Calculatrice A à Z
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La transconductance est définie comme le rapport entre la variation du courant de sortie et la variation de la tension d'entrée, la tension grille-source étant maintenue constante.
ⓘ
Transconductance [g
m
]
mégasiemens
Mho
Micromho
millisiemens
Siemens
+10%
-10%
✖
La tension source-grille est la différence de potentiel entre la source et la grille du transistor.
ⓘ
Tension source-grille [V
sg
]
Kilovolt
Mégavolt
Microvolt
millivolt
Nanovolt
Tension de Planck
Volt
+10%
-10%
✖
La résistance de charge est la résistance externe connectée entre la borne de drain du MOSFET et la tension d'alimentation.
ⓘ
Résistance à la charge [R
L
]
Kilohm
mégohm
Microhm
milliohm
Ohm
Volt par ampère
+10%
-10%
✖
La tension de sortie est la différence de potentiel électrique qui est fournie à une charge par une alimentation et elle joue un rôle essentiel dans la détermination des performances et de la fiabilité des systèmes électroniques.
ⓘ
Tension de sortie de petit signal [V
out
]
Kilovolt
Mégavolt
Microvolt
millivolt
Nanovolt
Tension de Planck
Volt
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Tension de sortie de petit signal Solution
ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Tension de sortie
=
Transconductance
*
Tension source-grille
*
Résistance à la charge
V
out
=
g
m
*
V
sg
*
R
L
Cette formule utilise
4
Variables
Variables utilisées
Tension de sortie
-
(Mesuré en Volt)
- La tension de sortie est la différence de potentiel électrique qui est fournie à une charge par une alimentation et elle joue un rôle essentiel dans la détermination des performances et de la fiabilité des systèmes électroniques.
Transconductance
-
(Mesuré en Siemens)
- La transconductance est définie comme le rapport entre la variation du courant de sortie et la variation de la tension d'entrée, la tension grille-source étant maintenue constante.
Tension source-grille
-
(Mesuré en Volt)
- La tension source-grille est la différence de potentiel entre la source et la grille du transistor.
Résistance à la charge
-
(Mesuré en Ohm)
- La résistance de charge est la résistance externe connectée entre la borne de drain du MOSFET et la tension d'alimentation.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Transconductance:
0.5 millisiemens --> 0.0005 Siemens
(Vérifiez la conversion
ici
)
Tension source-grille:
20 Volt --> 20 Volt Aucune conversion requise
Résistance à la charge:
0.28 Kilohm --> 280 Ohm
(Vérifiez la conversion
ici
)
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
V
out
= g
m
*V
sg
*R
L
-->
0.0005*20*280
Évaluer ... ...
V
out
= 2.8
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
2.8 Volt --> Aucune conversion requise
RÉPONSE FINALE
2.8 Volt
<--
Tension de sortie
(Calcul effectué en 00.020 secondes)
Tu es là
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Tension de sortie de petit signal
Crédits
Créé par
Ritwik Tripathi
Institut de technologie de Vellore
(VIT Velloré)
,
Vellore
Ritwik Tripathi a créé cette calculatrice et 10+ autres calculatrices!
Vérifié par
Parminder Singh
Université de Chandigarh
(UC)
,
Pendjab
Parminder Singh a validé cette calculatrice et 500+ autres calculatrices!
<
Analyse des petits signaux Calculatrices
Tension de sortie du canal P à petit signal
LaTeX
Aller
Tension de sortie
=
Transconductance
*
Tension source-grille
*((
Résistance de sortie
*
Résistance aux fuites
)/(
Résistance aux fuites
+
Résistance de sortie
))
Gain de tension des petits signaux par rapport à la résistance de drain
LaTeX
Aller
Gain de tension
= (
Transconductance
*((
Résistance de sortie
*
Résistance aux fuites
)/(
Résistance de sortie
+
Résistance aux fuites
)))
Transconductance étant donné les paramètres de petits signaux
LaTeX
Aller
Transconductance
= 2*
Paramètre de transconductance
*(
Composante CC de la tension grille-source
-
Tension totale
)
Tension de sortie de petit signal
LaTeX
Aller
Tension de sortie
=
Transconductance
*
Tension source-grille
*
Résistance à la charge
Voir plus >>
Tension de sortie de petit signal Formule
LaTeX
Aller
Tension de sortie
=
Transconductance
*
Tension source-grille
*
Résistance à la charge
V
out
=
g
m
*
V
sg
*
R
L
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