Calculatrice A à Z
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Actuel
Amélioration du canal N
Amélioration du canal P
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✖
La concentration de dopage de l'accepteur fait référence à la concentration d'atomes accepteurs intentionnellement ajoutés à un matériau semi-conducteur.
ⓘ
Concentration dopante de l'accepteur [N
A
]
Électrons par centimètre cube
Électrons par mètre cube
+10%
-10%
✖
La capacité d'oxyde fait référence à la capacité associée à la couche d'oxyde isolante dans une structure métal-oxyde-semi-conducteur (MOS), comme dans les MOSFET.
ⓘ
Capacité d'oxyde [C
ox
]
Farad
FemtoFarad
Kilofarad
microfarades
Millifarad
Nanofarad
picofarad
+10%
-10%
✖
Le coefficient de polarisation du substrat est un paramètre utilisé dans la modélisation des dispositifs à transistors à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur (MOSFET).
ⓘ
Coefficient de biais du substrat [γ
s
]
⎘ Copie
Pas
👎
Formule
✖
Coefficient de biais du substrat
Formule
γ
s
=
2
⋅
[Charge-e]
⋅
[Permitivity-silicon]
⋅
N
A
C
ox
Exemple
5.7E-7
=
2
⋅
[Charge-e]
⋅
[Permitivity-silicon]
⋅
1.32 electrons/cm³
3.9 F
Calculatrice
LaTeX
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👍
Télécharger MOSFET Formule PDF
Coefficient de biais du substrat Solution
ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Coefficient de biais du substrat
=
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
Concentration dopante de l'accepteur
)/
Capacité d'oxyde
γ
s
=
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
N
A
)/
C
ox
Cette formule utilise
2
Constantes
,
1
Les fonctions
,
3
Variables
Constantes utilisées
[Permitivity-silicon]
- Permittivité du silicium Valeur prise comme 11.7
[Charge-e]
- Charge d'électron Valeur prise comme 1.60217662E-19
Fonctions utilisées
sqrt
- Une fonction racine carrée est une fonction qui prend un nombre non négatif comme entrée et renvoie la racine carrée du nombre d'entrée donné., sqrt(Number)
Variables utilisées
Coefficient de biais du substrat
- Le coefficient de polarisation du substrat est un paramètre utilisé dans la modélisation des dispositifs à transistors à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur (MOSFET).
Concentration dopante de l'accepteur
-
(Mesuré en Électrons par mètre cube)
- La concentration de dopage de l'accepteur fait référence à la concentration d'atomes accepteurs intentionnellement ajoutés à un matériau semi-conducteur.
Capacité d'oxyde
-
(Mesuré en Farad)
- La capacité d'oxyde fait référence à la capacité associée à la couche d'oxyde isolante dans une structure métal-oxyde-semi-conducteur (MOS), comme dans les MOSFET.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Concentration dopante de l'accepteur:
1.32 Électrons par centimètre cube --> 1320000 Électrons par mètre cube
(Vérifiez la conversion
ici
)
Capacité d'oxyde:
3.9 Farad --> 3.9 Farad Aucune conversion requise
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
γ
s
= sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*N
A
)/C
ox
-->
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*1320000)/3.9
Évaluer ... ...
γ
s
= 5.70407834987726E-07
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
5.70407834987726E-07 --> Aucune conversion requise
RÉPONSE FINALE
5.70407834987726E-07
≈
5.7E-7
<--
Coefficient de biais du substrat
(Calcul effectué en 00.004 secondes)
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Coefficient de biais du substrat
Crédits
Créé par
banuprakash
Collège d'ingénierie Dayananda Sagar
(DSCE)
,
Bangalore
banuprakash a créé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!
Vérifié par
Dipanjona Mallick
Institut du patrimoine de technologie
(HITK)
,
Calcutta
Dipanjona Mallick a validé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!
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Transistors MOS Calculatrices
Facteur d’équivalence de tension des parois latérales
Aller
Facteur d’équivalence de tension des parois latérales
= -(2*
sqrt
(
Potentiel intégré des jonctions des parois latérales
)/(
Tension finale
-
Tension initiale
)*(
sqrt
(
Potentiel intégré des jonctions des parois latérales
-
Tension finale
)-
sqrt
(
Potentiel intégré des jonctions des parois latérales
-
Tension initiale
)))
Potentiel de Fermi pour le type P
Aller
Potentiel de Fermi pour le type P
= (
[BoltZ]
*
Température absolue
)/
[Charge-e]
*
ln
(
Concentration intrinsèque de porteurs
/
Concentration dopante de l'accepteur
)
Capacité équivalente à grande jonction de signal
Aller
Capacité équivalente à grande jonction de signal
=
Périmètre du flanc
*
Capacité de jonction des parois latérales
*
Facteur d’équivalence de tension des parois latérales
Capacité de jonction de paroi latérale à polarisation nulle par unité de longueur
Aller
Capacité de jonction des parois latérales
=
Potentiel de jonction des parois latérales sans polarisation
*
Profondeur du flanc
Voir plus >>
Coefficient de biais du substrat Formule
Coefficient de biais du substrat
=
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
Concentration dopante de l'accepteur
)/
Capacité d'oxyde
γ
s
=
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
N
A
)/
C
ox
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