomes de dopant accepteur dans un matériau semi-conducteur.
Concentration intrinsèque - (Mesuré en 1 par mètre cube) - La concentration intrinsèque fait référence à la concentration de porteurs de charge (électrons et trous) dans un semi-conducteur intrinsèque à l'équilibre thermique.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Différence potentielle du corps source: 1.36 Volt --> 1.36 Volt Aucune conversion requise
Concentration d'accepteur: 1E+16 1 par centimètre cube --> 1E+22 1 par mètre cube (Vérifiez la conversion ici)
Concentration intrinsèque: 14500000000 1 par centimètre cube --> 1.45E+16 1 par mètre cube (Vérifiez la conversion ici)

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

Φ_s = 2*V_sb*ln(N_A/N_i) --> 2*1.36*ln(1E+22/1.45E+16)

Évaluer ... ...

Φ_s = 36.5675358441665

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

36.5675358441665 Volt --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

36.5675358441665 ≈ 36.56754 Volt <-- Potentiel des surfaces

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Shobhit Dimri

Institut de technologie Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri a créé cette calculatrice et 900+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

< Optimisation des matériaux VLSI Calculatrices

Coefficient d'effet corporel

LaTeX Aller Coefficient d'effet corporel = modulus((Tension de seuil-Tension de seuil DIBL)/(sqrt(Potentiel des surfaces+(Différence potentielle du corps source))-sqrt(Potentiel des surfaces)))

Coefficient DIBL

LaTeX Aller Coefficient DIBL = (Tension de seuil DIBL-Tension de seuil)/Potentiel de drainage vers la source

Charge de canal

LaTeX Aller Frais de canal = Capacité de porte*(Tension porte à canal-Tension de seuil)

Tension critique

LaTeX Aller Tension critique = Champ électrique critique*Champ électrique sur toute la longueur du canal

Potentiel de surface Formule

LaTeX Aller

Potentiel des surfaces = 2*Différence potentielle du corps source*ln(Concentration d'accepteur/Concentration intrinsèque)
Φ_s = 2*V_sb*ln(N_A/N_i)

Pourquoi calcule-t-on le potentiel de surface ?

Le potentiel de surface est calculé pour déterminer le niveau de tension à la surface du semi-conducteur. Il permet d'évaluer les performances des appareils, la tension de seuil et la consommation d'énergie des transistors CMOS, facilitant ainsi la conception et l'optimisation des circuits.

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