Coefficient de biais du substrat Calculatrice

Coefficient de biais du substrat = sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Concentration dopante de l'accepteur)/Capacité d'oxyde
γ_s = sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*N_A)/C_ox
Cette formule utilise 2 Constantes, 1 Les fonctions, 3 Variables
[Permitivity-silicon] - Permittivité du silicium Valeur prise comme 11.7
[Charge-e] - Charge d'électron Valeur prise comme 1.60217662E-19sqrt - Une fonction racine carrée est une fonction qui prend un nombre non négatif comme entrée et renvoie la racine carrée du nombre d'entrée donné., sqrt(Number)Coefficient de biais du substrat - Le coefficient de polarisation du substrat est un paramètre utilisé dans la modélisation des dispositifs à transistors à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur (MOSFET).
Concentration dopante de l'accepteur - (Mesuré en Électrons par mètre cube) - La concentration de dopage de l'accepteur fait référence à la concentration d'atomes accepteurs intentionnellement ajoutés à un matériau semi-conducteur.
Capacité d'oxyde - (Mesuré en Farad) - La capacité d'oxyde fait référence à la capacité associée à la couche d'oxyde isolante dans une structure métal-oxyde-semi-conducteur (MOS), comme dans les MOSFET.

(Calcul effectué en 00.004 secondes)