Coefficient de biais du substrat Calculatrice

✖La concentration de dopage de l'accepteur fait référence à la concentration d'atomes accepteurs intentionnellement ajoutés à un matériau semi-conducteur.ⓘ Concentration dopante de l'accepteur [N_A]			+10% -10%
✖La capacité d'oxyde fait référence à la capacité associée à la couche d'oxyde isolante dans une structure métal-oxyde-semi-conducteur (MOS), comme dans les MOSFET.ⓘ Capacité d'oxyde [C_ox]			+10% -10%

✖Le coefficient de polarisation du substrat est un paramètre utilisé dans la modélisation des dispositifs à transistors à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur (MOSFET).ⓘ Coefficient de biais du substrat [γ_s]

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Formule

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Coefficient de biais du substrat

Formule

γ s = \frac{\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot N A}}{C ox}

Exemple

5.7E-7 = \frac{\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot 1.32 electrons/cm³}}{3.9 F}

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Coefficient de biais du substrat Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Coefficient de biais du substrat = sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Concentration dopante de l'accepteur)/Capacité d'oxyde
γ_s = sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*N_A)/C_ox
Cette formule utilise 2 Constantes, 1 Les fonctions, 3 Variables

Constantes utilisées

[Permitivity-silicon] - Permittivité du silicium Valeur prise comme 11.7
[Charge-e] - Charge d'électron Valeur prise comme 1.60217662E-19

Fonctions utilisées

sqrt - Une fonction racine carrée est une fonction qui prend un nombre non négatif comme entrée et renvoie la racine carrée du nombre d'entrée donné., sqrt(Number)

Variables utilisées

Coefficient de biais du substrat - Le coefficient de polarisation du substrat est un paramètre utilisé dans la modélisation des dispositifs à transistors à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur (MOSFET).
Concentration dopante de l'accepteur - (Mesuré en Électrons par mètre cube) - La concentration de dopage de l'accepteur fait référence à la concentration d'atomes accepteurs intentionnellement ajoutés à un matériau semi-conducteur.
Capacité d'oxyde - (Mesuré en Farad) - La capacité d'oxyde fait référence à la capacité associée à la couche d'oxyde isolante dans une structure métal-oxyde-semi-conducteur (MOS), comme dans les MOSFET.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Concentration dopante de l'accepteur: 1.32 Électrons par centimètre cube --> 1320000 Électrons par mètre cube (Vérifiez la conversion ici)
Capacité d'oxyde: 3.9 Farad --> 3.9 Farad Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

γ_s = sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*N_A)/C_ox --> sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*1320000)/3.9

Évaluer ... ...

γ_s = 5.70407834987726E-07

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

5.70407834987726E-07 --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

5.70407834987726E-07 ≈ 5.7E-7 <-- Coefficient de biais du substrat

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par banuprakash

Collège d'ingénierie Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

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Vérifié par Dipanjona Mallick

Institut du patrimoine de technologie (HITK), Calcutta

Dipanjona Mallick a validé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!

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Facteur d’équivalence de tension des parois latérales

Aller Facteur d’équivalence de tension des parois latérales = -(2*sqrt(Potentiel intégré des jonctions des parois latérales)/(Tension finale-Tension initiale)*(sqrt(Potentiel intégré des jonctions des parois latérales-Tension finale)-sqrt(Potentiel intégré des jonctions des parois latérales-Tension initiale)))

Potentiel de Fermi pour le type P

Aller Potentiel de Fermi pour le type P = ([BoltZ]*Température absolue)/[Charge-e]*ln(Concentration intrinsèque de porteurs/Concentration dopante de l'accepteur)

Capacité équivalente à grande jonction de signal

Aller Capacité équivalente à grande jonction de signal = Périmètre du flanc*Capacité de jonction des parois latérales*Facteur d’équivalence de tension des parois latérales

Capacité de jonction de paroi latérale à polarisation nulle par unité de longueur

Aller Capacité de jonction des parois latérales = Potentiel de jonction des parois latérales sans polarisation*Profondeur du flanc

Coefficient de biais du substrat Formule

Coefficient de biais du substrat = sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Concentration dopante de l'accepteur)/Capacité d'oxyde
γ_s = sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*N_A)/C_ox

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