Périmètre de la paroi latérale de diffusion de la source Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Périmètre de paroi latérale de diffusion de la source = (2*Largeur de transition)+(2*Longueur de la source)
Ps = (2*W)+(2*Ds)
Cette formule utilise 3 Variables
Variables utilisées
Périmètre de paroi latérale de diffusion de la source - (Mesuré en Mètre) - Le périmètre de diffusion de la source sur la paroi latérale est défini comme le périmètre de diffusion de la source n'incluant pas le bord sous la grille.
Largeur de transition - (Mesuré en Mètre) - La largeur de transition est définie comme l'augmentation de la largeur lorsque la tension drain-source augmente, ce qui entraîne la transition de la région triode vers la région de saturation.
Longueur de la source - (Mesuré en Mètre) - La longueur de la source est définie comme la longueur totale observée à la jonction source du MOSFET.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Largeur de transition: 89.82 Millimètre --> 0.08982 Mètre (Vérifiez la conversion ​ici)
Longueur de la source: 61 Millimètre --> 0.061 Mètre (Vérifiez la conversion ​ici)
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
Ps = (2*W)+(2*Ds) --> (2*0.08982)+(2*0.061)
Évaluer ... ...
Ps = 0.30164
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
0.30164 Mètre -->301.64 Millimètre (Vérifiez la conversion ​ici)
RÉPONSE FINALE
301.64 Millimètre <-- Périmètre de paroi latérale de diffusion de la source
(Calcul effectué en 00.013 secondes)

Crédits

Creator Image
Créé par Shobhit Dimri
Institut de technologie Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri a créé cette calculatrice et 900+ autres calculatrices!
Verifier Image
Vérifié par Urvi Rathod
Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

Caractéristiques des circuits CMOS Calculatrices

Largeur de diffusion de la source
​ LaTeX ​ Aller Largeur de transition = Zone de diffusion de la source/Longueur de la source
Zone de diffusion de la source
​ LaTeX ​ Aller Zone de diffusion de la source = Longueur de la source*Largeur de transition
CMOS Moyenne Parcours Libre
​ LaTeX ​ Aller Libre parcours moyen = Tension critique dans CMOS/Champ électrique critique
Tension critique CMOS
​ LaTeX ​ Aller Tension critique dans CMOS = Champ électrique critique*Libre parcours moyen

Périmètre de la paroi latérale de diffusion de la source Formule

​LaTeX ​Aller
Périmètre de paroi latérale de diffusion de la source = (2*Largeur de transition)+(2*Longueur de la source)
Ps = (2*W)+(2*Ds)

Qu'est-ce que le modèle de capacité de diffusion MOS ?

La jonction p – n entre la source de diffusion et le corps contribue à la capacité parasite dans la région d'appauvrissement. La capacité dépend à la fois de la surface AS et du périmètre PS de la paroi latérale de la région de diffusion de la source. Étant donné que l'épaisseur de la région d'appauvrissement dépend des conditions de polarisation, ces parasites ne sont pas linéaires.

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